High-density transition layer in oxynitride interfaces on Si(100)

Applied Physics Letters

Volumn 75, Issue 24, 1999, Pages 3775-3777

  Wang, J ^a,c   Lee, D R ^a   Park, C ^a   Jeong, Y H ^a   Lee, K B ^a   Park, Y J ^a   Youn, S B ^b   Park, J C ^b   Choi, H M ^b   Huh, Y J ^b  

^a Pohang University of Science and Technology (POSTECH)   (South Korea)

^b Hynix Semiconductor Inc   (South Korea)

^c INSTITUTE OF HIGH ENERGY PHYSICS   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0012070657     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.125452     Document Type: Article

References (20)

1. T. Morimoto, H. S. Momose, Y. Ozawa, K. Yamabe, and H. Iwai, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet., 429 (1990).
2. H. Hwang, W. Ting, D. L. Kwong, and J. Lee, Appl. Phys. Lett. 59, 1581 (1991).
3. Z. J. Ma, J. C. Chen, Z. H. Liu, J. T. Krick, Y. C. Cheng, C. Hu, and P. K. Ko, IEEE Electron Device Lett. EDL-15, 109 (1994).
4. T. Aoyama, K. Suzuki, H. Tashiro, Y. Tada, and K. Horiuchi, J. Electrochem. Soc. 145, 689 (1998).
5. H. Hwang, W. Ting, D. L. Kwong, and J. Lee, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet., 421 (1990).
6. S. D. Kosowsky, P. S. Pershan, K. S. Krisch, J. Bevk, M. L. Green, D. Brasen, L. C. Feldman, and P. K. Roy, Appl. Phys. Lett. 70, 3119 (1997).
7. M. L. Green, D. Brasen, K. W. Evans-Lutterodt, L. C. Feldman, K. Krisch, W. Lennard, H.-T. Tang, L. Manchanda, and M.-T. Tang, Appl. Phys. Lett. 65, 848 (1994).
8. S. Banerjee, Y. J. Park, D. R. Lee, Y. H. Jeong, K.-B. Lee, S. B. Yoon, B. H. Jo, H. M. Choi, and W.-J. Cho, Appl. Phys. Lett. 72, 433 (1998).
9. N. Awaji, Y. Sugita, T. Nakanishi, S. Ohkubo, K. Takasaki, and S. Komiya, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 97 (1996).
10. N. Awaji, S. Ohkubo, T. Nakanishi, T. Aoyama, Y. Sugita, K. Takasaki, and S. Komiya. Appl. Phys. Lett. 71, 1954 (1997).
11. L. G. Parratt, Phys. Rev. 95, 359 (1954).
12. L. Nevot and P. Croce, Rev. Phys. Appl. 15, 761 (1980).
13. M. Takahashi, T. Shimura, and J. Harada, J. Phys.: Condens. Matter 5, 6525 (1993).
14. A. Munkholm, S. Brennan, F. Comin, and L. Ortega, Phys. Rev. Lett. 75, 4254 (1995).
15. J. H. Hur, D. R. Lee, and K.-B. Lee (unpublished).
16. Z. H. Lu, S. P. Tay, R. Cao, and P. Pianetta, Appl. Phys. Lett. 67, 2836 (1995).
17. Y. H. Ha, S. Kim, S. Y. Lee, J. H. Kim, D. H. Baek, H. K. Kim, and D. W. Moon, Appl. Phys. Lett. 74, 3510 (1999).
18. M. Navi and S. T. Dunham, Appl. Phys. Lett. 72, 2111 (1998).
19. T. Aoyama, S. Ohkubo, H. Tashiro, Y. Tada, K. Suzuki, and K. Horiuchi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 37, 1244 (1998).
20. D. Wristers, L. K. Han, T. Chen, H. H. Wang, D. L. Kwong, M. Allen, and J. Fulford, Appl. Phys. Lett. 68, 2094 (1996).