Microstructure and growth mode at early growth stage of laser-ablated epitaxial Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 films on a SrTiO3 substrate

Journal of Applied Physics

Volumn 89, Issue 8, 2001, Pages 4497-4502

  Goh, W C ^a   Xu, S Y ^a   Wang, S J ^a   Ong, C K ^a  

^a NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035871067     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1356426     Document Type: Article

References (29)

1. S. Mathews, R. Ramesh, T. Venkatesan, and J. Benedetto, Science 276, 238 (1997).
2. J. F. Scott and C. A. Paz de Araujo, Science 246, 1400 (1989).
3. R. Takayama and Y. Tomita, J. Appl. Phys. 65, 1666 (1989).
4. H. Du, D. W. Johnson, Jr., W. Zhu, J. E. Graebner, G. W. Kammlott, S. Jin, J. Rogers, R. Willett, and R. M. Fleming, J. Appl. Phys. 86, 2220 (1999).
5. D. L. Polla, C. Ye, and T. Tamagawa, Appl. Phys. Lett. 86, 3539 (1991).
6. T. Shashida, Mech. Automation Japan 15, 31 (1983).
7. M. Kurosowa, T. Morita, and T. Higuchi, Proc. IEEE Vol. I, 549 (1994).
8. M.-A. Dunois and P. Muralt, IEEE Trans. Ultrason. Ferroelectr. Freq. Control 45, 1169 (1998).
9. T. Morita, M. Kurosowa, and T. Higuchi, IEEE Trans. Ultrason. Ferroelectr. Freq. Control 45, 1178 (1998).
10. G. A. Racine, P. Muralt, and M.-A. Dubois, Smart Mater. Struct. 7, 404 (1998).
11. J.-M. Liu, S. Y. Xu, W. Z. Zhou, X. H. Jiang, C. K. Ong, and L. C. Lim, Mater. Sci. Eng., A 269, 67 (1999).
12. S. B. Majumder, D. C. Agrawal, Y. N. Mohapatra, and V. N. Kulkami, Integr. Ferroelectr. 9, 217 (1995).
13. M. Ichiki, J. Akedo, A. Schoroth, R. Maeda, and Y. Ishikawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 5815 (1997).
14. C. Lucat, F. Menil, and R. VonderMuhll, Meas. Sci. Technol. 8, 38 (1997).
15. G. K. Hubler, in Pulsed Laser Deposition of Thin Films, edited by D. B. Chrisey and G. K. Hubler (Wiley, New York, 1994), p. 327.
16. R. F. Haglund, Jr., in Laser Ablation and Deposition, edited by J. C. Miller and R. F. Haglund, Jr. (Academic, London, 1998), p. 15.
17. J. F. Scott, C. A. Araujo, B. M. Melnick, L. D. Macmillan, and R. Zuleeg, J. Appl. Phys. 70, 382 (1991).
18. R. Ramesh, W. K. Chan, B. Wilkens, T. Sands, J. M. Tarascon, V. G. Keramidas, D. K. Fork, J. Lee, and A. Safari, Appl. Phys. Lett. 61, 1537 (1992).
19. D. J. Lichtenwalner, R. Dat, O. Auciello, and A. I. Kingon, Ferroelectrics 152, 97 (1994).
20. C. J. Lu, H. M. Shen, Y. N. Wang, and J. H. Gu, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 66, 445 (1998).
21. B. L. Low, S. Y. Xu, C. K. Ong, Z. X. Shen, and X. B. Wang, Supercond. Sci. Technol. 10, 41 (1997).
22. S. Y. Xu, B. L. Low, C. K. Ong, and X. Zhang, J. Mater. Sci. Lett. 16, 429 (1997).
23. J.-M. Liu and C. K. Ong, Appl. Phys. Lett. 73, 1047 (1998).
24. Q. Huang, J. M. Liu, J. Li, H. C. Fang, H. P. Li, and C. K. Ong, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 68, 533 (1999).
25. H. C. Fang, C. K. Ong, S. Y. Xu, K. L. Tan, S. L. Lim, Y. Li, and J. M. Liu, J. Appl. Phys. 86, 2191 (1999).
26. X. Y. Zhang, C. K. Ong, S. Y. Xu, and H. C. Fang, Appl. Surf. Sci. 143, 323 (1999).
27. S. Y. Xu, C. K. Ong, and X. Zhang, Solid State Commun. 107, 273 (1998).
28. K. D. Develos, M. Kusunoki, and S. Ohshima, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 37, 6161 (1998).
29. L. X. Cao, Y. Xu, B. R. Zhao, L. P. Guo, L. Li, B. Xu, Y. Z. Zhang, H. Chen, A. J. Zhu, Z. H. Mai, J. H. Zhao, Y. F. Fu, and X. J. Li, J. Phys. D 30, 1455 (1997).