Dependence of type II "W" mid-infrared photoluminescence and lasing properties on growth conditions

Journal of Applied Physics

Volumn 94, Issue 3, 2003, Pages 1347-1355

  Canedy, C L ^a   Bewley, W W ^a   Kim, C S ^a   Kim, M ^a   Vurgaftman, I ^a   Meyer, J R ^a  

^a NAVAL RESEARCH LABORATORY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

LASER BEAM EFFECTS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; PHOTOLUMINESCENCE; QUANTUM WELL LASERS; THERMAL EFFECTS;

LASING PROPERTIES;

SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS;

EID: 0043013346     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1586974     Document Type: Article

References (35)

1. J. R. Meyer, C. A. Huffman, F. J. Bartoli, and L. R. Ram-Mohan, Appl. Phys. Lett. 67, 757 (1995).
2. W. W. Bewley, C. L. Felix, E. H. Aifer, I. Vurgaftman, L. J. Olafsen, J. R. Meyer, H. Lee, R. U. Martinelli, J. C. Connolly, A. R. Sugg, G. H. Olsen, M. J. Yang, B. R. Bennett, and B. V. Shanabrook, Appl. Phys. Lett. 73, 3833 (1998).
3. W. W. Bewley, C. L. Felix, I. Vurgaftman, D. W. Stokes, E. H. Aifer, L. J. Olafsen, J. R. Meyer, M. J. Yang, B. V. Shanabrook, H. Lee, R. U. Martinelli, and A. R. Sugg, Appl. Phys. Lett. 74, 1075 (1999).
4. D. W. Stokes, L. J. Olafsen, W. W. Bewley, I. Vurgaftman, C. L. Felix, E. H. Aifer, J. R. Meyer, and M. J. Yang, J. Appl. Phys. 86, 4729 (1999).
5. R. Kaspi, A. P. Ongstad, G. C. Dente, J. Chavez, M. L. Tilton, and D. Gianardi, Appl. Phys. Lett. 81, 406 (2002).
6. H. Lee, L. J. Olafsen, R. J. Menna, W. W. Bewley, R. U. Martinelli, I. Vurgaftman, D. Z. Garbuzov, C. L. Felix, M. Maiorov, J. R. Meyer, J. C. Connolly, A. R. Sugg, and G. H. Olsen, Electron. Lett. 35, 1743 (1999).
7. W. W. Bewley, H. Lee, I. Vurgaftman, R. J. Menna, C. L. Felix, R. U. Martinelli, D. W. Stokes, D. Z. Garbuzov, J. R. Meyer, M. Maiorov, J. C. Connolly, A. R. Sugg, and G. H. Olsen, Appl. Phys. Lett. 76, 256 (2000); unpublished data.
8. M. J. Yang, W. J. Moore, B. R. Bennett, and B. V. Shanabrook, Electron. Lett. 34, 1525 (1998).
9. M. J. Yang, W. J. Moore, B. R. Bennett, B. V. Shanabrook, J. O. Cross, W. W. Bewley, C. L. Felix, I. Vurgaftman, and J. R. Meyer, J. Appl. Phys. 86, 1796 (1999).
10. A. P. Ongstad, G. C. Dente, M. L. Tilton, D. Gianardi, and G. Turner, J. Appl. Phys. 87, 7896 (2000).
11. G. W. Turner and H. K. Choi, in Antimonide-Related Strained-Layer Heterostructures, edited by M. O. Manasreh (Gordon and Breach, Singapore, 1997), Chap. 8.
12. J. Steinshnider, M. Weimer, R. Kaspi, and G. W. Turner, Phys. Rev. Lett. 85, 2953 (2000).
13. C. Mourad, D. Gianardi, K. J. Malloy, and R. Kaspi, J. Appl. Phys. 88, 5543 (2000).
