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Volumn 78, Issue 19, 2001, Pages 2867-2869

Direct observation of voids in the vacancy excess region of ion bombarded silicon

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EID: 0035820953     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1352662     Document Type: Article
Times cited : (31)

References (19)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.