Effects of ion irradiation on silicon oxidation in electron cyclotron resonance argon and oxygen mixed plasma

Journal of Applied Physics

Volumn 88, Issue 3, 2000, Pages 1664-1669

  Matsuo, S ^a   Yamamoto, M ^a   Sadoh, T ^a   Tsurushima, T ^a   Gao, D W ^a   Furukawa, K ^a   Nakashima, H ^a  

^a KYUSHU UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0037862731     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.373868     Document Type: Article

References (33)

1. V. Q. Ho and T. Sugano, IEEE Trans. Electron Devices ED-27, 1436 (1980).
2. A. Kiermasz, W. Eccleston, and J. L. Moruzzi, Solid-State Electron. 26. 1167 (1983).
3. P. Friedel and S. Gourrier, J. Phys. Chem. Solids 44, 353 (1983).
4. J. Perriere, J. Siejka, and R. P. H. Chang, J. Appl. Phys. 56, 2716 (1984).
5. S. Kimura, E. Murakami, K. Miyake, T. Warabisako, H. Sunami, and T. Tokuyama, J. Electrochem. Soc. 132, 1460 (1985).
6. C. Vinckier and S. De Jaegere, J. Electrochem. Soc. 137, 628 (1990).
7. D. A. Carl, D. W. Hess, and M. A. Lieberman, J. Vac. Sci. Technol. A 8, 2924 (1990).
8. Y. Z. Hu, J. Joseph, and E. A. Irene, Appl. Phys. Lett. 59, 1353 (1991).
9. D. A. Carl, D. W. Hess, M. A. Lieberman, T. D. Nguyen, and R. Gronsky, J. Appl. Phys. 70, 3301 (1991).
10. J. Peeters and L. Li, J. Appl. Phys. 72, 719 (1992).
11. J. Joseph, Y. Z. Hu, and E. A. Irene, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 611 (1992).
12. Y. Z. Hu, Y. Q. Wang, M. Li, J. Joseph, and E. A. Irene, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 900 (1993).
13. Y. Kawai, N. Konishi, J. Watanabe, and T. Ohmi, Appl. Phys. Lett. 64, 2223 (1994).
14. M. Kitajima, I. Kamioka, K. G. Nakamura, and S. Hishita, Phys. Rev. B 53, 3993 (1996).
15. I. Kamioka, K. G. Nakamura, T. Kawabe, and M. Kitajima, Thin Solid Films 281/282, 98 (1996).
16. K. Kim, M. H. An, Y. G. Shin, M. S. Sun, C. J. Youn, Y. H. Lee, K. B. Lee, and H. J. Lee, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 2667 (1996).
17. K.-M. Chang, C.-H. Li, F.-J. Fahn, J.-Y. Tsai, T.-H. Yeh, S.-W. Wang, and J.-Y. Yang, J. Electrochem. Soc. 144, 311 (1997).
18. A. Kurokawa and S. Ichimura, Appl. Surf. Sci. 100/101, 436 (1996).
19. A. Kurokawa and S. Ichimura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 34, L1606 (1995).
20. A. Kazor, R. Gwilliam, and I. W. Boyd, Appl. Phys. Lett. 65, 412 (1994).
21. W. H. Thompson, Z. Yamani, L. H. A. Hassan, J. E. Greene, M. Nayfeh, and M.-A. Hasan, J. Appl. Phys. 80, 5415 (1996).
22. S. S. Todorov, S. L. Shillinger, and E. R. Fossum, IEEE Electron Device Lett. 7, 468 (1986).
23. S. S. Todorov and E. R. Fossum, J. Vac. Sci. Technol. B 6, 466 (1988).
24. W. Kern, J. Electrochem. Soc. 137, 1887 (1990).
25. T. Takahagi, I. Nagai, A. Ishitani, H. Kuroda, and Y. Nagasawa, J. Appl. Phys. 64, 3516 (1988).
26. M. Morita, T. Ohmi, E. Hasegawa, M. Kawakami, and M. Ohwada, J. Appl. Phys. 68, 1272 (1990).
27. B. S. Meyerson, F. J. Himpsel, and K. J. Uram, Appl. Phys. Lett. 57, 1034 (1990).
28. D. W. Gao, Y. Kashiwazaki, K. Muraoka, H. Nakashima, K. Furukawa, Y. C. Liu, K. Shibata, and T. Tsurushima, J. Appl. Phys. 82, 5680 (1997).
29. M. A. Lieberman and A. J. Lichtenberg, Principles of Plasma Discharges and Materials Processing (Wiley, New York, 1994), p. 432.
30. J. F. Ziegler, J. P. Biersack, and U. Littmark, The Stopping and Range of Ions in Solids, Vol. 1 of The Stopping and Ranges of Ions in Matter, edited by J. F. Ziegler (Pergamon, New York, 1985).
31. B. E. Deal and A. S. Grove, J. Appl. Phys. 36, 3770 (1965).
32. E. A. Irene and E. A. Lewis, Appl. Phys. Lett. 51, 767 (1987).
33. E. M. Young, Appl. Phys. A: Solids Surf. 47, 259 (1988).