Temperature dependence of dislocation photoresponse in relaxed GeSi films

Applied Physics Letters

Volumn 76, Issue 10, 2000, Pages 1294-1296

  Gray, Matthew H ^a   Hsu, J W P ^a  

^a University of Virginia   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000813540     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.126013     Document Type: Article

References (21)

1. M. Kittler, C. Ulhaq-Bouillet, and V. Higgs, J. Appl. Phys. 78, 4573 (1995).
2. S. A. McHugo, A. C. Thompson, I. Perichaud, and S. Martinuzzi, Appl. Phys. Lett. 72, 3482 (1998).
3. See, e.g., S. K. Buratto, J. W. P. Hsu, E. Betzig, J. K. Trautman, R. B. Bylsma, C. C. Bahr, and M. J. Cardillo, Appl. Phys. Lett. 65, 2654 (1994); M. S. Unlu, B. B. Goldberg, W. D. Herzog, D. Sun, and E. Towe, ibid. 67, 1862 (1995): A. Richter, J. W. Tomm, Ch. Lienau, and J. Luft, ibid. 69, 3981 (1996).
4. See, e.g., S. K. Buratto, J. W. P. Hsu, E. Betzig, J. K. Trautman, R. B. Bylsma, C. C. Bahr, and M. J. Cardillo, Appl. Phys. Lett. 65, 2654 (1994); M. S. Unlu, B. B. Goldberg, W. D. Herzog, D. Sun, and E. Towe, ibid. 67, 1862 (1995): A. Richter, J. W. Tomm, Ch. Lienau, and J. Luft, ibid. 69, 3981 (1996).
5. See, e.g., S. K. Buratto, J. W. P. Hsu, E. Betzig, J. K. Trautman, R. B. Bylsma, C. C. Bahr, and M. J. Cardillo, Appl. Phys. Lett. 65, 2654 (1994); M. S. Unlu, B. B. Goldberg, W. D. Herzog, D. Sun, and E. Towe, ibid. 67, 1862 (1995): A. Richter, J. W. Tomm, Ch. Lienau, and J. Luft, ibid. 69, 3981 (1996).
6. J. W. P. Hsu, E. A. Fitzgerald, Y. H. Xie, and P. J. Silverman, Appl. Phys. Lett. 65, 344 (1994); J. Appl. Phys. 79, 7743 (1996).
7. J. W. P. Hsu, E. A. Fitzgerald, Y. H. Xie, and P. J. Silverman, Appl. Phys. Lett. 65, 344 (1994); J. Appl. Phys. 79, 7743 (1996).
8. M. H. Gray and J. W. P. Hsu, Rev. Sci. Instrum. 70, 3355 (1999).
9. J. W. P. Hsu, M. Lee, and B. S. Deaver, Rev. Sci. Instrum. 66, 3177 (1995); M. Lee, E. B. McDaniel, and J. W. P. Hsu, ibid. 67, 1468 (1996).
10. J. W. P. Hsu, M. Lee, and B. S. Deaver, Rev. Sci. Instrum. 66, 3177 (1995); M. Lee, E. B. McDaniel, and J. W. P. Hsu, ibid. 67, 1468 (1996).
11. Y. J. Mii, Y. H. Xie, E. A. Fitzgerald, D. Monroe, F. A. Thiel, B. E. Weir, and L. C. Feldman, Appl. Phys. Lett. 59, 1611 (1991); F. Schaffler, D. Tobben, H. J. Herzog, G. Albstreiter, and B. Hollander, Semicond. Sci. Technol. 7, 260 (1992).
12. Y. J. Mii, Y. H. Xie, E. A. Fitzgerald, D. Monroe, F. A. Thiel, B. E. Weir, and L. C. Feldman, Appl. Phys. Lett. 59, 1611 (1991); F. Schaffler, D. Tobben, H. J. Herzog, G. Albstreiter, and B. Hollander, Semicond. Sci. Technol. 7, 260 (1992).
13. E. A. Fitzgerald, Y. H. Xie, M. L. Green, D. Brasen, A. R. Kortan, J. Michel, and Y. J. Mii, Appl. Phys. Lett. 59, 811 (1991); Y. H. Xie, E. A. Fitzgerald, P. J. Silverman, A. R. Kortan, and B. E. Weir, Mater. Sci. Eng., B 14, 332 (1992).
14. E. A. Fitzgerald, Y. H. Xie, M. L. Green, D. Brasen, A. R. Kortan, J. Michel, and Y. J. Mii, Appl. Phys. Lett. 59, 811 (1991); Y. H. Xie, E. A. Fitzgerald, P. J. Silverman, A. R. Kortan, and B. E. Weir, Mater. Sci. Eng., B 14, 332 (1992).
15. J. W. P. Hsu, E. A. Fitzgerald, Y. H. Xie, P. J. Silverman, and M. J. Cardillo, Appl. Phys. Lett. 61, 1293 (1992).
16. E. A. Fitzgerald, Y. H. Xie, D. Monroe, P. J. Silverman, J. M. Kuo, A. R. Kortan, F. A. Thiel, and B. E. Weir, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1807 (1992).
17. Q. Xu, M. H. Gray, and J. W. P. Hsu, J. Appl. Phys. 82, 748 (1997).
18. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed. (Wiley, New York, 1981), Chap. 1.
19. Z. J. Radzimski, T. Q. Zhou, A. Buczkowski, G. A. Rozgonyi, D. Finn, L. G. Hellwig, and J. A. Ross, Appl. Phys. Lett. 60, 1096 (1992); W. Kittler and W. Seifert, Phys. Status Solidi A 138, 687 (1993)
20. Z. J. Radzimski, T. Q. Zhou, A. Buczkowski, G. A. Rozgonyi, D. Finn, L. G. Hellwig, and J. A. Ross, Appl. Phys. Lett. 60, 1096 (1992); W. Kittler and W. Seifert, Phys. Status Solidi A 138, 687 (1993)
21. M. H. Gray, J. W. P. Hsu, L. Giovane, and M. T. Bulsara (unpublished).