Morphology of high-index GaAs surfaces

Applied Surface Science

Volumn 166, Issue 1, 2000, Pages 173-178

  Jacobi, K ^a   Geelhaar, L ^a   Marquez J ^a   Platen, J ^a   Setzer, C ^a  

^a FRITZ HABER INSTITUT DER MAX PLANCK GESELLSCHAFT   (Germany)

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IMAGE ANALYSIS; LOW ENERGY ELECTRON DIFFRACTION; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY; SCANNING TUNNELING MICROSCOPY;

CORE LEVEL SPECTROSCOPY;

SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE;

EID: 0034300370     PISSN: 01694332     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S0169-4332(00)00403-7     Document Type: Article

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