Angular dependence of SiO2 etching in a fluorocarbon plasma

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films

Volumn 18, Issue 6, 2000, Pages 2791-2798

  Cho, Byeong Ok ^a   Hwang, Sung Wook ^a   Lee, Gyeo Re ^a   Moon, Sang Heup ^a  

^a Seoul National University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHEMISORPTION; FLUOROCARBONS; MONOLAYERS; PLASMA ETCHING; POLYMERS; SILICA; SPUTTERING;

FLUOROCARBON PLASMAS; POLYMER FILMS;

PLASMA DEVICES;

EID: 0034318829     PISSN: 07342101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.1318193     Document Type: Article

References (37)

1. G. S. Oehrlein, Y. Zhang, D. Vender, and O. Joubert, J. Vac. Sci. Technol. A 12, 333 (1994).
2. N. R. Rueger, J. J. Beulens, M. Schaepkens, M. F. Doemling, J. M. Mizra, T. E. E. M. Standaert, and G. S. Oehrlein, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 1881 (1997).
3. M. Schaepkens, G. S. Oehrlein, C. Hedlund, L. B. Jonsson, and H.-O. Blom, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 3281 (1998).
4. A. M. Barklund and H.-O. Blom, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 1226 (1993).
5. C. Hedlund, C. Strandman, I. V. Katardjiev, Y. Bäcklund, S. Berg, and H.-O. Blom, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 3239 (1996).
6. C. Hedlund, L. B. Jonsson, I. V. Katardjiev, S. Berg, and H.-O. Blom, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 686 (1997).
7. B. Abraham-Shrauner and N. Jagannathan, IEEE Trans. Plasma Sci. 27, 668 (1999).
8. S. Abdollahi-Alibeik, J. P. McVittie, K. C. Saraswat, V. Sukharev, and P. Schoenborn, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 2485 (1999).
9. S. Matusi, T. Yamato, H. Aritome, and S. Namba, Jpn. J. Appl. Phys. 19, L126 (1980).
10. T. M. Mayer, R. A. Barker, and L. J. Whitman, J. Vac. Sci. Technol. 18, 349 (1981).
11. T. M. Mayer and R. A. Barker, J. Vac. Sci. Technol. 21, 757 (1982).
12. A. M. Barklund and H.-O. Blom, J. Vac. Sci. Technol. A 10, 1212 (1992).
13. D. P. Hamblen and A. Cha-Lin, J. Electrochem. Soc. 135, 1816 (1988).
14. G. D. Boyd, L. A. Coldren, and F. G. Storz, Appl. Phys. Lett. 36, 583 (1980).
15. B.-O. Cho, S.-W. Hwang, J.-H. Ryu, and S. H. Moon, Rev. Sci. Instrum. 70, 2458 (1999).
16. R. E. Lee, J. Vac. Sci. Technol. 16, 164 (1979).
17. Y. Y. Tu, T. J. Chuang, and H. F. Winters, Phys. Rev. B 23, 823 (1981).
18. J. P. Chang and H. H. Sawin, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 610 (1997).
19. J. P. Chang, A. P. Mahorawala, and H. H. Sawin, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 217 (1998).
20. B.-O. Cho, S.-W. Hwang, I.-W. Kim, and S. H. Moon, J. Electrochem. Soc. 146, 350 (1999).
21. B. Chapman, Glow Discharge Processes (Wiley, New York 1980).
22. J. M. Harper, Ion Beam Etching in Plasma Etching, edited by D. M. Manos and D. L. Flamm (Academic, New York, 1989).
23. G. S. Oehrlein, Y. Zhang, D. Vender, and M. Haverlag, J. Vac. Sci. Technol. A 12, 323 (1994).
24. M. J. Kushner, J. Appl. Phys. 53, 2923 (1982).
25. H. F. Winters, J. W. Coburn, and T. J. Chuang, J. Vac. Sci. Technol. B 1, 469 (1983).
26. H. F. Winters, J. Appl. Phys. 64, 2805 (1988).
27. K. Miyake, S. Tachi, K. Yagi, and T. Tokuyama, J. Appl. Phys. 53, 3214 (1982).
28. S. Tachi and S. Okudaira, J. Vac. Sci. Technol. B 4, 459 (1986).
29. T. Mizutani, C. J. Dale, W. K. Chu, and T. M. Mayer, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 7, 825 (1985).
30. C. Steinbrüchel, Appl. Phys. Lett. 55, 1960 (1989).
31. C. Steinbrüchel, Mater. Sci. Technol. 8, 565 (1992).
32. M. J. M. Vugts, L. J. F. Hermans, and H. C. W. Beijerinck, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 2138 (1996).
33. P. C. Zalm, J. Vac. Sci. Technol. B 2, 151 (1984).
34. G. S. Oehrlein and H. L. Williams, J. Appl. Phys. 62, 662 (1987).
35. I. Bello, W. H. Chang, and W. M. Lau, J. Vac. Sci. Technol. A 12, 1425 (1994).
36. D. J. Vitkavage and T. M. Mayer, J. Vac. Sci. Technol. B 4, 1283 (1986).
37. A. J. Bariya, C. W. Frank, and J. P. McVittie, J. Electrochem. Soc. 137, 2575 (2575).