Photoluminescence and photoluminescence excitation spectroscopy of Er-doped Si prepared by laser ablation

Applied Physics Letters

Volumn 75, Issue 1, 1999, Pages 97-99

  Ng, Wai Lek ^b   Temple, M P ^a,b   Childs, P A ^a,b   Wellhofer, F ^a,b   Homewood, K P ^b  

^a UNIVERSITY OF BIRMINGHAM   (United Kingdom)

^b UNIVERSITY OF SURREY   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AMORPHOUS FILMS; DOPING (ADDITIVES); ERBIUM; LASER ABLATION; PHOTOLUMINESCENCE; QUENCHING; SPECTROSCOPIC ANALYSIS; THIN FILMS;

PHOTOLUMINESCENCE EXCITATION SPECTROSCOPY;

AMORPHOUS SILICON;

EID: 0032614216     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.124324     Document Type: Article

References (26)

1. H. Ennen, J. Schneider, G. Pomrenke, and A. Axmann, Appl. Phys. Lett. 43, 943 (1983).
2. H. Ennen, G. Pomrenke, A. Axmann, K. Eisele, and W. Haydl, and J. Schneider, Appl. Phys. Lett. 46, 381 (1985).
3. T. Dejima, R. Saito, S. Yugo, H. Isshiki, and T. Kimura, J. Appl. Phys. 84, 1036 (1998).
4. A. R. Zanatta and L. A. O. Nunes, Appl. Phys. Lett. 71, 3679 (1997).
5. M. Stepikhova, W. Jantsch, G. Kocher, L. Palmetshofer, M. Schoisswohl, and H. J. von Bardeleben, Appl. Phys. Lett. 71, 2975 (1997).
6. C.-X. Du, W.-X. Ni, K. B. Joelsson, and G. V. Hansson, Appl. Phys. Lett. 71, 1023 (1997).
7. M. Matsuoka, and S.-I. Tohno, Appl. Phys. Lett. 71, 96 (1997).
8. L. Tsybeskov, S. P. Duttagupta, K. D. Hirschman, P. M. Fauchet, K. L. Moore, and D. G. Hall, Appl. Phys. Lett. 70, 1790 (1997).
9. O. B. Gusev, A. N. Kuznetsov, E. I. Terukov, M. S. Bresler, V. Kh. Kudoyarova, I. N. Yassievich, P. Zakharchenya, and W. Fuhs, Appl. Phys. Lett. 70, 240 (1997).
10. S. Komuro, S. Maruyama, T. Morikawa, X. Zhao, H. Isshiki, and Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 69, 3896 (1996).
11. G. Franzó, F. Priolo, S. Coffa, A. Polman, and A. Carnera, Appl. Phys. Lett. 64, 2235 (1993).
12. Y. S. Tang, K. C. Heasman, W. P. Gillin, and B. J. Sealy, Appl. Phys. Lett. 55, 432 (1989).
13. S. Coffa, G. Franzó, F. Priolo, A. Pacelli, and A. Lacaita, Appl. Phys. Lett. 73, 93 (1998).
14. P. S. Andry, W. Varhue, F. Ladipo, K. Ahmed, E. Adams, M. Lavoie, P. B. Klein, R. Hengehold, and J. Hunter, J. Appl. Phys. 80, 551 (1996).
15. J. Stimmer, A. Reittinger, J. F. Nützel, G. Abstreiter, H. Holzbrecher, and Ch. Buchal, Appl. Phys. Lett. 68, 3290 (1996).
16. R. Serna, J. Shin, M. Lohmeier, E. Vlieg, and A. Polman, J. Appl. Phys. 79, 2658 (1996).
17. T. Oestereich, C. Swiatkowski, and I. Broser, Appl. Phys. Lett. 56, 446 (1990).
18. S. Lombardo, S. U. Campisano, G. N. van den Hoven, A. Cacciato, and A. Polman, Appl. Phys. Lett. 63, 1942 (1993).
19. G. N. van den Hoven, J. H. Shin, A. Polman, S. Lombardo, and S. U. Campisano, J. Appl. Phys. 78, 2642 (1995).
20. M. S. Bresler, O. B. Gusev, V. Kh. Kudoyarova, A. N. Kuznetsov, P. E. Pak, E. I. Terukov, I. N. Yassievich, B. P. Zahkarchenya, W. Fuhs, and A. Sturm, Appl. Phys. Lett. 67, 3599 (1995).
21. J. H. Shin, Ṙ. Serna, G. N. van den Hoven, A. Polman, W. G. J. H. M. van Sark, and A. M. Vredenberg, Appl. Phys. Lett. 68, 997 (1996).
22. A. R. Zanatta, L. A. O. Nunes, and L. R. Tessler, Appl. Phys. Lett. 70, 511 (1997).
23. J. S. Custer, E. Snoeks, and A. Polman, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 235, 51 (1992).
24. M. A. Lourenço and K. P. Homewood, Semicond. Sci. Technol. 8, 1277 (1993).
25. Y. S. Tang, Z. Jingping, K. C. Heasman, and B. J. Sealy, Solid State Commun. 72, 991 (1989).
26. J. L. Benton, J. Michel, L. C. Kimerling, D. C. Jacobson, Y.-H. Xie, D. J. Eaglesham, E. A. Fitzgerald, and J. M. Poate, J. Appl. Phys. 70, 2667 (1991).