Lattice location and stability of ion implanted Cu in Si

Physical Review Letters

Volumn 84, Issue 7, 2000, Pages 1495-1498

  Wahl, U ^a   Vantomme, A ^a   Langouche, G ^a   Correia, J G ^b  

^a KU LEUVEN   (Belgium)

^b CERN   (Switzerland)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000873237     PISSN: 00319007     EISSN: 10797114     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevLett.84.1495     Document Type: Article

References (28)

1. A. Istratov and E. R. Weber, Appl. Phys. A, 66, 123 (1998).
2. R. Keller, M. Deicher, W. Pfeiffer, H. Skudlik, and D. Steiner, Phys. Rev. Lett., 65, 2023 (1990).
3. A. Istratov, C. Flink, H. Hieslmair, and E. R. Weber, Phys. Rev. Lett., 81, 1243 (1998).
4. R. N. Hall and J. H. Racette, J. Appl. Phys., 35, 379 (1964).
5. E. R. Weber, Appl. Phys. A, 30, 1 (1983).
6. S. D. Brotherton, J. R. Ayres, A. Gill, H. W. van Kesteren, and F. J. A. M. Greidanus, J. Appl. Phys., 62, 1826 (1987).
7. S. M. Myers and D. M. Follstaedt, J. Appl. Phys., 79, 1337 (1996).
8. A. Fazzio, M. J. Caldas, and A. Zunger, Phys. Rev. B, 32, 934 (1985).
9. F. Beeler, O. K. Andersen, and M. Scheffler, Phys. Rev. B, 41, 1603 (1990).
10. S. K. Estreicher, Phys. Rev. B, 60, 5375 (1999).
11. H. Hofsäss and G. Lindner, Phys. Rep., 210, 121 (1991).
12. J. Lettry, R. Catherall, G. J. Focker, O. C. Jonsson, E. Kugler, H. Ravn, C. Tamburella, V. Fedoseyev, V. I. Mishin, G. Huber, V. Sebastian, M. Koizumi, U. Köster, and the ISOLDE Collaboration, Rev. Sci. Instrum., 69, 761 (1998).
13. P. Weilhammer, E. Nygård, W. Dulinski, A. Czermak, F. Djama, S. Gadomski, S. Roe, A. Rudge, F. Schopper, and J. Strobel, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. A, 383, 89 (1996).
14. U. Wahl, J. G. Correia, S. Cardoso, J. G. Marques, A. Vantomme, G. Langouche, and the ISOLDE Collaboration, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. B, 136, 744 (1998).
15. H. H. Seliger, Phys. Rev., 88, 408 (1952).
16. A. H. Wapstra, G. J. Nijgh, and R. Van Lieshout, Nuclear Spectroscopy Tables (North-Holland, Amsterdam, 1959), p. 40.
17. U. Wahl and the ISOLDE Collaboration, Phys. Rep., 280, 145 (1997).
18. M. T. Robinson, Phys. Rev. B, 40, 10 717 (1989).
19. B. L. Crowder and R. S. Title, in Ion Implantation, F. H. Eisen and L. T. Chadderton (Gordon and Breach, London, 1971).
20. J. Weber, H. Bauch, and R. Sauer, Phys. Rev. B, 25, 7688 (1982).
21. M. Nakamura, Appl. Phys. Lett., 73, 3896 (1998).
22. M. Nakamura, Appl. Phys. Lett., 73, 2325 (1998).
23. P. Wagner, H. Hage, H. Prigge, T. Prescha, and J. Weber, Semiconductor Silicon, H. R. Huff, K. G. Barraclough, and J. I. Chikawa (The Electrochemical Society, Pennington, NJ, 1990).
24. S. K. Estreicher, Phys. Rev. B, 41, 5447 (1990).
25. P. N. Hai, T. Gregorkiewicz, C. A. J. Ammerlaan, and D. T. Don, Phys. Rev. B, 56, 4620 (1997).
26. A. A. Istratov, H. Hieslmair, T. Heiser, C. Flink, and E. R. Weber, Appl. Phys. Lett., 71, 2349 (1997).
27. A. A. Istratov, H. Hieslmair, T. Heiser, C. Flink, and E. R. Weber, Appl. Phys. Lett., 72, 474 (1998).
28. S. Coffa, J. M. Poate, D. C. Jacobson, W. Frank, and W. Gustin, Phys. Rev. B, 45, 8355 (1992).