Single-electron charging phenomena in silicon nanopillars with and without silicon nitride tunnel barriers

Journal of Applied Physics

Volumn 90, Issue 9, 2001, Pages 4772-4776

  Pooley, D M ^a   Ahmed, H ^a   Mizuta, H ^b   Nakazato, K ^b  

^a UNIVERSITY OF CAMBRIDGE   (United Kingdom)

^b HITACHI CAMBRIDGE LABORATORY   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0039741592     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1405825     Document Type: Article

References (17)

1. Phys. World 13, 12 (2000); also at http://www.bell-labs.com/news/1999/november/15/vertical.pdf.
2. K. Nakazato, K. Itoh, H. Mizuta, and H. Ahmed, Electron. Lett. 35, 848 (1999).
3. S. Tiwari, F. Rana, H. Hanafi, A. Hartstein, E. F. Crabbé, and K. Chan, Appi. Phys. Lett. 68, 1377 (1996).
4. S. Tarucha, D. G. Austing, T. Honda, R. J. van der Hage, and L. P. Kouwenhoven, Phys. Rev. Lett. 77, 3613 (1996).
5. H. Fukuda, J. L. Hoyt, M. A. McCord, and R. F. W. Pease, Appl. Phys. Lett. 70, 333 (1997).
6. D. M. Pooley, H. Ahmed, and N. S. Lloyd, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 3235 (1999).
7. D. M. Pooley, H. Ahmed, H. Mizuta, and K. Nakazato, Appl. Phys. Lett. 74, 2191 (1999).
8. G. J. Evans, H. Mizuta, and H. Ahmed (unpublished).
9. Y. Furuta, H. Mizuta, K. Nakazato, Y. T. Tan, T. Kamiya, Z. A. K. Durrani, H. Ahmed, and K. Taniguchi (unpublished).
10. D. J. DiMaria and P. C. Arnett, Appl. Phys. Lett. 26, 711 (1975).
11. A. C. Irvine, Z. A. K. Durrani, H. Ahmed, and S. Biesemans, Appl. Phys. Lett. 73, 1113 (1998).
12. V. Ng, H. Ahmed, and T. Shimada, J. Appl. Phys. 86, 6931 (1999).
13. R. A. Smith and H. Ahmed, J. Appl. Phys. 81, 2699 (1997).
14. K. Nakazato and H. Ahmed, Appl. Phys. Lett. 66, 3170 (1995).
15. R. A. Smith and H. Ahmed, Appl. Phys. Lett. 71, 3838 (1997).
16. L. P. Kouwenhoven, T. H. Oosterkamp, M. W. S. Danoesastro, M. Eto, D. G. Austing, T. Honda, and S. Tarucha, Science 278, 1788 (1997).
17. K. Nishiguchi and S. Oda, J. Appl. Phys. 88, 4186 (2000).