Nitridation of thin gate or tunnel oxides by nitric oxide

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 146, Issue 8, 1999, Pages 3058-3064

  Gerardi, C ^a   Zonca, R ^a   Crivelli, B ^a   Alessandri, M ^a  

^a STMICROELECTRONICS   (Italy)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; ATOMIC FORCE MICROSCOPY; CHEMICAL BONDS; ELECTRIC PROPERTIES; ELECTRON TRAPS; INTERFACES (MATERIALS); NITRIDING; NITROGEN OXIDES; OXIDATION; PHYSICAL PROPERTIES; SECONDARY ION MASS SPECTROMETRY; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

CHARGE TRAPPING; ETCH RATE EXPERIMENTS; GATE INJECTION; THIN GATE;

OXIDES;

EID: 0032592407     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1392050     Document Type: Article

References (34)

1. H. Hwang, W. Ting, B. Maiti, D. L. Kwong, and J. Lee, Appl. Phys., Lett., 57, 1010 (1990).
2. E. C. Carr and R. A. Buhrman, Appl. Phys. Lett., 63, 54 (1993).
3. M. Bhat, L. K. Han, D. Wristers, J. Yan, D. L. Kwong, and J. Fulford, Appl. Phys. Lett., 66, 1225 (1995).
4. G. Q. Lo, W. C. Ting, D. K. Shih, and D. L. Kwong, Appl. Phys. Lett., 56, 979 (1990).
5. M. Bhat, G. W. Yoon, J. Kim, D. L. Kwong, M. Arendt, and J. M. White, Appl. Phys. Lett., 64, 2116 (1994).
6. G. W. Yoon, A. B. Joshi, J. Kim, and D.-L. Kwong, IEEE Electron Device Lett., EDL-14, 179 (1993).
7. M. Alessandri, C. Clementi, B. Crivelli, G. Ghidini, F. Pellizzer, F. Martin, M. Imai, and H. Ikegawa, Microelectron. Eng., 36, 211 (1997).
8. D. J. DiMaria, E. Cartier, and D. Arnold, J. Appl. Phys., 73, 3367 (1993).
9. P. M. Lenahan and J. F. Conley, Jr., Appl. Phys. Lett., 71, 3126 (1997).
10. A. B. Joshi, J. Ahn, and D. L. Kwong, IEEE Electron Device Lett., EDL-14, 560 (1993).
11. Z. J. Ma, J. C. Chen, Z. H. Liu, J. T. Crick, Y. C. Cheng, C. Hu, and P. K. Ko, IEEE Electron Device Lett.,. 15, 109 (1994).
12. H. Fang, K. S. Krish, B. J. Gross, C. G. Sodini, J. U. Chung, and D. A. Antoniadis, IEEE Electron Device Lett., EDL-13, 217 (1992).
13. G. Q. Lo and D.-L. Kwong, IEEE Electron Device Lett., EDL-12, 175 (1991).
14. K. A. Ellis and R. A. Buhrman, Appl. Phys. Lett., 68, 1696 (1996).
15. Ph. Tobin, Y. Okada, S. A. Ajuro, V. Lakhtia, W. A. Feil, and R. I. Hegde, J. Appl. Phys., 75, 1811 (1994).
16. E. C. Carr, K. A. Ellis, and R. A. Burhman, Appl. Phys. Lett., 66, 1492 (1995).
17. A. T. Wu, V. Murali, N. Cox, M. R. Frost, B. Triplett, and T. Y. Chan, Appl. Phys. Lett., 55, 1665 (1989).
18. T. Hori, IEEE Trans. Electron Devices, ED-34, 2238 (1987).
19. T. Hori, Gate Dielectrics and MOS ULSIs, Principles, Technology and Applications, Springer Series in Electrophysics, Vol. 34, p. 230, Springer-Verlag, Berlin-Heidelberg (1997).
20. L. K. Han, D. Wristers, J. Yan, M. Bhat, and D. L. Kwong, IEEE Electron Device Lett., 16, 319 (1995).
21. 2 Interface-3, H. Z. Massoud, E. H. Poindexter, and C. R. Helms, Editors, PV 96-1, p. 722 The Electrochemical Society Proceedings Series, Pennington, NJ (1996).
22. Z. H. Lu, S. P. Tay, R. Cao, and P. Pianetta, Appl. Phys. Lett., 67, 2836 (1995).
23. H. C. Lu, E. P. Gusev, T. Gustafsson, E. Garfunkel, M. L. Green, D. Brasen, and L. C. Feldman, Appl. Phys. Lett., 69, 2713 (1996).
24. J. R. Pfiester, L. C. Parrillo, and F. K. Baker, IEEE Electron Device Lett., 11, 247 (1990).
25. J. R. Pfiester, F. K. Baker, T. C. Mele, H.-H. Tseng, Ph. J. Tobin, J. D. Hayden, J. W. Miller, C. D. Gunderson, and L. C. Parrillo, IEEE Trans. Electron Devices, ED-37, 1842 (1990).
26. G. Q. Lo, D. L. Kwong, S. Lee, T. Gustafsson, E. Garfunkel, M. L. Green, D. Brasen, and L. C. Feldman, Appl. Phys. Lett., 69, 2713 (1996); G. Q. Lo, D. L. Kwong, S. Lee, T. Gustafsson, E. Garfunkel, M. L. Green, D. Brasen, and L. C. Feldman, Appl. Phys. Lett., 57, 2573 (1990).
27. G. Q. Lo, D. L. Kwong, S. Lee, T. Gustafsson, E. Garfunkel, M. L. Green, D. Brasen, and L. C. Feldman, Appl. Phys. Lett., 69, 2713 (1996); G. Q. Lo, D. L. Kwong, S. Lee, T. Gustafsson, E. Garfunkel, M. L. Green, D. Brasen, and L. C. Feldman, Appl. Phys. Lett., 57, 2573 (1990).
28. D. Wrister, L. K. Han, T. Chen, H. H. Wang, D. L. Kwong, M. Allen, and J. Fulford, Appl. Phys. Lett., 68, 2094 (1996).
29. T. Aoyama, K. Suzuki, H. Tashiro, Y. Toda, T. Yamazaki, K. Takasaki, and T. Ito, J. Appl. Phys., 77, 417 (1995).
30. 2 Interface-3, H. Z. Massoud, E. H. Poindexter, C. R. Helms, Editors, PV 96-1, p. 200, The Electrochemical Society Proceedings Series, Pennington, NJ (1996).
31. G. Ghidini, M. Tosi, and C. Clementi, Solid-State Electron., 41, 975 (1997).
32. Y. Okada, Ph. J. Tobin, V. Lakhotia, S. A. Ajuria, R. I. Hegde, J. C. Liao, P. P. Rushbrook, and L. J. Arias, Jr., J. Electrochem. Soc., 140, L87 (1993).
33. B. Crivelli, R. Zonca, C. Gerardi, and M. Alessandri, Unpublished.
34. P. C. Zalm, Rep. Prog. Phys., 58, 1321 (1995).