Novel GaAs Quantum Wire and Dot Arrays by Hydrogen-Assisted Molecular Beam Epitaxy on High-Index Substrates

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers

Volumn 38, Issue 1 B, 1999, Pages 443-448

  Ploog, Klaus H ^a   Nötzel, Richard ^a  

^a PAUL DRUDE INSTITUT FÜR FESTKÖRPERELEKTRONIK   (Germany)

Author keywords

III V semiconductors molecular beam epitaxy growth kinetics step bunching quantum wires quantum dots

Indexed keywords

HYDROGEN; MOLECULAR BEAM EPITAXY; SEMICONDUCTOR GROWTH; SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS; SEMICONDUCTOR QUANTUM WIRES; SUBSTRATES;

HYDROGEN-ASSISTED MOLECULAR BEAM EPITAXY (MBE);

SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE;

EID: 0032621847     PISSN: 00214922     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.38.443     Document Type: Article

References (23)

1. H. Sakaki: Localization and Confinement of Electrons in Semiconductors, eds. F. Kuchar, H. Heinrich and G. Bauer (Springer, Berlin 1990) Springer Ser. Solid-State Sci. 97 (1990) 2.
2. R. Nötzel, J. Menniger, M. Ramsteiner, H. P. Schönherr, L. Däweritz and K. H. Ploog: Appl Phys. Lett. 68 (1996) 1132.
3. Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) L297.
4. Z. C. Niu, R. Nötzel, H. P. Schönherr, J. Fricke, L. Däweritz and K. H. Ploog: J. Cryst. Growth 187 (1998) 333.
5. R. Nötzel, Z. C. Niu, M. Ramsteiner, H. P. Schönherr, A. Trampert, L. Däweritz and K. H. Ploog: Nature 392 (1998) 56.
6. H. P. Schönherr, J. Fricke, Z. C. Niu, K. J. Friedland, R. Nötzel and K. H. Ploog: Appl. Phys. Lett. 72 (1998) 566
7. R. Nötzel, M. Ramsteiner, J. Menniger, A. Trampert, H. P. Schönherr, L. D Däweritz and K. H. Ploog: J. Appl. Phys. 80 (1996) 4108.
8. A. Richter, G. Behme, M. Süptitz, Ch. Lienau, T. Elsässer, M. Ramsteiner, R. Nötzel and K. H. Ploog: Phys. Rev. Lett. 79 (1997) 2145.
9. R. Nötzel, U. Jahn, Z. C. Niu, A. Trampert, J. Fricke, H. P. Schönherr, T. Kurth, D. Heitmann, L. Däweritz and K. H. Ploog: Appl. Phys. Lett. 72 (1998) 2002.
10. S. Hara, J. Motohisa, T. Fukui and H. Hasegawa: Jpn. J. Appl Phys. 34 (1995) 4401.
11. M. Takeuchi, K. Shiba, K. Sato, H. K. Huang, K. Inoue and H. Nakashima: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) 4411.
12. R. L. Schwoebel: J. Appl. Phys. 40 (1969) 614.
13. Y. Tokura, H. Saito and T. Fukui: J. Cryst. Growth 94 (1989) 1373.
14. R. Nötzel, L. Däweritz and K. H. Ploog: Phys. Rev. B 46 (1992) 4736.
15. Y. Okada, T. Fujita and M. Kawabe: Appl. Phys. Lett. 67 (1995) 676.
16. Y. Morishita, Y. Nomura, S. Goto and Y. Katayama: Appl. Phys. Lett. 67 (1995) 2500.
17. R. Nötzel, M. Ramsteiner, J. Menniger, A. Trampert, H. P. Schönherr, L. Däweritz and K. H. Ploog: 1997 IEEE Int. Symp. Compound. Semicond., eds. M. Melloch and M. A. Reed (IEEE 97th 8272, Inst. Phys. Publ., Bristol, 1998) p. 65.
18. K. J. Friedland, H. P. Schönherr, R. Nötzel and K. H. Ploog: submitted to Phys. Rev. B (1998).
19. R. Nötzel, J. Temmyo and T. Tamamura: Appl. Phys. Lett. 64 (1994) 3557.
20. H. F. Hess, E. Betzig, T. D. Harris, L. N. Pfeiffer and K. W. West: Science 264 (1994) 1740.
21. K. Brunner, G. Abstreiter, G. Böhm, G. Tränkle and G. Weimann: Phys. Rev. Lett. 73 (1994) 1138.
22. D. Gammon, E. S. Snow, B. V. Shanabrook, D. S. Kratzer and D. Park: Science 273 (1996) 87.
23. M. Ramsteiner, R. Hey, R. Klann, U. Jahn, I. Gorbunova and K. H. Ploog: Phys. Rev. B 55 (1997) 5239.