The influence of the p-n junction induced electric field on the optical properties of InGaN/GaN/AIGaN light emitting diode

Applied Physics Letters

Volumn 74, Issue 10, 1999, Pages 1376-1378

  Wang, T ^a   Sugahara, T ^a   Sakai, S ^a   Orton, J ^a  

^a UNIVERSITY OF TOKUSHIMA   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRIC FIELD EFFECTS; HETEROJUNCTIONS; LIGHT EMISSION; OPTICAL PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; PIEZOELECTRICITY; SEMICONDUCTING ALUMINUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS; THERMAL EFFECTS;

BAND GAP; EMISSION ENERGY; QUANTUM CONFINED STARK EFFECT; RED SHIFT;

LIGHT EMITTING DIODES;

EID: 0033535226     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.123555     Document Type: Article

References (23)

1. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L1568 (1997).
2. D. A. B. Miller, D. S. Chemla, T. C. Damen, A. C. Gossard, W. Wiegmann, T. H. Woodand, and C. A. Burrus, Phys. Rev. B 32, 1043 (1985).
3. D. A. B. Miller, D. S. Chemla, T. C. Damen, A. C. Gossard, W. Wiegmann, T. H. Woodand, and C. A. Burrus, Phys. Rev. Lett. 26, 2173 (1984).
4. T. Wang, D. Nakagawa, J. Wang, T. Sugahara, and S. Sakai, Appl. Phys. Lett. 73, 3571 (1998).
5. T. Takeuchi, S. Sota, M. Katsuragawa, M. Komori, H. Takeuch, H. Amano, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L177 (1997).
6. M. B. Nardelli, K. Rapcewicz, and J. Bernhoc, Appl. Phys. Lett. 71, 3135 (1997).
7. P. Perlin, C. Kisielowski, V. Iota, B. A. Weinstein, L. Mattos, N. A. Shapiro, J. Kruger, E. R. Weber, and J. Yang, Appl. Phys. Lett. 73, 2778 (1998).
8. H. Tokunaga, I. Waki, A. Yamaguchi, N. Akutsu, and K. Matsumoto, J. Cryst. Growth 189/190, 519 (1998).
9. T. Wang, T. Sugahara, and S. Sakai, IEICE Technical Report 98, 67 (1998).
10. R. Singh, D. Doppalapudi, and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 69, 2388 (1996).
11. Y. Narukawa, Y. Kawakami, M. Funato, S. Fujita, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 70, 981 (1997).
12. S. Chichibu, K. Wada, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 69, 4188 (1996).
13. Y. Narukawa, Y. Kawakami, M. Funato, S. Fujita, and S. Nakamura, Phys. Rev. B 55, R1938 (1997).
14. C. K. Sun, S. Keller, T. C. Chiu, G. Wang, M. S. Minsky, J. E. Bowers, and S. P. DenBarrs, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 3, 731 (1997).
15. M. Smith, J. Y. Lin, H. X. Jiang, A. Khan, Q. Chen, A. Salvador, A. Botchkarev, W. Kim, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 70, 2882 (1997).
16. P. G. Eliseev, P. Perlin, J. Lee, and M. Osinski, Appl. Phys. Lett. 71, 569 (1997).
17. T. Takeuchi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L382 (1997).
18. E. S. Jeon, V. Kozlov, Y. K. Yong, A. Vertikov, M. Kuball, A. V. Nurmikko, H. Liu, C. Chen, R. S. Kern, C. P. Kuo, and M. G. Craford, Appl. Phys. Lett. 69, 4194 (1996).
19. M. Smith, G. D. Chen, J. Y. Lin, H. X. Jiang, M. A. Khan, and Q. Chen, Appl. Phys. Lett. 69, 2837 (1997).
20. S. Keller, B. P. Keller, D. Kapolnek, A. C. Abare, H. Masui, L. A. Coldren, U. K. Mishra, and S. P. DenBarrs, Appl. Phys. Lett. 68, 3147 (1996).
21. E. L. Piner, M. K. Behbehani, N. A. El-Masry, J. C. Roberts, F. G. McIntosh, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 70, 461 (1997).
22. A. Statake, Y. Masmoto, T. Miyajima, T. Asatsuma, F. Nakamura, and M. Ikeda, Phys. Rev. B 57, R2041 (1998).
23. B. K. Ridley, Phys. Rev. B 41, 12190 (1990).