A High-Temperature Thermodynamic Model for Metalorganic Vapor Phase Epitaxial Growth of InGaN

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers

Volumn 38, Issue 9 A, 1999, Pages 4958-4961

  Ou, Jehn ^a   Pan, Yung Chung ^b   Lee, Wen Hsiung ^a   Shu, Chen Ke ^b   Lin, Heng Ching ^a   Lee, Ming Chih ^b   Chen, Wen Hsiung ^a   Cluang, Chung I ^b   Chano, Horng ^a   Chen, Wei Kuo ^b  

^a NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b CHUNG SHAN INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY   (Taiwan)

Author keywords

High temperature parameter; Ingan; MOVPE; Thermodynamic analysis

Indexed keywords

COMPOSITION EFFECTS; MATHEMATICAL MODELS; METALLORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY; SEMICONDUCTOR GROWTH; THERMAL EFFECTS; THERMODYNAMICS;

INDIUM GALLIUM NITRIDE;

SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS;

EID: 0033323496     PISSN: 00214922     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/jjap.38.4958     Document Type: Article

References (26)

1. T. Maisuoka, H. Tanaka, T. Sasaki and A. Kalsui: Inst. Phys. Conf. Ser. 106(1989) 141.
2. S. Nakamura, M. Scnoh and T. Mukai: Jpn. J. Appl. Phys 32 (1993) L8.
3. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa and S. Nagahama: Jpn. J. Appl. Phys. 34(1995)L797.
4. H. Morkoc, S. Strite, G. B. Gao, M. E. Lin, B. Sverdlov and M. Burns: J. Appl. Phys. 76 (1994) 1363.
5. S. Keller, B. P. Keller, D. Kapolnek, U. K. Mishra, S. P. DenBaars, I. K. Shmagin, R. M. Kolbas and S. Krishnankutty: J. Cryst. Growth 170 (1997) 349.
6. S. M. Bcdair, F. G. McIntosh, J. C. Roberts, E. L. Finer, K. S. Boutros and N. A. El-Masry: J. Cryst. Growth 178 (1997) 32.
7. O. Kubaschewsi, E. L. Evans and C. B. Aecock: Meiatturgical Thermochemistry (Pergamon, Oxford, 1967) 4th éd.
8. F. Scholz, V. Härle, H. Bolat, F. Steuber, B. Kaufmann, G. Reyher, A. Dornen, O. Gfrörcr, S.-J. Im and A. Hanglciter: Solid State Electron. 41(1997)141.
9. C. J. Sun, J. W. Yang, Q. Chen, B. W. Lim, M. Z. Anwar, M. A. Khan, H. Temkin, D. Weismarm and I. Brenner: Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 668.
10. H. Lu, M. Thothathiri, Z. Wu and I. Bhat: J. Electron. Mater. 26 (1997) 281.
11. W. K. Chen, Y. C. Pan, H. C. Lin, J. Ou, W. H. Chen and M. C. Lee: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) L1625.
12. T. Matsuoka, N. Yoshimoto, T. Sasaki and A. Katsui: J. Electron. Mater. 21 (1992) 157.
13. W. Van der Stricht, I. Moerman, P. Demeestcr, L. Considine, E. J. Thrush and J. A. Crawley: MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 2 (1997) 16.
14. H. C. Lin, C. K. Shu, J. Ou, Y. C. Pan, W. K. Chen, W. H. Chcn and M. C. Lee: J. Cryst. Growth 189/190 (1998) 57.
15. A. Koukitu, T. Suzuki and H. Seki: J. Cryst. Growth 74 (1986) 181.
16. G. B. Slringfcllow: J. Cryst. Growth: 62 (1983) 225.
17. W. K. Chen and M. T. Chin: Jpn. J. Appl. Phys. 33 (1994) L1370.
18. T. Fukui and Y. Horikoshi: Jpn. J. Appl. Phys. 19 (1980) L53.
19. H. Seki and A. Koukitu: J. Cryst. Growth 74 (l 986) 172.
20. A. Koukitu, N. Takahasi, T. Taki and H. Seki: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996)L673.
21. A. Koukitu, N. Takahashi, T. Taki and H. Seki: J. Cryst. Growth 170 (1997) 306.
22. A. Koukitu and H. Seki: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) LI638.
23. A. Koukitu, N. Takahasi and H. Seki: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) L1136.
24. I. H. Ho and G. B. Stringfcllow: Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 2701.
25. J. Arthur: J. Appl. Phys.^ (1968) 4032.
26. E. L. Finer, M. K. Bchbchani, N. A. EI-Masry, F. G. Mclntosh, J. C. Roberts, K. S. Boutros and S. M. Bedair: Appl. Phys. Lett. 70 (1997) 461.