Inductively coupled plasma etching of InP using N2/H2

Journal of Applied Physics

Volumn 89, Issue 10, 2001, Pages 5322-5325

  Chen, Hsin Yi ^a   Ruda, Harry E ^a   Navarro, Alvaro Zapata ^b  

^a UNIVERSITY OF TORONTO   (Canada)

^b INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL   (Mexico)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0039782387     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1365942     Document Type: Article

References (37)

1. R. H. Burton, H. Temkin, and V. G. Keramidas, Appl. Phys. Lett. 37, 411 (1980).
2. G. Smolinsky, R. P. Chang, and T. M. Mayer, J. Vac. Sci. Technol. 18, 12 (1981).
3. L. A. Coldren and J. Rentschler, J. Vac. Sci. Technol. 19, 225 (1981).
4. R. H. Burton and G. Smolinsky, J. Electrochem. Soc. 129, 1599 (1982).
5. R. A. Barker, T. M. Mayer, and R. H. Burton, Appl. Phys. Lett. 40, 583 (1982).
6. L. A. Coldren, K. Furuya, B. I. Miller, and J. A. Rentschler, IEEE J. Quantum Electron. 18, 1679 (1982).
7. T. Tadokoro, F. Koyama, and K. Iga, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 27, 389 (1988).
8. T. Yoshikawa, S. Kohmoto, M. Ozaki, N. Hamao, Y. Sugimoto, M. Sugimoto, and K. Asakawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 31, L655 (1992).
9. V. J. Law and G. A. Jones, Semicond. Sci. Technol. 7, 281 (1992).
10. J. Etrillard, P. Ossart, G. Patriarche, M. Juhel, and C. Daguet, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 626 (1997).
11. R. J. Shul, G. B. McClellan, R. D. Briggs, J. Rieger, S. J. Pearton, C. R. Abernathy, J. W. Lee, C. Constantine, and C. Barrat, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 633 (1997).
12. K. Asakawa, T. Yoshikawa, S. Kohmoto, Y. Nambu, and Y. Sugimoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 37, 373 (1998).
13. L. Henrry, C. Vaudry, and P. Granjous, Electron. Lett. 23, 1253 (1987).
14. T. R. Hayes, M. A. Dreisbach, P. M. Thomas, W. C. Dautremont-Smith, and L. A. Heimhrook, J. Vac. Sci. Technol. B 7, 1130 (1989).
15. I. Adesida, K. Nummila, E. Andideh, J. Hughes, C. Caneau, R. Bhat, and R. Holmstrom, J. Vac. Sci. Technol. B 8, 1357 (1990).
16. J. Werking, J. Schramm, C. Nguyen, E. L. Hu, and H. Kroemer, Appl. Phys. Lett. 58, 2003 (1991).
17. O. Kjebon, S. Lourdudoss, B. Hammarlund, S. Lindgren, M. Rask, P. Ojala, G. Landgren, and B. Broberg, Appl. Phys. Lett. 59, 253 (1991).
18. J. Singh, J. Vac. Sci. Technol. B 9, 1911 (1991).
19. J. W. McNabb, H. G. Craighead, H. Temkin, and R. A. Logan, J. Vac. Sci. Technol. B 9, 3535 (1991).
20. H. E. G. Arnot, R. W. Glew, G. Schiavini, L. J. Rigby, and A. Peccirillo, Appl. Phys. Lett. 62, 3189 (1993).
21. S. J. Pearton, C. R. Abernathy, R. F. Kopt, F. Ren, and W. S. Hobson, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 1333 (1994).
22. C. Y. Park, J. B. Yoo, C. Park, K. S. Hyun, D. K. Oh, Y. H. Lee, C. Lee, and H. M. Park, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 974 (1995).
23. O. M. Steffensen, D. Birkedal, J. Hanberg, O. Albrektsen, and S. W. Pang, J. Appl. Phys. 78, 1528 (1995).
24. C. S. Whelan, T. E. Kazior, and K. Y. Hur, J. Vac. Sci. Technol. B 15, 1728 (1997).
25. Y. Feurprier, Ch. Cardinaud, and G. Turban, J. Vac. Sci. Technol. B 15, 1733 (1997).
26. U. Niggebrugge, M. Klug, and G. Garus, Inst. Phys. Conf. Ser. 79, 367 (1985).
27. S. J. Pearton, U. K. Chakrabarti, A. P. Kinsella, D. Johnson, and C. Constantine, Appl. Phys. Lett. 56, 1424 (1990).
28. C. Constantine, D. Johnson, S. J. Pearton, U. K. Chakrabarti, A. B. Emerson, W. S. Hobson, and A. P. Kinsella, J. Vac. Sci. Technol. B 8, 596 (1990).
29. U. K. Chakrabarti, S. J. Pearton, and F. Ren, Semicond. Sci. Technol. 6, 408 (1991).
30. S. J. Pearton, U. K. Chakrabarti, A. Katz, A. P. Perley, W. S. Hobson, and C. Constantine, J. Vac. Sci. Technol. B 9, 1421 (1991).
31. F. Ren, S. J. Pearton, C. R. Abernathy, and J. R. Lothian, J. Vac. Sci. Technol. A 13, 753 (1995).
32. S. J. Pearton, C. R. Abernathy, and F. Ren, J. Vac. Sci. Technol. A 13, 849 (1995).
33. S. J. Pearton, J. W. Lee, E. S. Lambers, J. R. Mileham, C. R. Abernathy, W. S. Hobson, F. Ren, and R. J. Shul, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 118 (1996).
34. J. E. Parmeter, R. J. Shul, A. J. Howard, and P. A. Miller, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 3563 (1996).
35. J. Etrillard, F. Heliot, P. Ossart, M. Juhel, G. Patriarche, P. Carcenac, C. Vieu, M. Puech, and P. Maquin, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 1056 (1996).
36. J. R. Sendra and J. Anguita, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 33, L390 (1994).
37. C. F. Carlstrom, G. Landgren, and S. Anand, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 1018 (1998).