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Journal of Materials Science: Materials in Electronics

Volumn 14, Issue 5-7, 2003, Pages 287-290

Electrical characterization of MIS capacitors fabricated from ECR-PECVD silicon oxide and silicon nitride bilayer films

(7) Castan H a Duenas S a Barbolla, J a San Andres E b Del Prado, A b Martil I b Gonzalez Diaz G b

a UNIVERSITY OF VALLADOLID (Spain)

b UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID (Spain)

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CAPACITORS; DEEP LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY; ELECTRIC INSULATORS; INTERFACES (MATERIALS); PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SEMICONDUCTOR MATERIALS; SILICA; SILICON NITRIDE;

CONDUCTANCE TRANSIENT MEASUREMENTS; ELECTRON-CYCLOTRON RESONANCE PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MIS CAPACITORS; SILICON OXIDE;

MIS DEVICES;

EID: 0038149138 PISSN: 09574522 EISSN: None Source Type: Journal
DOI: 10.1023/A:1023907508286 Document Type: Article

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