Electrical properties of Pd-based ohmic contact to p-GaN

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 19, Issue 3, 2001, Pages 609-614

  Kim, Dae Woo ^a   Bae, Jun Cheol ^a   Kim, Woo Jin ^a   Baik, Hong Koo ^a   Lee, Sung Man ^b  

^a Yonsei University   (South Korea)

^b Kangwon National University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; EPITAXIAL GROWTH; GALLIUM NITRIDE; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; PALLADIUM; SAPPHIRE; SEMICONDUCTOR DOPING; SUBSTRATES; SYNCHROTRON RADIATION;

SCHOTTKY BARRIER HEIGHT;

OHMIC CONTACTS;

EID: 0035326264     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.1372922     Document Type: Conference Paper

References (24)

1. H. Morkoc, S. Strite, G. B. Gao, M. E. Lin, B. Sverdlov, and M. Burns, J. Appl. Phys. 76, 1363 (1994).
2. S. Nakamura, J. Vac. Sci. Technol. A 13, 705 (1995).
3. K. Suzue, S. N. Mohammad, Z. F. Fan, W. Kim, O. Aktas, A. E. Botchkarev, and H. Morkoc, J. Appl. Phys. 80, 4467 (1996).
4. J. S. Foresi and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 62, 2859 (1993).
5. D.-W. Kim, H. K. Baik, C. Y. Kim, S. W. Kim, and C. H. Hong, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 482, 1083 (1998).
6. Y.-F. Wu, W.-N. Jiang, B. P. Keller, D. Kapolnek, S. P. Denbaars, U. K. Mishra, and B. Wilson, Solid-State Electron. 482, 1083 (1999).
7. D.-W. Kim and H. K. Baik, Appl. Phys. Lett. 77, 1011 (2000).
8. B. P. Luther, S. E. Mohney, J. M. Delucca, and R. F. Karlicek, J. Electron. Mater. 27, 196 (1998).
9. B. P. Luther, S. E. Mohney, T. N. Jackson, M. A. Khan, Q. Chen, and J. W. Yang, Appl. Phys. Lett. 70, 57 (1997).
10. Z. Fan, S. N. Mohammad, W. Kim, O. Aktas, A. E. Botchkarev, K. Suzue, H. Morkoc, K. Duxstad, and E. E. Haller, J. Electron. Mater. 25, 1703 (1996).
11. J.-K. Ho, C.-S. Jong, C. C. Chiu, C.-N. Huang, C.-Y. Chen, and K.-K. Shih, Appl. Phys. Lett. 74, 1275 (1999).
12. J.-L. Lee, M. Weber, J. K. Kim, J. W. Lee, Y. J. Park, T. Kim, and K. Lynn, Appl. Phys. Lett. 74, 2289 (1999).
13. J.-S. Jang, I.-S. Chang, H.-K. Kim, T.-Y. Seong, S. Lee, and S.-J. Park, Appl. Phys. Lett. 74, 70 (1999).
14. J. K. Sheu, Y. K. Su, G. C. Chi, W. C. Chen, C. N. Huang, J. M. Hong, Y. C. Yu, C. W. Wang, and E. K. Lin, J. Appl. Phys. 83, 3172 (1998).
15. H. Norde, J. Appl. Phys. 50, 5052 (1979).
16. J. K. Sheu, Y. K. Su, G. C. Chi, M. J. Jou, and C. M. Chang, Appl. Phys. Lett. 72, 3317 (1998).
17. J.-S. Jang, S.-J. Park, and T.-Y. Seong, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 2667 (1999).
18. Q. Z. Liu, S. S. Lau, N. R. Perkins, and T. F. Kuech, Appl. Phys. Lett. 69, 1772 (1996).
19. N. Grandjean, J. Massies, P. Vennegues, M. Laugt, and M. Leroux, Appl. Phys. Lett. 70, 643 (1997).
20. W. E. Spicer, P. W. Chye, P. R. Skeath, C. Y. Su, and I. Lindau, J. Vac. Sci. Technol. 16, 1422 (1979).
21. V. Heine, Phys. Rev. A 138, 1689 (1965).
22. J. Tersoff, Phys. Rev. Lett. 52, 465 (1984).
23. H. Hasegawa and H. Ohno, J. Vac. Sci. Technol. B 4, 1130 (1986).
24. T. Sato, C. Kaneshiro, and H. Hasegawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 38, 1130 (1999).