Reduction of the ZnSe/GaAs(100) valence band offset by a Te interlayer

Applied Physics Letters

Volumn 78, Issue 13, 2001, Pages 1867-1869

  Gleim, Th ^a   Heske, C ^a   Umbach, E ^a   Schumacher, C ^a   Faschinger, W ^a   Ammon, Ch ^b   Probst, M ^b   Steinruck H P ^b  

^a UNIVERSITY OF WÜRZBURG   (Germany)

^b UNIVERSITY OF ERLANGEN NUREMBERG   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035952890     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1358366     Document Type: Article

References (18)

1. S. Schömann, K. Schmidt, H. Peisert, T. Chassé, and K. Horn, Surf. Sci. 352-354, 855 (1996).
2. A. Madhukar, Q. Xie, P. Chen, and A. Konkar, Appl. Phys. Lett. 64, 2727 (1994).
3. L. T. Romano, R. D. Bringans, X. Zhou, and W. P. Kirk, Phys. Rev. B 52, 11201 (1995).
4. R. D. Bringans, D. K. Biegelsen, L.-E. Swartz, F. A. Ponce, and J. C. Tramontana, Phys. Rev. B 45, 13400 (1992).
5. A. Ohtake, T. Hanada, T. Yasuda, K. Arai, and T. Yao, Phys. Rev. B 60, 8326 (1999); S. Guha, H. Munekata, and L. L. Chang, J. Appl. Phys. 73, 2294 (1993); S. P. Kowalczyk, E. A. Kraut, J. R. Waldrop, and R. W. Grant, J. Vac. Sci. Technol. 21, 482 (1982); A. Kley and J. Neugebauer, Phys. Rev. B 50, 8616 (1994).
6. A. Ohtake, T. Hanada, T. Yasuda, K. Arai, and T. Yao, Phys. Rev. B 60, 8326 (1999); S. Guha, H. Munekata, and L. L. Chang, J. Appl. Phys. 73, 2294 (1993); S. P. Kowalczyk, E. A. Kraut, J. R. Waldrop, and R. W. Grant, J. Vac. Sci. Technol. 21, 482 (1982); A. Kley and J. Neugebauer, Phys. Rev. B 50, 8616 (1994).
7. A. Ohtake, T. Hanada, T. Yasuda, K. Arai, and T. Yao, Phys. Rev. B 60, 8326 (1999); S. Guha, H. Munekata, and L. L. Chang, J. Appl. Phys. 73, 2294 (1993); S. P. Kowalczyk, E. A. Kraut, J. R. Waldrop, and R. W. Grant, J. Vac. Sci. Technol. 21, 482 (1982); A. Kley and J. Neugebauer, Phys. Rev. B 50, 8616 (1994).
8. A. Ohtake, T. Hanada, T. Yasuda, K. Arai, and T. Yao, Phys. Rev. B 60, 8326 (1999); S. Guha, H. Munekata, and L. L. Chang, J. Appl. Phys. 73, 2294 (1993); S. P. Kowalczyk, E. A. Kraut, J. R. Waldrop, and R. W. Grant, J. Vac. Sci. Technol. 21, 482 (1982); A. Kley and J. Neugebauer, Phys. Rev. B 50, 8616 (1994).
9. R. Nicolini, L. Vanzetti, G. Mula, G. Bratina, L. Sorba, A. Franciosi, M. Peressi, S. Baroni, R. Resta, A. Baldereschi, J. E. Angelo, and W. W. Gerberich, Phys. Rev. Lett. 72, 294 (1994).
10. W. Spahn, H. R. Reß, C. Fischer, M. Ehinger, and G. Landwehr, Semicond. Sci. Technol. 12, 234 (1997); W. Spahn, H. R. Reß, K. Schüll, M. Ehinger, D. Hommel, and G. Landwehr, J. Cryst. Growth 159, 761 (1996).
11. W. Spahn, H. R. Reß, C. Fischer, M. Ehinger, and G. Landwehr, Semicond. Sci. Technol. 12, 234 (1997); W. Spahn, H. R. Reß, K. Schüll, M. Ehinger, D. Hommel, and G. Landwehr, J. Cryst. Growth 159, 761 (1996).
12. A. Ohtake, L.-H. Kuo, K. Kimura, S. Miwa, T. Yasuda, C. Jin, T. Yao, K. Nakajima, and K. Kimura, Phys. Rev. B 57, 1410 (1998).
13. L. Carbonell, V. H. Etgens, A. Koëbel, M. Eddriel, and B. Capelle, J. Cryst. Growth 201/202, 502 (1999).
14. D. Albert, B. Olszowi, W. Spahn, J. Nürnberger, K. Schüll, M. Korn, V. Hock, M. Ehinger, W. Faschinger, and G. Landwehr, J. Cryst. Growth 184-185, 571 (1998).
15. D. Eich, K. Ortner, U. Groh, Z. H. Chen, C. R. Becker, G. Landwehr, R. Fink, and E. Umbach, Phys. Status Solidi A 173, 261 (1999).
16. H. Dröge, M. Nagelstraßer, J. Nürnberger, W. Faschinger, A. Fleszar, and H.-P. Steinrück, Surf. Sci. 454-456, 477 (2000).
17. A. Ulyanenkov, A. Takase, M. Kuribayashi, K. Ishida, A. Ohtake, K. Arai, T. Hanada, T. Yasuda, T. Yao, H. Tomita, and S. Komiya, J. Appl. Phys. 85, 1520 (1999).
18. S. A. Chambers and V. S. Sundaram, J. Vac. Sci. Technol. B 9, 2256 (1991).