Deep levels in GaAs due to Si δ doping

Journal of Applied Physics

Volumn 88, Issue 11, 2000, Pages 6488-6494

  Hubik P ^a   Kristofik J ^a   Mares J J ^a   Maly J ^a   Hulicius, E ^a   Pangrac J ^a  

^a INSTITUTE OF PHYSICS   (Czech Republic)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0013227672     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1323523     Document Type: Article

References (49)

1. K. Watanabe and H. Yokoyama, Appl. Phys. Lett. 76, 973 (2000).
2. A. Babinski, G. Li, and C. Jagadish, Appl. Phys. Lett. 71, 1664 (1997).
3. J. M. Roberts, J. J. Harris, N. J. Woods, and M. Hopkinson, Superlattices Microstruct. 23, 187 (1998).
4. E. F. Schubert, J. E. Cunningham, W. T. Tsang, and T. H. Chiu, Appl. Phys. Lett. 49, 292 (1984).
5. P. J. Piotrowicz, J. M. England, J. R. Cleaver, C. R. Stanley, and M. C. Holland, Appl. Phys. Lett. 69, 3528 (1996).
6. G. Li, C. Jagadish, M. B. Johnston, and M. Gal, Appl. Phys. Lett. 69, 4218 (1996).
7. T. M. Hsu, W. H. Chang, D. H. Liao, and W. C. Lee, J. Appl. Phys. 84, 1074 (1998).
8. G. Li, N. Hauser, C. Jagadish, J. Antoszewski, and W. Xu, J. Appl. Phys. 79, 8482 (1996).
9. J. M. Shi, P. M. Koenraad, A. F. Stadt, F. M. Peeters, G. A. Farias, J. T. Devreese, J. H. Wolter, and Z. Wilamowski, Phys. Rev. B 55, 13 093 (1997).
10. J. Wagner, A. Fischer, and K. Ploog, Phys. Rev. B 42, 7280 (1990).
11. M. E. Raikh, J. Czingon, Q. Ye, F. Koch, W. Schoepe, and K. Ploog, Phys. Rev. B 45, 6015 (1992).
12. J. J. Mareš, X. Feng, F. Koch, A. Kohl, and J. Krištofik, Phys. Rev. B 50, 5213 (1994).
13. J. J. Mareš, J. Krištofik, and P. Hubík, Solid State Commun. 101, 243 (1997).
14. J. J. Mareš, J. Krištofik, P. Hubík, E. Hulicius, K. Melichar, and J. Pangrác, Phys. Rev. Lett. 80, 4020 (1998).
15. E. F. Schubert, Semiconductors and Semimetals (Academic, London, 1994), Vol. 40, p. 1
16. B. Yavich, P. L. Souza, M. Pamplona-Pires, A. B. Henriques, and L. C. Goncalves, Semicond. Sci. Technol. 12, 481 (1997).
17. D. M. Ritchie, A. Di Paola, M. Tromby, M. Dellagiovanna, M. Di Egidio, and F. Vidimari, J. Cryst. Growth 145, 447 (1994).
18. P. Schmidt and K. Deppert, J. Cryst. Growth 107, 259 (1991).
19. J. Zhu, D. Gong, Z. Bo, F. Lu, C. Sheng, H. Sun, and X. Wang, J. Cryst. Growth 157, 378 (1995).
20. Q. S. Zhu, Z. T. Zhong, L. W. Lu, and C. F. Li, Appl. Phys. Lett. 65, 2425 (1994).
21. S. Arscott, M. Missous, and L. Dobaczewski, Semicond. Sci. Technol. 7, 620 (1992).
22. G. Li and C. Jagadish, Appl. Phys. Lett. 70, 90 (1997).
23. C. Y. Chen, T. Thio, K. L. Wang, K. W. Alt, and P. C. Sharma, Appl. Phys. Lett. 73, 3235 (1998).
24. T. Sauncy, C. P. Palsule, M. Holtz, S. Gangopadhyay, and S. Massie, Phys. Rev. B 53, 1900 (1996).
25. R. C. Newman, Semicond. Sci. Technol. 9, 1749 (1994).
26. K. Agawa, K. Hirakawa, N. Sakamoto, Y. Hashimoto, and T. Ikoma, Appl. Phys. Lett. 65, 1171 (1994).
27. B. Grandidier, D. Stievenard, J. P. Nys, and X. Wallart, Appl. Phys. Lett. 72, 2454 (1998).
28. J. Gebauer, R. Krause-Rehberg, C. Domke, P. Ebert, and K. Urban, Phys. Rev. Lett. 78, 3334 (1997).
29. K. H. Ploog and L. Daweritz, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 34, 691 (1995).
30. H. Fushimi, M. Shinohara, and K. Wada, J. Appl. Phys. 81, 1745 (1997).
31. T. Laine, K. Saarinen, J. Mikinen, P. Hautojarvi, C. Corbel, L. N. Pfeiffer, and P. H. Citrin, Phys. Rev. B 54, R11 050 (1996).
32. D. Stievenard and D. Vuillaume, J. Appl. Phys. 60, 973 (1986).
33. S. P. Wilks, A. E. Cornish, M. Elliott, D. A. Woolf, D. I. Westwood, and R. H. Williams, J. Appl. Phys. 76, 3583 (1994).
34. Y. Takagaki and K. Ploog, J. Phys.: Condens. Matter 7, 731 (1995).
35. D. Pons, J. Appl. Phys. 55, 3644 (1984).
36. H. Lefevre and M. Schulz, Appl. Phys. 12, 45 (1977).
37. G. M. Martin and S. Makram-Ebeid, in Deep Centres in Semiconductors, edited by S. T. Pantelides (Gordon and Breach, New York, 1986), p. 399.
38. G. Q. Hai, N. Studart, and F. M. Peeters, Phys. Rev. B 52, 8363 (1995).
39. J. A. Brum and G. Bastard, Phys. Rev. B 33, 1420 (1986).
40. I. N. Yassievich, K. Schmalz, and M. Beer, Semicond. Sci. Technol. 9, 1763 (1994).
41. K. Schmalz, I. N. Yassievich, K. L. Wang, and S. G. Thomas, Phys. Rev. B 57, 6579 (1998).
42. J. C. Bourgoin, H. J. von Bardeleben, and D. Stievenard, J. Appl. Phys. 64, R65 (1988).
43. R. Yakimova, T. Paskova, and C. Hardalov, J. Appl. Phys. 74, 6170 (1993).
44. R. A. Morrow, J. Appl. Phys. 78, 3843 (1995).
45. H. Tomokage, T. Miyatomo, H. Okushi, and Y. Tokumaru, J. Appl. Phys. 62, 4806 (1987).
46. T. N. Theis, P. M. Mooney, and S. L. Wright, Phys. Rev. Lett. 60, 361 (1988).
47. P. M. Koenraad, F. A. Blom, C. J. Langerak, M. R. Leys, J. A. Perenboom, J. Singleton, S. J. Spermon, W. C. van der Vleuten, A. P. Voncken, and J. H. Wolter, Semicond. Sci. Technol. 5, 861 (1990).
48. A. Zrenner, F. Koch, R. L. Williams, R. A. Stradling, K. Ploog, and G. Weimann, Semicond. Sci. Technol. 3, 1203 (1988).
49. M. I. da Silva, F. Correa, J. C. Bezerra, and A. G. de Oliveira, Solid State Commun. 92, 745 (1994).