Polarization charges and polarization-induced barriers in AlxGa1-xN/GaN and InyGa1-yN/GaN heterostructures

Applied Physics Letters

Volumn 79, Issue 18, 2001, Pages 2916-2918

  Jia, L ^a   Yu, E T ^a   Keogh, D ^a   Asbeck, P M ^a   Miraglia, P ^b   Roskowski, A ^b   Davis, R F ^b  

^a UNIVERSITY OF CALIFORNIA   (United States)

^b North Carolina State University   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0012773046     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1412594     Document Type: Article

References (11)

1. Y. F. Wu, B. P. Keller, P. Fini, S. Keller, T. J. Jenkins, L. T. Kehias, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 19, 50 (1998).
2. S. T. Sheppard, K. Doverspike, W. L. Pribble, S. T. Allen, J. W. Palmour, L. T. Kehias, and T. J. Jenkins, IEEE Electron Device Lett. 20, 161 (1999).
3. G. J. Sullivan, M. Y. Chen, J. A. Higgins, J. W. Yang, Q. Chen, R. L. Pierson, and B. T. McDermott, IEEE Electron Device Lett. 19, 198 (1998).
4. N. X. Nguyen, M. Micovic, W. S. Wong, P. Hashimoto, L. M. McCray, P. Janke, and C. Nguyen, Electron. Lett. 36, 468 (2000).
5. Q. Chen, R. Gaska, M. Asif Khan, M. S. Shur, A. Ping, I. Adesida, J. Burm, W. J. Schaff, and L. F. Eastman, Electron. Lett. 33, 637 (1997).
6. L. S. McCarthy, P. Kozodoy, M. J. W. Rodwell, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 20, 277 (1999).
7. E. T. Yu, X. Z. Dang, L. S. Yu, D. Qiao, P. M. Asbeck, S. S. Lau, G. J. Sullivan, K. S. Boutros, and J. M. Redwing, Appl. Phys. Lett. 73, 1880 (1998).
8. X. Z. Dang, R. J. Welty, D. Qiao, P. M. Asbeck, S. S. Lau, E. T. Yu, K. S. Boutros, and J. M. Redwing, Electron. Lett. 35, 602 (1999).
9. H. Kroemer, W.-Y. Chien, J. S. Harris, Jr., and D. D. Edwall, Appl. Phys. Lett. 36, 295 (1980).
10. H. Kroemer, Appl. Phys. Lett. 46, 504 (1985).
11. E. T. Yu, P. M. Asbeck, S. S. Lau, X. Z. Dang, and G. J. Sullivan, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 1742 (1999).