Surface, Pore Morphology, and Optical Properties of Porous 4H-SiC

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 148, Issue 6, 2001, Pages

  Zangooie, S ^a   Arwin, H ^b  

^a UNIVERSITY OF NEBRASKA LINCOLN   (United States)

^b LINKÖPING UNIVERSITY   (Sweden)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0013324971     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1368109     Document Type: Article

References (27)

1. G. L. Harris, in Properties of Silicon Carbide, G. L. Harris, Editor. INSPEC, London (1995).
2. J. S. Shor. I. Grimberg, B-Z. Weiss, and B. D. Kurtz, Appl. Phys. Lett., 62, 2836 (1993).
3. A. Takazawa, T. Tamura, and M. Yamada, Jpn. J. Appl Phys., 32, 3148 (1993).
4. T. Matsumato, J. Takahashi, T. Tamaki, T. Futaki, H. Mimura, and Y. Kanemitsu, Appl. Phys. Lett., 64, 226 (1994).
5. A. O. Konstantinov, C. I. Harris, and E. Janzen, Appl. Phys. Lett., 65, 2699 (1994).
6. R. L. Smith and S. D. Collins, J. Appl. Phys., 71, R1 (1992).
7. W. Shin, T. Hikosaka, W. S. Seo. H. S. Ahn, N. Sawaki, and K. Koumoto, J. Electrochem. Soc., 145, 2456 (1998).
8. A. O. Konstantinov, A. Henry, C. Harris, and E. Janzén, Appl. Phys. Lett., 66, 2250 (1995).
9. J. S. Shore, L. Bemis, A. D. Kurtz, I. Grimberg, B. Z. Weiss, M. F. MacMillian, and W. J. Choyke, J. Appl. Phys. 76, 4045 (1994).
10. H. Mimura, T. Matsumoto, and Y. Kanemitsu, Appl. Phys. Lett., 65, 3350 (1995).
11. W. J. Schaffer, G. H. Negley, K. G. Irvin, and J. W. Palmour, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 339, 595 (1994).
12. W. Si, M. Dudley, R. Glass, V. Tsvetkov, and C. Carter, Jr., J. Electron. Mater., 26, 128 (1997).
13. J. Heindl, W. Dorsch, R. Eckstein, D. Hofmann, T. Marek, St. G. Müller, H. P. Strunk, and A. Winnacker, J. Cryst. Growth, 179, 510 (1997).
14. M. Tuominen, R. Yakimova, R. C. Glass, T. Tuomi, and E. Janzén, J. Cryst. Growth. 144, 267 (1994).
15. W. Shin, W. Seo, O. Takai, and K. Koumoto, J. Electron. Mater., 27, 304 (1998).
16. A. M. Danishevskii, M. V. Zamoryanskaya, A. A. Sitnikova, V. B. Shuman, and A. A. Suvorova, Semicond. Sci. Technol., 13, 1111 (1998).
17. S. F. Chuang, S. D. Collins, and R. L. Smith, Appl. Phys. Lett., 55, 675 (1989).
18. P. Schmuki, J. Fraser, C. M. Vitus, M. J. Graham, and H. S. Isaacs, J. Elecrochem. Soc. 143, 3316 (1996).
19. G. Oskam, A. Natarajan, P. C. Searson, and F. M. Ross, Appl. Surf. Sci., 119, 160 (1997).
20. S. Billat, M. Thönissen, R. Arens-Fischer, M. G. Berger, M. Krüger, and H. Lüth, Thin Solid Films, 297, 22 (1997).
21. M. Thönissen, M. G. Berger, S. Billat, R. Arens-Fischer, M. Krüger, H. Lüth, W. Theiß, S. Hillbrich, P. Grosse, G. Lorendel, and U. Frotscher, Thin Solid Films, 297, 92 (1997).
22. D. E. Aspnes, Thin Solid Films, 89, 249 (1982).
23. W. A. McGahan, B. D. Jobs, and J. A. Woollam, Thin Solid Films, 234, 443 (1993).
24. S. Zollner, J. G. Chen, E. Duda, T. Wetteroth, S. R. Wilson, and J. N. Hilfiker, J. Appl. Phys., 85, 8353 (1999).
25. E. D. Palik, Handbook of Optical Constants of Solids II. p. 449. Academic Press, San Diego (1991).
26. C. M. Herzinger, B. Jobs, W. A. McGahan, J. A. Woollam, and W. Paulson, J. Appl. Phys., 83, 3323 (1998).
27. S. Zangooie, R. Jansson, and H. Arwin, J. Appl. Phys., 86, 850 (1999).