Indium incorporation above 800°c during metalorganic vapor phase epitaxy of ingan

Applied Physics Letters

Volumn 75, Issue 17, 1999, Pages 2587-2589

  Schenk, H P D ^a   De Mierry, P ^a   Laugt M ^a   Omnes F ^a   Leroux, M ^a   Beaumont, B ^a   Gibart, P ^a  

^a CNRS   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000977147     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.125086     Document Type: Article

References (23)

1. Y. Narukawa, S. Saijou, Y. Kawakami, S. Fujita, T. Mukai, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 74, 558 (1998).
2. S. Nakamura, and G. Fasol, The Blue Laser Diode (Springer, Berlin, 1997), pp. 129-175.
3. A. C. Abare, M. P. Mack, M. Hansen, J. S. Speck, L. A. Coldren, S. P. DenBaars, G. A. Meyer, S. L. Lehew, and G. A. Cooper, Appl. Phys. Lett. 73, 3887 (1998).
4. D. Hofstetter, R. L. Thornton, L. T. Romano, D. P. Bour, M. Kneissl, and R. M. Donaldson, Appl. Phys. Lett. 73, 2158 (1998).
5. T. Böttcher, S. Einfeldt, V. Kirchner, S. Figge, H. Heinke, D. Hommel, H. Selke, and P. L. Ryder, Appl. Phys. Lett. 73, 3232 (1998).
6. S. M. Bedair, in Semiconductors and Semimetals, edited by J. I. Pankove and T. D. Moustakas (Academic, San Diego, CA, 1998), Vol. 50, pp. 127-166.
7. F. Scholz, A. Sohmer, J. Off, V. Syganov, A. Dörnen, J.-S. Im, A. Hangleitner, and H. Lakner, Mater. Sci. Eng., B 50, 238 (1997).
8. E. L. Piner, S. M. Bedair, N. A. El-Masry, and F. G. McIntosh, 1998 Materials Research Society Fall Meeting, Session G 5.7, 30 November-4 December, 1998 (unpublished).
9. O. Ambacher, D. Brunner, R. Dimitrov, M. Stutzmann, A. Sohmer, and F. Scholz, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 37, 745 (1998).
10. G. Popovici, H. Morkoç, and S. N. Mohammad, in Group III Nitride Semiconductor Compounds, edited by B. Gil (Clarendon, Oxford, 1998), pp. 19-69.
11. H. P. D. Schenk, G. D. Kipshidze, U. Kaiser, A. Fissel, J. Kräußlich, H. Hoben, J. Schulze, and Wo. Richter, in Tenth International Conference on Molecular Beam Epitaxy, Cannes, 1998 August 31-September 4 (CRHEA, Valbonne, 1998), pp. 189-199.
12. C. Deger, E. Born, H. Angerer, O. Ambacher, M. Stutzmann, J. Hornsteiner, E. Riha, and G. Fischerauer, Appl. Phys. Lett. 72, 2400 (1998).
13. A. F. Wright, J. Appl. Phys. 82, 2833 (1997).
14. T. Takeuchi, S. Sota, M. Katsuragawa, M. Komori, H. Takeuchi, H. Amano, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L382 (1997).
15. L. T. Romano, B. S. Krusor, M. D. McCluskey, D. P. Bour, and K. Nauka, Appl. Phys. Lett. 73, 1757 (1998); M. D. McCluskey, C. G. Van de Walle, C. P. Master, L. T. Romano, and N. M. Johnson, ibid. 72, 2725 (1998).
16. L. T. Romano, B. S. Krusor, M. D. McCluskey, D. P. Bour, and K. Nauka, Appl. Phys. Lett. 73, 1757 (1998); M. D. McCluskey, C. G. Van de Walle, C. P. Master, L. T. Romano, and N. M. Johnson, ibid. 72, 2725 (1998).
17. W. Shan, W. Wałukiewicz, E. E. Haller, B. D. Little, J. J. Song, M. D. McCluskey, N. M. Johnson, Z. C. Feng, M. Schurman, and R. A. Stall, J. Appl. Phys. 84, 4452 (1998).
18. J. Wagner, A. Ramakrishnan, D. Behr, M. Maier, N. Herres, M. Kunzer, H. Obloh, and K.-H. Bachem, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G2.8 (1999).
19. C. Wetzel, T. Takeuchi, S. Yamaguchi, H. Katoh, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 73, 1994 (1998).
20. H. P. D. Schenk, P. de Mierry, F. Omnès, and P. Gibart, Phys. Status. Solidi A (in press).
21. K. P. O'Donnell, R. W. Martin, and P. G. Middleton, Phys. Rev. Lett. 82, 237 (1999).
22. L. Bellaiche, T. Mattila, L-W. Wang, S.-H. Wei, and A. Zunger, Appl. Phys. Lett. 74, 1842 (1999).
23. S. F. Chichibu, A. C. Abare, M. S. Minsky, S. Keller, S. B. Fleischer, J. E. Bowers, E. Hu, U. K. Mishra, L. A. Coldren, S. P. DenBaars, and T. Sota, Appl. Phys. Lett. 73, 2006 (1998).