Progress in crystal growth of nitride semiconductors

Journal of Crystal Growth

Volumn 221, Issue 1-4, 2000, Pages 231-239

  Akasaki, Isamu ^a  

^a MEIJO UNIVERSITY   (Japan)

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ENERGY GAP; METALLORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY; SUBSTRATES;

HETEROEPITAXIAL GROWTH;

SEMICONDUCTOR MATERIALS;

EID: 0034504518     PISSN: 00220248     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S0022-0248(00)00691-6     Document Type: Article

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