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Volumn 61, Issue 19, 2000, Pages 12670-12673

First-principles study of the elemental process of epitaxial growth on a GaAs(111)A surface

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EID: 0001188446     PISSN: 10980121     EISSN: 1550235X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.61.12670     Document Type: Article
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References (28)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.