Substitutional versus interstitial carbon incorporation during pseudomorphic growth of Si1-yCy on Si(001)

Journal of Applied Physics

Volumn 80, Issue 12, 1996, Pages 6711-6715

  Osten, H J ^a   Kim, Myeongcheol ^a   Pressel, K ^a   Zaumseil, P ^a  

^a IHP   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001552493     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.363797     Document Type: Article

References (15)

1. S. C. Jain, H. J. Osten, B. Dietrich, and H. Rücker, Semicond. Sci. Technol. 10, 1289 (1995).
2. A. R. Powell, K. Eberl, B. A. Ek, and S. S. Iyer, J. Cryst. Growth 127, 425 (1993).
3. G. Davies and R. C. Newman, in Handbook of Semiconductors, edited by T. S. Moss (Elsevier, New York, 1994), Vol. 3.
4. J. Tersoff, Phys. Rev. Lett. 74, 5080 (1995).
5. K. Eberl, S. S. Iyer, J. C. Tsang, M. S. Goorsky, and F. K. LeGoues, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 934 (1992).
6. H. J. Osten, E. Bugiel, and P. Zaumseil, Appl. Phys. Lett. 64, 3440 (1994).
7. J. L. Regolini, F. Gisbert, G. Dolino, and P. Boucaud, Mater. Lett. 18, 57 (1993).
8. M. S. Goorsky, S. S. Iyer, K. Eberl, F. K. LeGouech, J. Angilello, and F. Cardonne, Appl. Phys. Lett. 60, 2758 (1992).
9. G. G. Fischer, P. Zaumseil, E. Bugiel, and H. J. Osten, J. Appl. Phys. 77, 1934 (1995).
10. Annual book of ASTM standards (ASTM, Philadelphia, PA, 1981), Vol. F120, p. 543.
11. J. W. Strane, H. J. Stein, S. R. Lee, S. T. Picraux, J. K. Watanabe, and J. W. Mayer, J. Appl. Phys. 76, 3656 (1994).
12. P. Warren, J. Mi, F. Overney, and M. Dutoit, J. Cryst. Growth 157, 414 (1995).
13. D. Endisch, H. J. Osten, P. Zaumseil, and M. Zinke-Allmang, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 100, 125 (1995).
14. P. C. Kelires and J. Tersoff, Phys. Rev. Lett. 63, 1164 (1989).
15. P. O. Peterson, C. C. Ahn, T. C. McGill, E. T. Croke, and A. T. Hunter Appl. Phys. Lett. 67, 2530 (1995).