The role of interface states in hydrogen-annealing-induced mobile proton generation at the Si-SiO2 interface

Applied Physics Letters

Volumn 76, Issue 21, 2000, Pages 3109-3111

  Vanheusden, K ^a   Devine, R A B ^b,c  

^a AIR FORCE RESEARCH LABORATORY   (United States)

^b ORANGE LABS   (France)

^c UNIVERSITY OF NEW MEXICO   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0012777815     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.126539     Document Type: Article

References (15)

1. K. Vanheusden, W. L. Warren, D. M. Fleetwood, J. R. Schwank, M. R. Shaneyfelt, P. S. Winokur, R. A. B. Devine, and Z. J. Lemnios, Nature (London) 386, 587 (1997).
2. R. E. Stahlbush, R. K. Lawrence, and H. L. Hughes, IEEE Trans. Nucl. Sci. 45, 2398 (1998).
3. W. L. Warren, D. M. Fleetwood, J. R. Schwank, M. R. Shaneyfelt, B. L. Draper, P. S. Winokur, M. G. Knoll, K. Vanheusden, R. A. B. Devine, L. B. Archer, and R. M. Wallace, IEEE Trans. Nucl. Sci. 44, 1789 (1997).
4. S. P. Karna, R. D. Pugh, J. R. Chavez, W. Shedd, C. P. Brothers, B. K. Singaraju, M. Vitiello, G. Pacchioni, and R. A. B. Devine, IEEE Trans. Nucl. Sci. NS-45, 2408 (1998).
5. S. Cristoloveanu and S. Williams, IEEE Electron Device Lett. 13, 102 (1992).
6. N. F. M. Devine, J. Robertson, V. Girault, and R. A. B. Devine (unpublished).
7. K. Vanheusden, D. M. Fleetwood, R. A. B. Devine, and W. L. Warren, Microelectron. Eng. 48, 363 (1999).
8. K. Vanheusden, W. L. Warren, D. M. Fleetwood, J. R. Schwank, M. R. Shaneyfelt, B. L. Draper, P. S. Winokur, R. A. B. Devine, L. B. Archer. G. A. Brown, and R. M. Wallace, Appl. Phys. Lett. 73, 674 (1998).
9. S. M. Myers, G. A. Brown, A. G. Revesz, and H. L. Hughes, J. Appl. Phys. 73, 2196 (1993).
10. S. M. Sze, in Physics of Semiconductor Devices (Wiley, New York, 1981), Chap. 8.
11. K. L. Brower, Phys. Rev. B 42, 3444 (1990).
12. S. Cristoloveanu and S. S. Li, in Electrical Characterization of Silicon-on-Insulator Materials and Devices (Kluwer, Boston, MA, 1995), p. 15.
13. R. A. B. Devine, D. Mathiot, W. L. Warren, D. M. Fleetwood, and B. Aspar. Appl. Phys. Lett. 63, 2926 (1993).
14. A. Stesmans and V. V. Afanas'ev, Appl. Phys. Lett. 72, 2271 (1998).
15. K. Vanheusden, W. L. Warren, R. A. B. Devine, D. M. Fleetwood, J. R. Schwank, P. S. Winokur, and Z. J. Lemnios, in Amorphous and Crystalline Insulating Thin Films, edited by W. L. Warren, R. A. B. Devine, M. Matsumura, S. Cristoloveanu, Y. Homma, and J. Kanicki (Materials Research Society. Pittsburgh, PA, 1997), Vol. 446, p. 187.