Influence of internal polarization fields on the disorder broadening of excitons in (Ir ,Ga)N/GaN quantum wells

Physica Status Solidi (B) Basic Research

Volumn 216, Issue 1, 1999, Pages 419-422

  Mayrock, O ^a   Wunsche H J ^a   Henneberger, F ^a   Brandt, O ^b  

^a HUMBOLDT UNIVERSITY   (Germany)

^b PAUL DRUDE INSTITUT FÜR FESTKÖRPERELEKTRONIK   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0033242948     PISSN: 03701972     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/(sici)1521-3951(199911)216:1<419::aid-pssb419>3.3.co;2-7     Document Type: Article

References (24)

1. F. YANG, M. WILKINSON, E. J. AUSTIN, and K. P. O'DONNELL, Phys. Rev. Lett. 70, 323 (1993).
2. Y.-H. CHO et al., Appl. Phys. Lett. 73, 3181 (1998). M. S. MINSKY et al., Jpn. J. Appl. Phys. 37, L1362 (1998). S. CHICHIBU et al., MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G2.7 (1999).
3. Y.-H. CHO et al., Appl. Phys. Lett. 73, 3181 (1998). M. S. MINSKY et al., Jpn. J. Appl. Phys. 37, L1362 (1998). S. CHICHIBU et al., MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G2.7 (1999).
4. Y.-H. CHO et al., Appl. Phys. Lett. 73, 3181 (1998). M. S. MINSKY et al., Jpn. J. Appl. Phys. 37, L1362 (1998). S. CHICHIBU et al., MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G2.7 (1999).
5. K, O'DONNELL, R. W. MARTIN, and P. G. MIDDLETON, Phys. Rev. Lett. 82, 237 (1999).
6. A. HANGLEITER et al., Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, art. 15 (1998).
7. R. ZIMMERMANN, E, RUNGE, and F. GROSSE, Proc. 23rd ICPS, Berlin, 1996, Vol. 3 (p. 1935).
8. R. P. LEAVITT and J. W. LITTLE, Phys. Rev. B 42, 11774 (1990).
9. R. ZIMMERMANN and E. RUNGE, J. Lum. 60/61, 320 (1994); Proc. SPIE 2139, 280 (1995).
10. R. ZIMMERMANN and E. RUNGE, J. Lum. 60/61, 320 (1994); Proc. SPIE 2139, 280 (1995).
11. F. BERNARDINI et al., Phys. Rev. B 56. R10024 (1997). K. SHIMADA et al., J. Appl. Phys. 84, 4951 (1998). A. D. BYKHOVSKI et al., Appl. Phys. Lett. 68, 818 (1996). G. MARTIN et al., Appl. Phys. Lett. 68, 2541 (1996). T. TAKEUCHI et al., Jpn. J. Appl. Phys. 36, L382 (1997).
12. F. BERNARDINI et al., Phys. Rev. B 56. R10024 (1997). K. SHIMADA et al., J. Appl. Phys. 84, 4951 (1998). A. D. BYKHOVSKI et al., Appl. Phys. Lett. 68, 818 (1996). G. MARTIN et al., Appl. Phys. Lett. 68, 2541 (1996). T. TAKEUCHI et al., Jpn. J. Appl. Phys. 36, L382 (1997).
13. F. BERNARDINI et al., Phys. Rev. B 56. R10024 (1997). K. SHIMADA et al., J. Appl. Phys. 84, 4951 (1998). A. D. BYKHOVSKI et al., Appl. Phys. Lett. 68, 818 (1996). G. MARTIN et al., Appl. Phys. Lett. 68, 2541 (1996). T. TAKEUCHI et al., Jpn. J. Appl. Phys. 36, L382 (1997).
14. F. BERNARDINI et al., Phys. Rev. B 56. R10024 (1997). K. SHIMADA et al., J. Appl. Phys. 84, 4951 (1998). A. D. BYKHOVSKI et al., Appl. Phys. Lett. 68, 818 (1996). G. MARTIN et al., Appl. Phys. Lett. 68, 2541 (1996). T. TAKEUCHI et al., Jpn. J. Appl. Phys. 36, L382 (1997).
15. F. BERNARDINI et al., Phys. Rev. B 56. R10024 (1997). K. SHIMADA et al., J. Appl. Phys. 84, 4951 (1998). A. D. BYKHOVSKI et al., Appl. Phys. Lett. 68, 818 (1996). G. MARTIN et al., Appl. Phys. Lett. 68, 2541 (1996). T. TAKEUCHI et al., Jpn. J. Appl. Phys. 36, L382 (1997).
16. W. SHAN et al., J. Appl. Phys. 84, 4452 (1998). C. WETZEL et al., Appl. Phys. Lett. 73, 1994 (1998). L. T. ROMANO et al., Appl. Phys. Lett. 73, 1757 (1998).
17. W. SHAN et al., J. Appl. Phys. 84, 4452 (1998). C. WETZEL et al., Appl. Phys. Lett. 73, 1994 (1998). L. T. ROMANO et al., Appl. Phys. Lett. 73, 1757 (1998).
18. W. SHAN et al., J. Appl. Phys. 84, 4452 (1998). C. WETZEL et al., Appl. Phys. Lett. 73, 1994 (1998). L. T. ROMANO et al., Appl. Phys. Lett. 73, 1757 (1998).
19. S. NAKAMURA, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 705 (1994). W. SHAN et al., Appl. Phys. Lett. 69, 3315 (1996). A. F. WRIGHT and J. S. NELSON, Appl. Phys. Lett. 66, 3051 (1995). W. R. L. LAMBRECHT, Solid State Electronics 41, 195 (1997). L. BELLAICHE et al., Appl. Phys. Lett. 74. 1842 (1999).
20. S. NAKAMURA, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 705 (1994). W. SHAN et al., Appl. Phys. Lett. 69, 3315 (1996). A. F. WRIGHT and J. S. NELSON, Appl. Phys. Lett. 66, 3051 (1995). W. R. L. LAMBRECHT, Solid State Electronics 41, 195 (1997). L. BELLAICHE et al., Appl. Phys. Lett. 74. 1842 (1999).
21. S. NAKAMURA, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 705 (1994). W. SHAN et al., Appl. Phys. Lett. 69, 3315 (1996). A. F. WRIGHT and J. S. NELSON, Appl. Phys. Lett. 66, 3051 (1995). W. R. L. LAMBRECHT, Solid State Electronics 41, 195 (1997). L. BELLAICHE et al., Appl. Phys. Lett. 74. 1842 (1999).
22. S. NAKAMURA, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 705 (1994). W. SHAN et al., Appl. Phys. Lett. 69, 3315 (1996). A. F. WRIGHT and J. S. NELSON, Appl. Phys. Lett. 66, 3051 (1995). W. R. L. LAMBRECHT, Solid State Electronics 41, 195 (1997). L. BELLAICHE et al., Appl. Phys. Lett. 74. 1842 (1999).
23. S. NAKAMURA, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 705 (1994). W. SHAN et al., Appl. Phys. Lett. 69, 3315 (1996). A. F. WRIGHT and J. S. NELSON, Appl. Phys. Lett. 66, 3051 (1995). W. R. L. LAMBRECHT, Solid State Electronics 41, 195 (1997). L. BELLAICHE et al., Appl. Phys. Lett. 74. 1842 (1999).
24. H. CASTELLA and J. W. WILKINS, Phys. Rev. B 58, 16186 (1998).