The structure and electrochemical behavior of nitrogen-containing nanocrystalline diamond films deposited from CH4/N2/Ar mixtures

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 148, Issue 1, 2001, Pages

  Chen, Qingyun ^a,d   Gruen, Dieter M ^a,b   Krauss, Alan R ^a,b,c   Corrigan, Timothy D ^a,b   Witek, Malgorzata ^a,b,c   Swain, Greg M ^a,b,c  

^a ARGONNE NATIONAL LABORATORY   (United States)

^b Divisions   (United States)

^c UTAH STATE UNIVERSITY   (United States)

^d Northwestern University   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRODE KINETICS;

ADSORPTION; ARGON; CONCENTRATION (PROCESS); GRAIN BOUNDARIES; GRAIN SIZE AND SHAPE; METHANE; NANOSTRUCTURED MATERIALS; NITROGEN; PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; RATE CONSTANTS;

DIAMOND FILMS;

EID: 0035122958     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1344550     Document Type: Article

References (56)

1. M. C. Granser, J. Xu, J. W. Strojek, and G. M. Swain, Anal. Chim. Ada., 397, 145 (1999).
2. H. B. Martin, A. Areoitia, U. Landau, A. B. Anderson, and J. C. Angus, J. Electrochcm. Soc., 143, Ü33 (1996).
3. J. Xu, M. C. Granser, Q. Chen, T. E. Lister, J. W. Strojek, and G. M. Swain, Anal. Chem., 69, 591A ("l 997).
4. J. Xu and G. M. Svain.AnaL Chem.. 70, 1502 (199S).
5. S. Jolley, M. Koppang, T. Jackson, and G. M. Swain, Anal. Chem.. 69, 4041 (1997).
6. M. D. Koppan, M. \\1tek, J. Blau, and G. M. Swain, Anal. Chem., 71, 1188 (1999).
7. B. V. Sarada, T. N. Rao, D. A. Tryk, and A. Fujishima, Anal. Chem., 72, 1632 (2000).
8. T. N. Rao, I. Yagi, T. Miwa, D. A. Tryk, and A. Fujishima, Anal. Chem., 71, 2506 (1999).
9. J. E. Butler and H. Windischmann, MRS Bull., 23, 22 (1998) and references cited therein.
10. D. M. Gruen, MRS Bull., 23, 32 (1998).
11. D. M. Gruen. Annu. Rev. Mater. Sci., 29, 211 (1999).
12. D. Zhou, D. M. Gruen, L. C. Qin, T. G. McCauley, and A. R. Krauss, J. Appl. Phys., 84, 1981 (1998).
13. D. M. Gruen, S. Liu, A. R. Krauss, J. Luo, and X. Pan, Appl. Phys. Leu., 64, 1502 (1994).
14. D. Zhou, A. R. Krauss, L. C. Qin, T. G. McCauley, D. M. Gruen, T. D. Corriüan, R. P. H. Chang, and H. Gnascr, J. Appl. Pins., 82, 4546 (1997).
15. T. G. McCauley, D. M. Gruen, and A. R. Krauss, Appl. Phys. Leu., 73, 1646 (1998).
16. D. Zhou, T. G. McCauley, L. C. Qin, A. R. Krauss, and D. M. Gruen, J. Appl. Pliys., 83, 540(1998).
17. D. M. Gruen, P. C. Redfern, D. A. Horner, P. Zapol, and L. C. Curtis, J. Phys. Client. B. 103, 5459(1999).
18. A. Erdemir, M. Halter, G. R. Fenske, A. Krauss, D. M. Gruen, S. M. Pimenov, and V. I. Konov, Surf. Coat. Technoi, 94, 537 (1997).
19. L. C. Qin, D. Zhou, A. R. Krauss, and D. M. Gruen, tfanoarucl. Mater.. 10, 649 (1998).
20. B. Fausett, M. C. Granger, M. L. Hupert, J. Wang, G. M. Swain, and D. M. Gruen, Electroanalysis. 12, 7 (2000).
21. K. Yoo, B. Miller, R. Kalish, and X. Shi, Electrochem. Solid-Slate Let!., S, 233 (1999).
