Close-to-ideal device characteristics of high-power InGaAs/GaAs quantum dot lasers

Applied Physics Letters

Volumn 78, Issue 9, 2001, Pages 1207-1209

  Sellin, R L ^a   Ribbat, Ch ^a   Grundmann, M ^a,b   Ledentsov, N N ^a   Bimberg, D ^a  

^a TECHNISCHE UNIVERSITÄT BERLIN   (Germany)

^b UNIVERSITY OF LEIPZIG   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000847215     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1350596     Document Type: Article

References (21)

1. D. Bimberg, M. Grundmann, and N. N. Ledentsov, Quantum Dot Heterostructures (Wiley, Chichester, 1998).
2. P. G. Eliseev, H. Li, A. Stintz, G. T. Liu, T. C. Newell, K. J. Malloy, and L. F. Lester, Appl. Phys. Lett. 77, 262 (2000).
3. A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, N. A. Maleev, S. S. Mikhrin, V. M. Ustinov, A. F. Tsatsul'nikov, M. V. Maximov, B. V. Volovik, D. A. Bedarev, Y. M. Shernyakov, P. S. Kop'ev, and Zh. I. Alterov, Appl. Phys. Lett. 75, 1926 (1999).
4. G. Park, O. B. Shchekin, S. Csutak, D. L. Huffaker, and D. G. Deppe, Appl. Phys. Lett. 75, 3267 (1999).
5. K. Mukai, Y. Nakata, K. Otsubo, M. Sugawara, N. Yokoyama, and H. Ishikawa, Appl. Phys. Lett. 76, 3349 (2000).
6. Yu. M. Shernyakov, D. A. Bedarev, E. Yu. Kondrat'eva, P. S. Kop'ev, A. R. Kovsh, N. A. Maleev, M. V. Maximov, S. S. Mikhrin, A. F. Tsatsul'nikov, V. M. Ustinov, B. V. Volovik, A. E. Zhukov, Zh. I. Alferov, N. N. Ledentsov, and D. Bimberg, Electron. Lett. 35, 898 (1999).
7. M. Grundmann, D. Bimberg, A. Fischer-Colbrie, and J. N. Miller, Phys. Rev. B 41, 10 120 (1990).
8. F. Heinrichsdorff, Ch. Ribbat, M. Grundmann, and D. Bimherg, Appl. Phys. Lett. 76, 556 (2000).
9. E. B. Meijía, A. N. Starodumov, and Y. O. Barmenkov, Appl. Phys. Lett. 74, 1540 (1999).
10. S. G. Grubb, K. W. Bennett, R. S. Cannon, and W. F. Humer, Electron. Lett. 28, 1243 (1992).
11. M. Grundmann, Physica E (Amsterdam) 5, 167 (2000).
12. Y. Arakawa and H. Sakaki, Appl. Phys. Lett. 40, 939 (1982).
13. M. Asada, Y. Miyamoto, and Y. Suematsu, IEEE J. Quantum Electron. 22, 1915 (1986).
14. T. Fukunaga, K. L. I. Kobayashi, and H. Nakashima, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 24, L510 (1985).
15. N. N. Ledentsov, M. Grundmann, N. Kirstaedter, O. Schmidt, R. Heitz, J. Böhrer, D. Bimberg, V. M. Ustinov, V. A. Shchukin, A. Y. Egorov, A. E. Zhukov, S. Zaitsev, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov, S. S. Ruvimov, A. O. Kosogov, P. Werner, U. Gösele, and J. Heydenreich, Solid-State Electron. 40, 785 (1996).
16. X. W. Liu, A. A. Hopgood, B. F. Usher, H. Wang, and N. St. J. Braithwaite, Semicond. Sci. Technol. 14, 1154 (1999).
17. M. M. Sobolev, I. V. Kochnev, V. M. Lantratov, N. A. Bert, N. A. Cherkashin, N. N. Ledentsov, and D. A. Bedarev, Semiconductors 34, 195 (2000).
18. P. D. Dapkus, H. M. Manasevit, K. L. Hess, T. S. Low, and G. E. Stillman, J. Cryst. Growth 55, 10 (1981).
19. F. Heinrichsdorff, M. Grundmann, O. Stier, A. Krost, and D. Bimberg, J. Cryst. Growth 195, 540 (1998).
20. N. N. Ledentsov, M. V. Maximov, D. Bimberg, T. Maka, C. M. Sotomayor Torres, I. V. Kochnev, I. L. Krestnikov, V. M. Lantratov, N. A. Cherkashin, Y. M. Musikhin, and Zh. I. Alferov, Semicond. Sci. Technol. 15, 604 (2000).
21. R. Sellin, F. Heinrichsdorff, Ch. Ribbat, M. Grundmann, U. W. Pohl, and D. Bimberg, J. Cryst. Growth 221, 581 (2000).