Constant current N2O plasma anodization of silicon

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 144, Issue 6, 1997, Pages 2200-2205

  Kaluri, Sita R ^a   Hess, Dennis W ^b  

^a Lehigh University   (United States)

^b Georgia Institute of Technology   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; ANODIC OXIDATION; BINDING ENERGY; CHEMICAL BONDS; HIGH TEMPERATURE EFFECTS; INTERFACES (MATERIALS); MOLECULAR STRUCTURE; NITROGEN OXIDES; PLASMA SOURCES; SEMICONDUCTOR GROWTH; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

PLASMA ANODIZATION;

SEMICONDUCTING SILICON;

EID: 0031166172     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1837765     Document Type: Article

References (36)

1. M. Y. Hao, W. M. Chen, K. Lai, and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett., 66, 1126 (1995).
2. E. C. Carr and R. A. Buhrman, ibid., 63, 54 (1993).
3. M. L. Green, D. Brasen, K. W. Evans-Lutterodt, L. C. Feldman, K. Krisch, W. Lennard, H.-T. Tang, L. Manchanda, and M.-T. Tang, ibid., 85, 849 (1994).
4. M. Bhat, G. W. Yoon, J. Kim, D. L. Kwong, ibid., 64, 2116 (1994).
5. R. I. Hegde, P. J. Tobin, K. G. Reid, B. Maiti, and S. A. Ajuria, ibid., 66, 2882 (1995).
6. Z. Q. Yao, H. B. Harrison, S. Dimitrijev, and D. Sweatman, ibid., 64, 3584 (1994).
7. S. B. Kang, S. Kim, J. Byun, and H. J. Kim, ibid., 65, 2448 (1994).
8. M. Bhat, L. K. Han, D. Wristers, J. Yan, D. L. Kwong, and J. Fulford, ibid., 66, 1225 (1995).
9. Z. Q. Yao, H. B. Harrison, S. Dimitrijev, and Y. T. Yeow, IEEE Electron. Device Lett., EDL-16, 345 (1995).
10. G. W. Yoon, A. B. Joshi, J. Kim, G. Q. Lo, and D. L. Kwong, ibid., EDL-13, 606 (1992).
11. K. A. Ellis and R. A. Buhrman, Appl. Phys. Lett., 68, 1696 (1996).
12. P. Lange, H. Bernt, E. Hartmannsgruber, and F. Naumann, This Journal, 141, 259 (1994).
13. R. J. Hussey, T. L. Hoffman, Y. Tao, and M. J. Graham, ibid., 143, 221 (1996).
14. M. Bhat, H. H. Jia, and D. L. Kwong, J. Appl. Phys., 78, 2767 (1995).
15. W. Ting, H. Hwang, J. Lee, and D. L. Kwong, ibid., 70, 1072 (1991).
16. P. Chen, K. Y. Hsu, J. Lin, and H. Hwang, Jpn. J. Appl. Phys., 34, 973 (1995).
17. Y. Saito, Appl. Phys. Lett., 68, 800 (1996).
18. 2 Interface-3, H. Z. Massoud, E. H. Poindexter, and C. R. Helms, Editors, PV 96-1, p. 441, The Electrochemical Society Proceedings Series, Pennington, NJ (1996).
19. S. R. Kaluri and D. W. Hess, Appl. Phys. Lett., 69, 1053 (1996).
20. J. M. Cook, D. E. Ibbotson, P. D. Foo, and D. L. Flamm, J. Vac. Sci. Technol., A8, 1820 (1990).
21. J. M. Cook, D. E. Ibbotson, and D. L. Flamm, ibid., B8, 1 (1990).
22. D. A. Carl, D. W. Hess, M. A. Lieberman, T. D. Nguyen, and R. Gronsky, J. Appl. Phys., 70, 3301 (1991).
23. D. F. Mitchell, K. B. Clark, J. A. Bardwell, W. N. Leonard, G. R. Massoumi, and I. V. Mitchell, Surf. Interface Anal., 21, 44 (1994).
24. D. R. Wolters and A. T. A. Z. Duynhoven, J. Appl. Phys., 65, 5126 (1989).
25. D. R. Wolters and A. T. A. Z. Duynhoven, ibid., 65, 5134 (1989).
26. T. Y. Chu, W. T. Ting, and D. L. Kwong, This Journal, 138, L13 (1991).
27. S. Taylor, W. Eccleston, and K. J. Barlow, J. Appl. Phys., 64, 5126 (1988).
28. D. Landheer, Y. Tao, J. E. Hulse, T. Quance, and D. X. Xu, This Journal, 143, 1681 (1996).
29. Handbook of XPS, Perkin-Elmer Corp., Eden Prairie, MN (Oct. 1992).
30. A. Masuda, I. Fukushi, Y. Yonezawa, T. Minamikawa, A. Morimoto, M. Kumeda, and T. Shimizu, Jpn. J. Appl. Phys., 32, 2794 (1993).
31. S. I. Raider, R. Flitsch, J. A. Aboaf, and W. A. Pliskin, This Journal, 123, 560 (1976).
32. D. N. Hendrickson, J. M. Hollander, and W. L. Jolly, Inorg. Chem., 8, 2642 (1969).
33. Z. H. Lu, S. P. Tay, R. Cao, and P. Pianetta, Appl. Phys. Lett., 67, 2836 (1995).
34. D. L. Pulfrey and J. J. H. Reche, Solid-State Electron., 17, 627 (1974).
35. J. F. Zhang, P. Watkinson, S. Taylor, and W. Eccleston, Appl. Surf. Sci., 39, 374 (1989).
36. N. S. Saks, D. I. Ma, and W. B. Fowler, Appl. Phys. Lett., 67, 374 (1995).