Microscopic behavior of silicon in silicon delta-doped layer in GaAs

Applied Physics Letters

Volumn 72, Issue 19, 1998, Pages 2454-2456

  Grandidier, B ^a   Stievenard D ^a   Nys, J P ^a   Wallart, X ^a  

^a Institut Superieur de l'Electronique et du Numerique   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001685054     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.121380     Document Type: Article

References (13)

1. E. F. Schubert, Doping in III-V Semiconductors (Cambridge University Press, Cambridge, 1993).
2. K. Ploog, J. Cryst. Growth 81, 304 (1987).
3. M. B. Johnson, P. M. Koenraad, W. C. van der Vleuten, H. W. M. Salemink, and J. H. Wolter, Phys. Rev. Lett. 75, 1606 (1995).
4. C. Domke, Ph. Ebert, M. Heinrich, and K. Urban, Phys. Rev. B 54, 10288 (1996.)
5. Z. F. Zheng, X. Liu, N. Newman, E. R. Weber, D. F. Ogletree, and M. Salmeron, Phys. Rev. Lett. 72, 1490 (1994).
6. Z. F. Zheng, M. B. Salmeron, and E. R. Weber, Appl. Phys. Lett. 64, 1836 (1994).
7. M. B. Johnson, O. Albrektsen, R. M. Feenstra, and H. W. M. Salemink, Appl. Phys. Lett. 63, 2923 (1993).
8. H. W. M. Salemink, M. B. Johnson, and O. Albrektsen, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 362 (1994).
9. W. G. Spitzer and M. B. Panisch, J. Appl. Phys. 40, 4200 (1969).
10. J. E. Northrup and S. B. Zhang, Phys. Rev. B 47, 6791 (1993).
11. R. W. Jansen and O. F. Sankey, Phys. Rev. B 39, 3192 (1989).
12. Y. G. Chai, R. Chow, and C. E. C. Wood, Appl. Phys. Lett. 39, 800 (1981).
13. M. E. Greiner and J. F. Gibbons, Appl. Phys. Lett. 44, 750 (1984).