Initial oxynitridation of a Si(001)-2×1 surface by No

Applied Physics Letters

Volumn 76, Issue 24, 2000, Pages 3561-3563

  Miyata, Noriyuki ^a   Watanabe, Heiji ^a,b   Ichikawa, Masakazu ^a  

^a JT RES CENTER FOR ATOM TECHNOLOGY   (Japan)

^b NEC CORPORATION   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001121321     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.126707     Document Type: Article

References (22)

1. H. Hwang, W. Ting, , D. L. Kwong, and J. Lee, Appl. Phys. Lett. 57, 1010 (1990).
2. E. C. Car and R. A. Buhrman, Appl. Phys. Lett. 63, 54 (1993).
3. L. K. Han, D. Wristers, J. Yan, M. Bhat, and D. L. Kwong, IEEE Electron Device Lett. 16, 319 (1995).
4. T. Hori, H. Iwasaki, Y. Yoshioka, and M. Sato, Appl. Phys. Lett. 52, 736 (1988).
5. M. Bhat, J. Kim, J. Yan, G. W. Yoon, L. K. Han, and D. L. Kwong, IEEE Electron Device Lett. 15, 421 (1994).
6. M. Bhat, L. K. Han, D. Wristers, J. Yan, and D. L. Kwong, Appl. Phys. Lett. 66, 1225 (1995).
7. A. Kamath, D. L. Kwong, Y. M. Sun, P. M. Blass, S. Whaley, and J. M. White, Appl. Phys. Lett. 70, 63 (1997).
8. R. I. Hedge, P. J. Tobin, K. G. Reid, B. Maiti, and S. A. Ajuria, Appl. Phys. Lett. 66, 2882 (1995).
9. H. C. Lu, E. P. Gusev, T. Gustafsson, E. Garfunkel, M. L. Green, D. Brasen, and L. C. Feldman, Appl. Phys. Lett. 69, 2713 (1996).
10. E. P. Gusev, H. C. Lu, T. Gustafsson, E. Garfunkel, M. L. Green, and D. Brasen, J. Appl. Phys. 82, 896 (1997).
11. For example: T. Hattori, in Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on Si-based Devices, NATO ASI Series, edited by E. Garfunkel, E. Gvsev, and A. Vull (Kluwer, Dordrecht, 1998), p. 241.
12. H. Watanabe and M. Ichikawa, Rev. Sci. Instrum. 67, 4185 (1996).
13. H. Watanabe, T. Baba, and M. Ichikawa, Appl. Phys. Lett. 74, 3284 (1999).
14. S. Fujita, H. Watanabe, S. Maruno, and M. Ichikawa, Appl. Phys. Lett. 71, 885 (1997); H. Watanabe, K. Kato, T. Uda, K. Fujita, M. Ichikawa, T. Kawamura, and K. Terakura, Phys. Rev. Lett. 80, 345 (1998).
15. S. Fujita, H. Watanabe, S. Maruno, and M. Ichikawa, Appl. Phys. Lett. 71, 885 (1997); H. Watanabe, K. Kato, T. Uda, K. Fujita, M. Ichikawa, T. Kawamura, and K. Terakura, Phys. Rev. Lett. 80, 345 (1998).
16. A. Ishizaka, S. Iwata, and Y. Kamigaki, Surf. Sci. 84, 355 (1979).
17. N. Miyata, H. Watanabe, and M. Ichikawa, Phys. Rev. B 58, 13670 (1998).
18. Z. H. Lu, S. P. Tay, R. Cao, and P. Pianetta, Appl. Phys. Lett. 67, 2836 (1995).
19. M. Bhat, J. Ahn, D. L. Kwong, M. Arendt, and J. M. White, Appl. Phys. Lett. 64, 1168 (1994).
20. P. Avouris, F. Bozso, and R. J. Hamers, J. Vac. Sci. Technol. B 5, 1387 (1987).
21. Y. Taguchi, M. Fujisawa, Y. Kuwahara, M. Onchi, and M. Nishijima, Surf. Sci. 217, L413 (1989).
22. A. G. B. M. Sasse and A. van Silfhout, Phys. Rev. B 40, 1773 (1989).