Chemical dry etching of silicon nitride and silicon dioxide using CF4/O2/N2 gas mixtures

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films

Volumn 14, Issue 5, 1996, Pages 2802-2813

  Kastenmeier, B E E ^a   Matsuo, P J ^a   Beulens, J J ^a   Oehrlein, G S ^a  

^a STATE UNIVERSITY OF NEW YORK   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0030488976     PISSN: 07342101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.580203     Document Type: Article

References (33)

1. J. M. Cook, Solid State Technol. 30, 147 (1987).
2. C. Boitnott, Solid State Technol. 37, 51 (1994).
3. G. S. Oehrlein and Y. H. Lee, J. Vac. Sci. Technol. A 5, 1585 (1987).
4. Y. H. Lee, G. S. Oehrlein, and C. Ransom, Radiat. Eff. Defects Solids 111, 221 (1989).
5. C. T. Gabriel, J. Vac. Sci. Technol. B 9, 370 (1991).
6. G. S. Oehrlein, Mater. Sci. Eng. B 4, 441 (1989).
7. S. Wolf and R. N. Tauber, Silicon Processing for the VLSI Era (Lattice, Sunset Beach, 1986).
8. G. S. Oehrlein and J. F. Rembetski, IBM J. Res. Devel. 36, 140 (1992).
9. J. A. Appels, E. Kool, M. M. Paffen, J. J. H. Schatorje, and W. H. C. G. Verkuylen, Philips Res. Rep. 25, 118 (1970).
10. C. J. Mogab, A. C. Adams, and D. L. Flamm, J. Appl. Phys. 49, 3796 (1978).
11. G. S. Oehrlein, S. W. Robey, and J. L. Lindstroem, Appl. Phys. Lett. 52, 1170 (1988).
12. Y. Horiike and M. Shibagaki, in Semiconductor Silicon 1977, edited by H. R. Huff and E. Sirtl (Materials Research Society, Pittsburgh, PA, 1977), p. 1071.
13. N. Hayasaka, H. Okano, and Y. Horiike, Solid State Technol. 31, 127 (1988).
14. H. F. Winters, J. W. Coburn, and T. J. Chuang, J. Vac. Sci. Technol. B 1, 469 (1983).
15. H. F. Winters and I. C. Plumb, J. Vac. Sci. Technol. B 9, 197 (1991).
16. M. Kojima, H. Kato, and M. Gatto, J. Appl. Phys. 75, 7507 (1994).
17. T. C. Mele, J. Nulman, and J. P. Krusius, J. Vac. Sci. Technol. B 2, 684 (1984).
18. Y. Kuo, J. Electrochem. Soc. 137, 1235 (1990).
19. J. L. Lindstroem, G. S. Oehrlein, and W. A. Lanford, J. Electrochem. Soc. 139, 317 (1992).
20. P. J. Matsuo, B. E. E. Kastenmeier, J. J. Beulens, and G. S. Oehrlein, J. Vac. Sci. Technol. A (to be published).
21. G. S. Oehrlein, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 34 (1993).
22. G. S. Oehrlein, G. M. W. Kroesen, and J. L. Lindstroem, J. Vac. Sci. Technol. A 10, 3092 (1992).
23. V. M. Donnelly, D. L. Flamm, W. C. Dautermont-Smith, and D. J. Werder, J. Appl. Phys. 55, 242 (1984).
24. J. W. Coburn and M. Chen, J. Vac. Sci. Technol. 18, 353 (1981).
25. J. W. Coburn and M. Chen, J. Appl. Phys. 51, 3134 (1980).
26. R. d'Agostino, F. Cramarossa, S. DeBenedictis, and G. Ferraro, J. Appl. Phys. 52, 3134 (1981).
27. R. E. Walkup, K. L. Saenger, and G. S. Selwyn, J. Chem. Phys. 84, 2668 (1986).
28. F. Kaufman and J. R. Kelso, J. Chem. Phys. 32, 301 (1960).
29. Transpector® AGM product information brochure, Leybold Inficon, Inc. 1994.
30. J. J. Beulens, N. Rueger, M. Schaepkens, and G. S. Oehrlein, J. Vac. Sci. Technol. A (to be published).
31. R. A. Young and R. L. Sharpless, J. Chem. Phys. 39, 1071 (1963).
32. F. Kaufman, Prog. Reaction Kin. 1, 1 (1961).
33. G. R. Moehlmann and F. J. d. Heer, Chem. Phys. Lett. 49, 588 (1977).