Absorption of InGaN single quantum wells determined by photothermal deflection spectroscopy

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers

Volumn 37, Issue 3 A, 1998, Pages 745-752

  Ambacher, O ^a   Brunner, D ^a   Dimitrov, R ^a   Stutzmann, M ^a   Sohmer, A ^b   Scholz, F ^b  

^a WALTER SCHOTTKY INSTITUT   (Germany)

^b UNIVERSITY OF STUTTGART   (Germany)

Author keywords

Absorption; Bandgap; InGaN single quantum well

Indexed keywords

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ELECTRON ABSORPTION; ENERGY GAP; HETEROJUNCTIONS; PHOTONS; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS;

PHOTOTHERMAL DEFLECTION SPECTROSCOPY;

SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

EID: 0032028566     PISSN: 00214922     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/jjap.37.745     Document Type: Article

References (24)

1. S.Nakamura: J. Cryst. Growth 145 (1994) 911.
2. S. Nakamura: J. Vac. Sci. Technol. A 13 (1996) 705.
3. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa and S. Nagahama: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) L797.
4. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto and H. Kiyoku: Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 3034.
5. S. Keller, B. P. Keller, D. Kapolnek, A. C. Abare, H. Masui, L. A. Coldren, U. K. Mishra and S. P. Den Baars: Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 3147.
6. F. Scholz, V. Härle, F. Steuber, A. Sohmer, H. Bolay, V. Syganow, A. Dörnen, J.-S. Im, A. Hangleiter, J. Y. Duboz, P. Galtier, E. Rosencher, O. Ambacher, D. Brunner and H. Lakner: Mater. Res. Soc. Symp. Poe. 449 (1997) 3.
7. F. Scholz, V. Härle, H. Bolay, F. Steuber, B. Kaufmann, G. Reyher, A. Dörnen, O. Gfrörer, S.-J. Im and A. Hangleiter: Solid State Electron. 41 (1997) 141.
8. F. Scholz, V. Härle, F. Steuber, H. Bolay, A. Domen, B. Kaufmann, V. Syganow and A. Hangleiter: J. Cryst. Growth 170 (1997) 321.
9. L. Vegard: Z. Phys. 5 (1921) 17.
10. W. B. Jackson, N. M. Amer, A. C. Boccara and D. Fournier: Appl. Opt. 20 (1981) 1333.
11. A. C. Boccara, D. Fournier, W. B. Jackson and N. M. Amer: Opt. Lett. 5 (1980) 377.
12. E. C. Freeman and W. Paul: Phys. Rev. B 20 (1979) 716.
13. Properties of Group III Nitrides, ed. J. H. Edgar (INSPEC, London, 1994) pp. 30-39.
14. H. Angerer, D. Brunner, F. Freudenberg, O. Ambacher, M. Stutzmann, R. Höpler, T. Metzger, E. Born, G. Dollinger, A. Bergmaier, S. Karsch and H.-J. Körner: Appl. Phys. Lett. 71 (1997) 1504.
15. S. N. Mohammad, A. A. Salvador and H. Morkoc: Proc. IEEE 83 (1995) 1306.
16. F. Urbach: Phys. Rev: 92 (1953) 1324.
17. K. Osamura, S. Naka and Y. Murakami: J. Appl. Phys. 46 (1975) 3432.
18. A. Sohmer, J. Off, H. Bolay, V. Härle, V. Syganow, J. S. Im, V. Wagner, F. Adler, A. Hangleiter, A. Domen, F. Scholz, D. Brunner, O. Ambacher and H. Lakner: Mater. Res. Soc. Internet J. Nitride Semicond. Res. 2 (1997) 14.
19. J. S. Im, V. Härle, F. Scholz and A. Hangleiter: Mater. Res. Soc. Internet J. Nitride Semicond. Res. 1 (1996) 37.
20. A. Hangleiter, F. Scholz, V. Härle, J. S. Im and G. Frankowsky: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449 (1997) 641.
21. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota and S. Nakamura: Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 4188.
22. Y. Narukawa, Y. Kawakami, M. Funato, S. Fujita, S. Fujita and S. Nakamura: Appl. Phys. Lett. 70 (1997) 981.
23. Optical Processes in Semiconductors, ed. J. I. Pankove (Dover, New York, 1971) pp. 34-52.
24. O. Ambacher, C. Miskys, K. J. Won, M. Stutzmann, J. Off and F. Scholz: submitted to J. Appl. Phys.