Electron transport in a single silicon quantum structure using a vertical silicon probe

Journal of Applied Physics

Volumn 88, Issue 7, 2000, Pages 4186-4190

  Nishiguchi, Katsuhiko ^a   Oda, Shunri ^a  

^a TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000014648     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1289777     Document Type: Article

References (25)

1. S. Tiwari, F. Rana, K. Chan, L. Shi, and H. Hanafi, Appl. Phys. Lett. 69, 26 (1996).
2. L. Guo, E. Leobandung, and S. Y. Chou, Appl. Phys. Lett. 70, 85 (1997).
3. M. Fukuda, K. Nakagawa, S. Miyazaki, and M. Hirose, Appl. Phys. Lett. 70, 2291 (1997).
4. A. Nakajima, T. Futatsugi, K. Kosemura, T. Fukano, and N. Yokoyama, Appl. Phys. Lett. 70, 1472 (1997).
5. T. Ifuku, M. Otobe, A. Itoh, and S. Oda, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 4031 (1997).
6. Y. Inoue, A. Tanaka, M. Fujii, S. Hayashi, and K. Yamamoto, J. Appl. Phys. 86, 3199 (1999).
7. A. Dutta, M. Kimura, Y. Honda, M. Otobe, A. Itoh, and S. Oda, Jpn. J. Appl. Phys., 36, 4038 (1997).
8. A. Dutta, S. P. Lee, Y. Hayafune, S. Hatatani, and S. Oda, Jpn. J. Appl. Phys. 39, 264 (2000).
9. T. Sato, H. Ahmed, D. Brown, and B. F. G. Johnson, J. Appl. Phys. 82, 696 (1997).
10. W. Chen, H. Ahmed, and K. Nakazato, Appl. Phys. Lett. 66, 3383 (1995).
11. A. Bezryadin, C. Dekker, and G. Schmid, Appl. Phys. Lett. 71, 1273 (1997).
12. D. L. Klein, P. L. McEuen, J. E. B. Katari, R. Royh, and A. P. Alivisatos, Appl. Phys. Lett. 68, 2574 (1996).
13. T. Junno, S.-B. Carlsson, H. Xu, L. Montelius, and L. Samuelson, Appl. Phys. Lett. 72, 548 (1998).
14. D. C. Ralph, C. T. Black, and T. Tinkham, Phys. Rev. Lett. 78, 4087 (1997).
15. E. Bar-Sadeh, Y. Goldstein, M. Wolovelsky, D. Porath, C. Zhang, H. Deng, B. Abeles, and O. Millo, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 1084 (1995).
16. M. Otobe, H. Yajima, and S. Oda, Appl. Phys. Lett. 72, 1089 (1998).
17. M. I. Lutwyche and Y. Wada, J. Appl. Phys. 75, 3654 (1994).
18. K. Yano, T. Ishii, T. Hashimoto, T. Kobayashi, F. Murai, and K. Seki, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet., 106 (1998).
19. M. W. Geis, D. C. Flanders, and H. I. Smith, Appl. Phys. Lett. 35, 71 (1979).
20. M. W. Geis, B.-Y. Tsaur, and D. C. Flanders, Appl. Phys. Lett. 41, 526 (1982).
21. Sh. Farhangfar, K. P. Hirvi, J. P. Kauppinen, J. P. Pekola, and J. J. Toppari, J. Low Temp. Phys. 108, 191 (1997).
22. J. P. Pekola, K. P. Hirvi, J. P. Kauppinen, and M. A. Paalanen, Phys. Rev. Lett. 73, 2903 (1994).
23. K. P. Hirvi, J. P. Kauppinen, A. N. Korotokov, M. A. Paalanen, and J. P. Pekola, Appl. Phys. Lett. 67, 2096 (1995).
24. We use a single-electron device and circuit simulator based on Monte Carlo theory, SIMON 2.0, developed by Dr. Christoph Wasshuber, 4106 Springhill Estates Dr., Parker, TX 75002.
25. A. S. Adourian, C. Livermore, R. M. Westervelt, K. L. Campman, and A. C. Gossard, Appl. Phys. Lett. 75, 424 (1999).