Carbon rich plasma-induced damage in silicon nitride etch

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 147, Issue 3, 2000, Pages 1168-1174

  Ye, J H ^a,b   Zhou, M S ^a  

^a CHARTERED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LTD   (Singapore)

^b INSTITUTE OF MATERIALS RESEARCH AND ENGINEERING   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; CARBON; CARBON MONOXIDE; FLUORINE CONTAINING POLYMERS; LEAKAGE CURRENTS; OXIDATION; PLASMA ETCHING; SILICA; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

LOCALIZED OXIDATION OF SILICON; PLASMA INDUCED DAMAGE;

SILICON NITRIDE;

EID: 0033906631     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1393331     Document Type: Article

References (34)

1. S. Wolf, Silicon Processing for VLS1 ERA, Vol. 3: The Submicron MOSFET. Lattice Press, CA (1995).
2. S. Isomae, Y. Mamaki, A. Yagima, M. Nomba, and M. Maki, J. Electrochem. Soc., 126, 1014 (1979).
3. W. Hartmann and G. Franz, Appl. Phys. Lett., 37, 1004 (1980).
4. S. Isomae and Y. Tamaki, J. Electrochem. Soc., 144, 340 (1997).
5. A. Henry, O. Awadelkarim, B. Monemar, J. L. Lindström, T. D. Bestwick. and G. S. Oehrlein, J. Electrochem. Soc., 138, 1138 (1991).
6. H. Weman, J. L. Lindström, G. S. Oehrlein, and B. G. Svensson, J. Appl. Phys., 67, 1013 (1990).
7. A. Henry, B. Monemar, J. L. Lindström, T. D. Bestwick, and G. S. Oehrlein, J. Appl. Phys., 70, 5597 (1991).
8. I. A. Buyanova, A. Henry, B. Monemar, J. L. Lindström, and G. S. Oehrlein, J. Appl. Phys., 78, 3348 (1995).
9. J. Weber, R. J. Davis, H. U. Habermeir, W. D. Sawyer, and M. Singh, Appl. Phys. A. 41, 175 (1986).
10. G. S. Oehrlein, S. W. Robey, and J. L. Lindström, Appl. Phys. Lett., 51, 1170 (1988).
11. T. C. Mele, J. Mulman, and J. P. Krusinus, J. Vac. Sci. Technol. B, 2, 684 (1984).
12. Y. Kuo, J. Electrochem. Soc., 137, 1235 (1990).
13. J. L. Lindström, G. S. Oehrlein, and W. A. Lanford, J. Electrochem. Soc. 139, 317 (1992).
14. B. E. E. Kastenmeier, P. J. Matsuo, J. J. Beulens, and G. S. Oehrlein, J. Vac. Sci. Technol. A, 14, 2802 (1996).
15. X. Zhang, G. S. Oehrlein, and F. H. Bell. J. Vac. Sci. Technol. A, 14, 2127 (1996).
16. O. Joubert, G. S. Oehrlein, and Y. Zhang, J. Vac. Sci. Technol. A. 12, 658 (1994).
17. K. H. R. Kirmse, A. E. Wendt, S. B. Disch, J. Z. Wu, I. C. Abraham, J. A. Meyer, R. A. Breun, and R. Claude Woods, J. Vac. Sci. Technol. A. 14, 710 (1996).
18. T. Shirafuji, W. W. Stoffels, H. Moroguchi, and K. Tachibana, J. Vac. Sci. Technol. A. 15, 209 (1997).
19. Y. X. Li, P. J. French, and R. F. Wolffenbuttel, J. Vac. Sci. Technol. B, 13, 2008 (1995).
20. A. K. Dutta, J. Vac. Sci. Technol. B. 13, 1456 (1995).
21. J. Givens, S. Geissler, J. Lee, O. Cain, J. Marks, P. Keswick, and C. Cunningham, J. Vac. Sci. Technol. B, 12, 427 (1994).
22. S. Fang, C. Chiang, D. Fraser, B. Lee, P. Keswick, M. Chang, and K. Fung, J. Vac. Sci. Technol. A, 14, 1092 (1996).
23. G. S. Oehrlein, Y. Zhang, D. Vender, and O. Joubert, J. Vac. Sci. Technol. A, 12, 333 (1994).
24. G. S. Oehrlein, Y. Zhang, D. Vender, and M. Haverlag, J. Vac. Sci. Technol. A, 12, 323 (1994).
25. A. J. Bariya, C. W. Frank, and J. P. McVittie, J. Electrochem. Soc., 137, 2575 (1990).
26. N. R. Rueger, J. J. Beulens, M. Schaepkens, M. F. Doemling, J. M. Mirza, T. E. F. M. Standaert, and G. S. Oehrlein, J. Vac. Sci. Technol. A, 15, 1881 (1997).
27. P. M. Kopalidis and J. Jorne, J. Electrochem. Soc., 139, 839 (1992).
28. P. M. Kopalidis and J. Jorne, J. Electrochem. Soc., 140, 3037 (1993).
29. M. Schäpkens, G. S. Oehrlein, C. Hedlund, L. B. Jonsson, and H.-O. Blom, J. Vac. Sci. Technol. A, 16, 3281 (1998).
30. T. T. Dalton, J. C. Arnold, H. H. Sawin, S. Swan, and D. Corliss, J. Electrochem. Soc., 140, 2395 (1993).
31. M. Schäpkens, T. E. F. M. Stomdärt, N. R. Rüger, P. G. M. Sebel, and G. S. Oeherlein, J. M. Cook, J. Vac: Sci. Technol. A, 17, 26 (1999).
32. J. H. Ye, P. C. Lee, and M. S. Zhou, in Plasma Processing XII, G. S. Mathad, D. Misra, and K. B. Sundaran, Editors, PV 98-4, p. 189, The Electrochemical Society Proceedings Series, Pennington, NJ (1998).
33. G. S. Oehrlein, J. Vac. Sci. Technol. A, 11, 24 (1993).
34. M. Miyashita, T. Tusga, K. Makihara, and T. Ohmi, J. Electrochem. Soc., 139, 526 (1992).