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Volumn 71, Issue 7, 1997, Pages 909-911

Characterization of zinc blende InxGa1-xN grown by radio frequency plasma assisted molecular beam epitaxy on GaAs (001)

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EID: 0037896270     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.119685     Document Type: Article
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References (20)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.