22. G. M. Swain, A. B. Andersen, and J. C. Angus, KIRS Bull., 23, 56 (1998).
23. J. Wang, G. M. Swain, M. Mermoux, G. Lucazeau, J. Zak, and J. W. Strojek, AVuDiamond Frontier Carbon Technoi., 9, 317 ( 1999).
24. R. Locher, C. Wild, N. Herres, D. Behr, and P. Koidl, Appl. Phys. Lett., 65, 34 (1994).
25. A. Badzian, T. Badzian, and S-T. Lee, Appl. Phys. Leu., 62, 3432 (1993).
26. K. Okano, S. Koizumi, S. Ravi, P. Suva, and G. A. J. Amaratunga, Nature, 381, 140 (1996).
27. D. Zhou, F. A. Stcvie, L. Chow, J. McKinley, H. Gnascr, and V. H. Desai, J. \'ac. Sci. Technoi. A. 17, 1135 (1999).
28. W. A. Yarbrough and R. Messier, Science, 247, 688 ( 1990).
29. S. A. Asher, C. H. Munro, and Z. Chi, Laser Focus World, 7, 99 ( 1997);
30. S. A. Asher, Anal. Chem., 65.59A (1993).
31. T. D. Corrigan, Ph.D. Thesis, Utah State University, Logan, UT (2000).
32. M. Sternbcrg, P. Zapol, T. Fraucnheim, D. M. Gruen, L. A. Curtiss, in Proceedings of Symposium U: Amorphous and Nanoslructured Carbon, MRS, Fall 1999 Symposium, In press (2000).
33. M. C. Granger, J. Xu, J. Wang, M. Witek, M. Hupert, A. Hanks, M. D. Koppang, J. E. Butler, G. Lucazeau, M. Mermoux, J. W. Strojek, and G. M. Swain, Anal. Chem., In press.
34. K. R. Kneten and R. L. McCreery, Anal. Chem., 64, 2518 (1992).
35. P. Chen, M. A. Fry ling, and R. L. McCreery, Anal. Chem., 67, 3115 (1995).
36. P. Chen and R. L. McCrecry, Anal. Chem., 68, 3958 (1996).
37. Q. Chen and G. M. Swain, Langmuir, 14, 7017 (1998).
38. M. R. Deakin, K. J. Stutts, and R. M. Wightman, J. Eleetroanal. Chem., 182, 113 (1986).
39. S. Ranganathan, T-C. Kuo, and R. L. McCreery, Anal. Chem., 71, 3574 (1999).
40. P. Bindra, H. Genscher and L. M. Peter, J. Electroanal. Chem. Interfacial Electrochem., 57, 435(1974).
41. L. M. Peter, W. Dürr, P. Bindra, and H. Gerischer, J. Electroanal. Chem., 71, 31 (1976).
42. M. Noel and P. N. Anantharaman, Analyst. 110, 1095 (1985).
43. M. C. Granger and G. M. Swain, J. Electrochem. Soc., 146, 4551 (1999).
44. J. Wang and G. M. Swain, J. Electroanal. Chem., Submitted.
45. S. Hunt-Duvall and R. L. McCreery, Anal. Chem., 71, 4594 (1999).
46. N. Vinokur. B. Miller, Y. Avyieal, and R. Kalish, J. Electrochem. Soc.. 143, L238 (1996).
47. C. Levy-CIe'ment, F. Zenia, N. A. Ndao, and A. Deneuville, New Diamond Frontier Carbon Technoi.. 9, 189 (1999).
48. S. Alehashem, F. Chambers, J. W. Strojek, G. M. Swain, and R. Ramesham, Anal. Chem., 67, 2812(1995).
49. H-H. Yang and R. L. McCreery, Anal. Chem.. 71, 4081 (1999).
50. E. F. Engelman and D. H. Evans, Langmuir, 8, 1637 (1992).
51. E. Popa, H. Nolsu, T. Miwa, D. A. Tryk and A. Fujishima, Electrochem. Solid-State Lett., 2, 49(1999).
52. Q. Chen and G. M. Swain, Anal. Client., Submitted.
53. J. Xu, Q. Chen, and G. M. Swain, Anal. Chem.. 70, 3146 (1998).
54. H. Genscher, Eleclrochim. Ada, 35, 1677 (1990).
55. R. S. Nicholson and I. Shain, Anal. Chem., 36, 706 ( 1964);
56. R. S. Nicholson, Anal. Chem., 37, 1351(1967).