Polarization effect in light emitting diodes with ordered GaInP active layers

Applied Physics Letters

Volumn 68, Issue 17, 1996, Pages 2383-2385

  Greger, E ^a   Gulden, K H ^a   Riel, P ^a   Schweizer, H P ^a   Moser, M ^a   Schmiedel, G ^b   Kiesel, P ^b   Dohler G H ^b  

^a PAUL SCHERRER INSTITUTE   (Switzerland)

^b UNIVERSITY OF ERLANGEN NUREMBERG   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000229933     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.116141     Document Type: Article

References (14)

1. A. Gomyo, T. Suzuki, K. Kobayashi, S. Kawata, I. Hino, and T. Yuasa, Appl. Phys. Lett. AIP 50, 673 (1987).
2. A. Mascarenhas, S. Kurtz, A. Kibbler, and J. M. Olson, Phys. Rev. Lett. AIP 63, 2108 (1989).
3. S.-H. Wei and A. Zunger, Appl. Phys. Lett. AIP 64, 1676 (1994).
4. G. S. Horner, A. Mascarenhas, R. G. Alonso, S. Froyen, K. A. Bertness, and J. M. Olson, Phys. Rev. B AIP 49, 1727 (1994).
5. P. Ernst, C. Geng, F. Scholz, H. Schweizer, Y. Zhang, and A. Mascarenhas, Appl. Phys. Lett. AIP 67, 2347 (1995).
6. H. Sugawara, K. Itaya, and G. Hatakoshi, Jpn. J. Appl. Phys. INS 33, 5784 (1994).
7. R. H. Horng and M. K. Lee, J. Appl. Phys. AIP 71, 1513 (1992).
8. M. Watanabe, M. Okajima, K. Itaya, K. Nitta, Y. Nishikawa, and G. Hatakoshi, Jpn. J. Appl. Phys. INS 33, L1399 (1992).
9. H. Fuji, Y. Ueno, A. Gomyo, K. Endo, and T. Suzuki, Appl. Phys. Lett. AIP 61, 737 (1992).
10. A. T. Meney, E. P. O'Reilly, and K. J. Ebeling, Electron. Lett. INS 31, 461 (1995).
11. S. O'Brien, D. P. Bour, and J. R. Shealy, Appl. Phys. Lett. AIP 53, 1859 (1988).
12. Y. Ohba, M. Ishikawa, H. Sugawara, M. Yamamoto, and T. Nakanishi, J. Cryst. Growth INS 77, 374 (1986).
13. Y. Ueno, Appl. Phys. Lett. AIP 62, 553 (1993).
14. G. G. Forstmann, F. Barth, H. Schweizer, M. Moser, C. Geng, F. Scholz, and E. P. O'Reilly, Semicond. Sci. Technol. INS 9, 1268 (1994).