Characterization of strained Si/Si1-yCy structures prepared by molecular beam epitaxy

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 16, Issue 3, 1998, Pages 1621-1626

  Joelsson, K B ^a   Ni, W X ^a   Pozina, G ^a   Pettersson, L A A ^a   Hallberg, T ^a   Monemar, B ^a   Hansson, G V ^a  

^a LINKÖPING UNIVERSITY   (Sweden)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0008762323     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (32)

1. A. R. Powell, K. Eberl, B. A. Ek, and S. S. Iyer, J. Cryst. Growth 127, 425 (1993).
2. A. A. Demkov and O. F. Sankey, Phys. Rev. B 48, 2207 (1993).
3. M. Kim and H. J. Osten, J. Appl. Phys. 70, 2702 (1997).
4. K. Brunner. K. Eberl, and W. Winter, Phys. Rev. Lett. 76, 303 (1996).
5. K. Brunner, K. Eberl, W. Winter, and N. Y. Jin-Phillipp, Appl. Phys. Lett. 69, 91 (1996).
6. D. C. Houghton, G. C. Aers, N. L. Rowell, K. Brunner, W. Winter, and K. Eberl, Phys. Rev. Lett. 78, 2441 (1997).
7. F. Namavar and R. A. Soref, J. Appl. Phys. 70, 3370 (1991).
8. H. J. Osten, M. Kim, K. Pressel, and P. Zaumseil, J. Appl. Phys. 80, 6711 (1996).
9. S. Zerlauth, H. Seyringer, C. Penn, and F. Schäffler, Appl. Phys. Lett. 71, 3826 (1997).
10. Z. Atzmon, A. E. Bair, E. J. Jaquez, J. W. Mayer, D. Chandrasekhar, D. J. Smith, R. L. Hervig, and McD. Robinson, Appl. Phys. Lett. 65, 2559 (1994).
11. J. Mi, P. Warren, P. Letourneau, M. Judelewicz, M. Gailhanou, M. Dutoit, C. Dubois, and J. C. Dopuy, Appl. Phys. Lett. 67, 259 (1995).
12. J. W. Strane, S. R. Lee, H. J. Stein, S. T. Picraux, J. K. Watanabe, and J. W. Mayer, J. Appl. Phys. 79, 637 (1996).
13. K. B. Joelsson, W.-X. Ni, G. Pozina, H. H. Radamson, and G. V. Hansson, Appl. Phys. Leu. 71, 653 (1997).
14. W.-X. Ni, J. O. Ekberg, K. B. Joelsson, H. H. Radamson, A. Henry, G.-D. Shen, and G. V. Hansson, J. Cryst. Growth 157, 285 (1995).
15. P. F. Fewster and C. J. Curling, J. Appl. Phys. 62, 4154 (1987).
16. G. V. Hansson, H. H. Radamsson, and W.-X. Ni. J. Mater. Sci. 6, 292 (1995).
17. Z. X. Liu, A. R. Goni, K. Brunner, K. Eberl, and K. Syassen, Phys. Status Solidi B 198, 315 (1996).
18. C. Penn, S. Zerlauth, J. Stangl, G. Bauer, G. Brunthaler, and F. Schäffler, Appl. Phys. Lett. 71, 2172 (1997).
19. M. Oueslati, M. Zoughi, M. E. Pistol, L. Samuelson, H. G. Grimmeiss, and M. Balkanski, Phys. Rev. B 32, 8220 (1985).
20. L. P. Tilly, P. M. Mooney, J. O. Chu, and F. K. LeGoues, Appl. Phys. Lett. 67, 2488 (1995).
21. M. Wachter, K. Thonke, R. Sauer, F. Schäffler, H.-J. Herzog, and E. Kasper, Thin Solid Films 222, 10 (1992).
22. M. Wachter, F. Schäffler, H.-J. Herzog, K. Thonke, and R. Sauer, Appl. Phys. Lett. 63, 376 (1993).
23. J. L. Hoyt, T. O. Mitchell, K. Rim, D. V. Singh, and J. F. Gibbons, Thin Solid Films (in press).
24. J. W. Strane, H. J. Stein, S. R. Lee, S. T. Picraux, J. K. Watanabe, and J. W. Mayer, J. Appl. Phys. 76, 3656 (1994).
25. G. G. Fischer, P. Zaumseil, E. Bugiel, and H. J. Osten, J. Appl. Phys. 77, 1934 (1995).
26. P. Warren, J. Mi, F. Overney, and M. Dutoit, J. Cryst. Growth 157, 414 (1995).
27. K. B. Joelsson, W.-X. Ni, G. Pozina, L. Hultman, and G. V. Hansson, Thin Solid Films (in press).
28. Landolt-Börnstein, New Series III/26 (Springer, Berlin, 1990).
29. Landolt-Börnstein, New Series III/22b (Springer, Berlin, 1989).
30. R. C. Newman and J. B. Willis, J. Phys. Chem. Solids 26, 373 (1965).
31. S. Zollner, C. M. Herzinger, J. A. Woollam, S. S. Iyer, A. P. Powell, and K. Eberl, Solid State Commun. 96, 305 (1995).
32. W. Kissinger, H. J. Osten, M. Weidner, and M. Eichler, J. Appl. Phys. 79, 3016 (1996).