Cleaved cavity stimulated emission from an optically pumped cubic GaN/AlGaN heterostructure grown on GaAs (100) substrate

Applied Physics Letters

Volumn 73, Issue 14, 1998, Pages 1931-1933

  Wu, J ^a   Yaguchi, H ^a   Onabe, K ^a   Shiraki, Y ^b  

^a UNIVERSITY OF TOKYO   (Japan)

^b UNIVERSITY OF TOKYO   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

METALLORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY; OPTICAL PUMPING; PHOTOLUMINESCENCE; SEMICONDUCTING ALUMINUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR GROWTH; STIMULATED EMISSION; SUBSTRATES;

ALUMINUM GALLIUM NITRIDE; GALLIUM NITRIDE;

HETEROJUNCTIONS;

EID: 0032487237     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.122326     Document Type: Article

References (24)

1. S. Nakamuar, T. Mukai, and M. Senoh, Appl. Phys. Lett. 64, 1678 (1994).
2. R. Dingle, K. L. Shaklee, R. F. Leheny, and R. B. Zetterstrom, Appl. Phys. Lett. 19, 5 (1971).
3. M. A. Khan, D. T. Olson, J. M. Van Hove, and J. N. Kuznia, Appl. Phys. Lett. 58, 1515 (1991).
4. H. Amano, T. Tanaka, Y. Kunii, K. Kato, S. T. Kim, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 64, 1377 (1994).
5. X. H. Yang, T. J. Schmidt, W. Shan, J. J. Song, and B. Goldenberg, Appl. Phys. Lett. 66, 1 (1995).
6. R. L. Aggarwal, P. A. Maki, R. J. Molnar, Z. L. Liau, and I. Melngailis, Appl. Phys. Lett. 79, 2148 (1995).
7. J. M. Redwing, D. A. S. Loeber, N. G. Anderson, M. A. Tischler, and J. S. Flynn, Appl. Phys. Lett. 69, 1 (1996).
8. M. A. Khan, C. J. Sun, J. W. Yang, Q. Chen, B. W. Lim, M. Z. Anwar, A. Osinsky, and H. Temkin, Appl. Phys. Lett. 69, 2418 (1996).
9. X. Zhang, P. Kung, A. Saxler, D. Walker, and M. Razeghi, J. Appl. Phys. 80, 6544 (1996).
10. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, and Y. Sugimoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 35, L74 (1996).
11. J. I. Pankove, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 162, 515 (1990).
12. D. Ahn and S. H. Park, Appl. Phys. Lett. 69, 3303 (1996).
13. M. Mizuta, S. Fujieda, and Y. Matsumoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 25, L945 (1986).
14. S. Miyoshi, K. Onabe, N. Ohkouchi, H. Yaguchi, R. Ito, S. Fukatsu, and Y. Shiraki, J. Cryst. Growth 124, 439 (1992).
15. J. Wu, H. Yaguchi, K. Onabe, R. Ito, and Y. Shiraki, Appl. Phys. Lett. 71, 2067 (1997).
16. M. J. Paisley, Z. Sitar, J. B. Posthill, and R. F. Davis, J. Vac. Sci. Technol. A 7, 701 (1989).
17. S. Strite, J. Ruan, Z. Li, A. Salvador, H. Chen, D. J. Smith, W. J. Choyke, and H. Morkoç, J. Vac. Sci. Technol. B 9, 1924 (1991).
18. H. Okumura, S. Misawa, T. Okahisa, and S. Yoshida, J. Cryst. Growth 136, 361 (1994).
19. J. Menniger, U. Jahn, O. Brandt, H. Yang, and K. Ploog, Phys. Rev. B 53, 1881 (1996).
20. A. Nakadaira and H. Tanaka, Appl. Phys. Lett. 70, 2720 (1997).
21. J. R. Mullhauser, B. Jenichen, M. Wassermeier, O. Brandt, and K. H. Ploog, Appl. Phys. Lett. 71, 909 (1997).
22. R. Klann, O. Brandt, H. Yang, H. T. Grahn, and K. H. Ploog, Appl. Phys. Lett. 70, 1076 (1997).
23. A. Nakadaira and H. Tanaka, Appl. Phys. Lett. 71, 812 (1997).
24. J. Wu, H. Yaguchi, H. Nagasawa, Y. Yamaguchi, K. Onabe, Y. Shiraki, and R. Ito, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 4241 (1997).