14. T. Borca Tasciuc, D. W. Song, J. R. Meyer, I. Vurgaftman, M. J. Yang, B. Z. Nosho, L. J. Whitman, H. Lee, R. U. Martinelli, G. W. Turner, M. J. Manfra, and G. Chen, J. Appl. Phys. 92, 4994 (2002).
15. D. H. Chow, R. H. Miles, and A. T. Hunter, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 888 (1992).
16. J. R. Waterman, B. V. Shanabrook, R. J. Wagner, M. J. Yang, J. L. Davis, and J. P. Omaggio, Semicond. Sci. Technol. 8, S106 (1993).
17. M. J. Yang, W. J. Moore, C. H. Yang, R. A. Wilson, B. R. Bennett, and B. V. Shanabrook, J. Appl. Phys. 85, 6632 (1999).
18. J. W. M. DuMond and D. Marlow, Rev. Sci. Instrum. 8, 112 (1937); R. W. James, Optical Principles of Diffraction of X-Rays (Bell, London, 1948).
19. J. W. M. DuMond and D. Marlow, Rev. Sci. Instrum. 8, 112 (1937); R. W. James, Optical Principles of Diffraction of X-Rays (Bell, London, 1948).
20. R. Kaspi (private communication).
21. J. S. Blakemore, Semiconductor Statistics (Pergamon, New York, 1962), Chap. 7.
22. For example, the FWHM for the 487 °C sample is 122 nm at 5 K and 600 nm at 300 K.
23. L. R. Ram-Mohan and J. R. Meyer, J. Nonlinear Opt. Phys. Mater. 4, 191 (1995).
24. I. Vurgaftman, J. R. Meyer, and L. R. Ram-Mohan, J. Appl. Phys. 89, 5815 (2001).
25. C. A. Huffman, J. R. Meyer, E. R. Youngdale, F. J. Bartoli, and R. H. Miles, Appl. Phys. Lett. 63, 2210 (1993).
26. B. Z. Nosho, W. Barvosa-Carter, M. J. Yang, B. R. Bennett, and L. J. Whitman, Surf. Sci. 465, 361 (2000).
27. W. W. Bewley, I. Vurgaftman, C. L. Felix, J. R. Meyer, C.-H. Lin, D. Zhang, S. J. Murry, and S.-S. Pei, J. Appl. Phys. 83, 2384 (1998).
28. W. W. Bewley, C. L. Felix, I. Vurgaftman, D. W. Stokes, J. R. Meyer, H. Lee, and R. U. Martinelli, IEEE Photonics Technol. Lett. 12, 477 (2000).
29. R. Kaspi, A. Ongstad, G. C. Dente, J. Chavez, M. L. Tilton, and D. Gianardi, Appl. Phys. Lett. 81, 406 (2002).
30. G. W. Turner, A. K. Goyal, M. J. Manfra, P. J. Foti, and A. Sanchez, 5th International Conference on Mid-Infrared Optoelectronic Materials and Devices, Annapolis, MD 2002, Abstract Book, p. 71; unpublished data.
31. C. L. Felix, J. R. Meyer, I. Vurgaftman, C.-H. Lin, S. J. Murry, D. Zhang, and S.-S. Pei; IEEE Photonics Technol. Lett. 9, 734 (1997).
32. int (300 K) is somewhat too high. Related uncertainties should have much less effect on the lifetime determined for T = 275 K, and almost no effect at low T.
33. D.-J. Jang, M. E. Flatté, C. H. Grein, J. T. Olesberg, T. C. Hasenberg, and T. F. Boggess, Phys. Rev. B 58, 13047 (1998).
34. F. Fuchs, J. Schmitz, Ch. Pfahler, and W. Pletschen, in Ref. 29, p. 121.
35. J. R. Meyer, C. L. Felix, W. W. Bewley, I. Vurgaftman, E. H. Aifer, L. J. Olafsen, J. R. Lindle, C. A. Hoffman, M.-J. Yang, B. R. Bennett, B. V. Shanabrook, H. Lee, C.-H. Lin, S. S. Pei, and R. H. Miles, Appl. Phys. Lett. 73, 2857 (1998).