Effects of Ti-capping on formation and stability of Co silicide. I. Solid phase reaction of Ti to Co/Si system

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 147, Issue 1, 2000, Pages 373-380

  Sohn, Dong Kyun ^a,b   Park, Ji Soo ^a   Park, Jin Won ^a  

^a Research and Development Division   (South Korea)

^b Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AGGLOMERATION; COBALT COMPOUNDS; GRAIN BOUNDARIES; INTERDIFFUSION (SOLIDS); PHASE TRANSITIONS; POLYCRYSTALLINE MATERIALS; SUBSTRATES; THERMODYNAMIC STABILITY; TITANIUM;

CAPACITANCE-VOLTAGE MEASUREMENTS; TIME-DEPENDENT DIELECTRIC BREAKDOWN;

SEMICONDUCTOR JUNCTIONS;

EID: 0033887831     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1393203     Document Type: Article

References (34)

1. K. K. Ng and W. T. Lynch, IEEE Trans. Electron Devices, ED-34, 503 (1987).
2. J. B. Lasky, J. S. Nakos, O. J. Cain, and P. J. Geiss, IEEE Trans. Electron Devices, ED-38, 262 (1991).
3. T. Ohguro, S. Nakamura, M. Koike, T. Morimoto, A. Nishiyama, Y. Ushiku, T. Yoshitomi, M. Ono, M. Saito, and H. Iwai, IEEE Trans. Electron Devices, ED-41, 2305 (1994).
4. K. Maex, R. F. De Keersmaecker, G. Ghosh, L. Delaeym, and V. Probst, J. Appl. Phys., 66, 5327 (1989).
5. R. Beyers, D. Coulman, and P. Merchant, J. Appl. Phys., 61, 5110 (1987).
6. I. Sakai, H. Abiko, H. Kawaguchi, T. Hirayama, L. E. G. Johansson, and K. Okabe, Tech. Dig. Int. Symp. VLSI Tech., 66 (1992).
7. Q. Xu, and C. Hu, IEEE Trans. Electron Devices, ED-45, 2002 (1998).
8. K. Fujii, K. Kikuta, K. Inoue, K. Mikagi, S. Chikaki, and T. Kikkawa, Tech. Dig. Int. Electron. Devices Meet., 451 (1996).
9. K. Maex, Mater. Sci. Eng: R, 11, 53 (1993).
10. T. Yamazaki, K. Goto, T. Fukano, Y. Nara, T. Sugii, and T. Ito, Tech. Dig. Int. Electron. Devices Meet., 906 (1993).
11. K. Goto, A. Fushida, J. Watanabe, T. Sukegawa, K Kawamura, T. Yamazaki, and T. Sugii, Tech. Dig. Int. Electron. Devices Meet., 449 (1995).
12. Q. Z. Hong, W. T. Shiau, H. Yang, J. A. Kittle, C. P. Chao, H. L. Tsai, S. Krishnan, I. C. Chen, and R. H. Havemann, Tech. Dig. Int. Electron. Devices Meet., 107 (1997).
13. J.-S. Park, D. K. Sohn, Y. Kim, J.-U. Bae, B. H. Lee, J. S. Byun, and J. J. Kim, Appl. Phys. Lett., 73, 2284 (1998).
14. M. L. A. Dass, D. B. Fraser, and C. S. Wei, Appl. Phys. Lett., 58, 1308 (1991).
15. F. Hong and G. A. Rozgonyi, J. Electrochem. Soc., 141, 3480 (1994).
16. A. Vontomme, M.-A. Nicolet, G. Bai, and D. B. Fraser, Appl. Phys. Lett., 62, 243 (1993).
17. P. Liu, B.-Z. Li, Z. Sun, Z.-G. Gu, W.-N. Huang, Z.-Y. Zhou, R.-S. Ni, C.-L. Lin, S.-C. Zou, F. Hong, and G. A. Rozgonyi, J. Appl. Phys., 74, 1700 (1993).
18. G. B. Kim, J. S. Kwak, H. K. Baik, and S. M. Lee, J. Appl. Phys., 82, 2323 (1997).
19. T. Iinuma, H. Akutsu, K. Ohuchi, K. Miyashita, Y. Toyoshima, and K. Suguro, Tech. Dig. Int. Symp. VLSI Tech., 188 (1998).
20. R. T. Tung, Appl. Phys. Lett., 68, 3461 (1996).
21. H. S. Rhee, T. W. Jang, and B. T. Ahn, Appl. Phys. Lett., 74, 1003 (1999).
22. J. S. Byun, J. M. Seon, J. W. Park, H. Hwang, and J. J. Kim, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 402, 167 (1996).
23. R. T. Tung and F. Schrey, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 402, 173 (1996).
24. J.-S. Park, J. S. Byun, D. K. Sohn, B. H. Lee, J. W. Park, and J. J. Kim, J. Electrochem. Soc., 145, 3585 (1998).
25. D. K. Sohn, J.-S. Park, B. H. Lee, J.-U. Bae, J. S. Byun, and J. J. Kim, Appl. Phys. Lett., 73, 2302 (1998).
26. Q. F. Wang, K. Maex, S. Kubicek, R. Jonckheere, B. Kerkwijk, R. Berbeeck, S. Biesemans, and K. De Meyer, Tech. Dig. Int. Symp. VLSI Tech., 17 (1995).
27. P. Liu, B.-Z. Li, Z. Sun, Z.-G. Gu, W.-N. Huang, Z.-Y. Zhou, R.-S. Ni, C.-L. Lin, S.-C. Zou, F. Hong, and G. A. Rozgonyi, J. Appl. Phys., 74, 1700 (1993).
28. A. Vantomme, M.-A. Nicolet, and N. D. Theodore, J. Appl. Phys., 75, 3882 (1994).
29. S. Pramanick, Yu. N. Erokhin, B. K. Patnaik, and G. A. Rozgonyi, Appl. Phys. Lett., 63, 1933 (1993).
30. S. L. Hsia, T. Y. Tan, P. Smith, and G. E. McGuire, J. Appl. Phys., 72, 1864 (1992).
31. J. P. Gambino, E. G. Colgan, A. G. Domenicucci, and B. Cunningham, J. Electrochem. Soc., 145, 1384 (1998).
32. T. P. Nolan, R, Sinclair, and R. Beyers, J. Appl. Phys., 71, 720 (1992).
33. C. L. Huang and N. D. Arora, IEEE Trans. Electron Devices, ED-40, 1330 (1993).
34. D. K. Sohn, J.-S. Park, B. H. Lee, J.-U. Bae, K. S. Oh, S. K. Lee, J. S. Byun, and J. J. Kim, Tech. Dig. Int. Electron. Devices Meet., 1005 (1998).