Luminescence quenching in erbium-doped hydrogenated amorphous silicon

Applied Physics Letters

Volumn 68, Issue 7, 1996, Pages 997-999

  Shin, Jung H ^a   Serna, R ^a   Van Den Hoven, G N ^a   Polman, A ^a   Van Sark, W G J H M ^b   Vredenberg, A M ^b  

^a FOM INSTITUTE AMOLF   (Netherlands)

^b UTRECHT UNIVERSITY   (Netherlands)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; CHARGE CARRIERS; DOPING (ADDITIVES); ELECTRON TRANSITIONS; ERBIUM; ION IMPLANTATION; OXYGEN; PHOTOLUMINESCENCE; THERMAL EFFECTS; THIN FILMS;

HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON; LUMINESCENCE EXCITATION; LUMINESCENCE INTENSITY; LUMINESCENCE LIFETIME; LUMINESCENCE QUENCHING; NONRADIATIVE DECAY;

AMORPHOUS SILICON;

EID: 0030084444     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.116124     Document Type: Article

References (15)

1. See, for example, Rare Earth Doped Semiconductors, edited by G. S. Pomrenke, P. B. Klein, and D. W. Langer, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 301 (1993).
2. H. Ennen, J. Schneider, G. Pomrenke, and A. Axmann, Appl. Phys. Lett. AIP 43, 943 (1983).
3. J. Michel, J. L. Benton, R. F. Ferrante, D. C. Jacobson, D. J. Eaglesham, E. A. Fitzgerald, Y. H. Xie, J. M. Poate, and L. C. Kimerling, J. Appl. Phys. AIP 70, 2672 (1991).
4. R. Serna, E. Snoeks, G. N. van den Hoven, and A. Polman, J. Appl. Phys. AIP 75, 2644 (1994).
5. S. Coffa, G. Franzò, F. Priolo, A. Polman, and R. Serna, Phys. Rev. B AIP 49, 16313 (1994).
6. G. Franzò, F. Priolo, S. Coffa, A. Polman, and A. Carnera, Appl. Phys. Lett. AIP 64, 2235 (1994).
7. B. Zhen, J. Michel, F. Y. G. Ren, L. C. Kimerling, D. C. Jacobson, and J. M. Poate, Appl. Phys. Lett. AIP 64, 2842 (1994).
8. D. J. Eaglesham, J. Michel, E. A. Fitzgerald, D. C. Jacobson, J. M. Poate, J. L. Benton, A. Polman, Y.-H. Xie, and L. C. Kimerling, Appl. Phys. Lett. AIP 58, 2797 (1991).
9. A. Polman, G. N. Van den Hoven, J. S. Custer, J. H. Shin, R. Serna, and P. F. A. Alkemade, J. Appl. Phys. AIP 77, 1256 (1995).
10. F. Priolo, G. Franzò, S. Coffa, A. Polman, S. Libertino, R. Barklie, and D. Carey, J. Appl. Phys. AIP 78, 3874 (1995).
11. J. S. Custer, E. Snoeks, and A. Polman, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. INS 235, 51 (1992).
12. G. N. van den Hoven, Jung H. Shin, A. Polman, S. Lombardo, and S. U. Campisano, J. Appl. Phys. AIP 78, 2642 (1995).
13. S. Lombardo, S. U. Campisano, G. N. van den Hoven, and A. Polman, J. Appl. Phys. AIP 77, 6504 (1995).
14. D. L. Adler, D. C. Jacobson, D. J. Eaglesham, M. A. Marcus, J. L. Benton, J. M. Poate, and P. H. Citrin, Appl. Phys. Lett. AIP 61, 2181 (1992).
15. P. N. Favennec, H. L'Haridon, D. Moutonnet, M. Salvi, and M. Ganneau, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. INS 301, 181 (1993).