Microstructure of GaN layers grown on (001) GaAs by plasma assisted molecular-beam epitaxy

Applied Physics Letters

Volumn 71, Issue 20, 1997, Pages 2931-2933

  Ruvimov, Sergei ^a,c   Liliental Weber, Zuzanna ^a   Washburn, Jack ^a   Drummond, Timothy J ^b   Hafich, Michael ^b   Lee, Stephen R ^b  

^a LAWRENCE BERKELEY NATIONAL LABORATORY   (United States)

^b SANDIA NATIONAL LABORATORIES   (United States)

^c IOFFE INSTITUTE   (Russian Federation)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000077944     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.120219     Document Type: Article

References (23)

1. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, and Y. Sugimoto, Jpn. J. Appl. Phys. 35, L74 (1996).
2. S. N. Mohammad, A. A. Salvador, and H. Morkoç, Proc. IEEE 83, 1306 (1995).
3. M. J. Paisley, Z. Sitar, J. B. Posthill, and R. F. Davis, J. Vac. Sci. Technol. A 7, 701 (1989).
4. T. Lei, K. F. Ludwig, Jr., and T. D. Moustakas, J. Appl. Phys. 74, 4430 (1993).
5. T. D. Moustakas, T. Lei, and R. J. Molnar, Physica B 185, 36 (1993).
6. S. N. Basu, T. Lei, and T. D. Moustakas, J. Mater. Res. 9, 2370 (1994).
7. D. Chandrasekhar, D. J. Smith, S. Strite, M. E. Lin, and H. Morkoç, J. Cryst. Growth 152, 135 (1995).
8. H. Okumura, K. Ohta, T. Nagatomo, and S. Yoshida, J. Cryst. Growth 164, 149 (1996).
9. L. C. Jenkins, T. S. Cheng, C. T. Foxon, S. E. Hooper, J. W. Orton, S. V. Novikov, and V. V. Tret'yakov, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 1585 (1995).
10. T. S. Cheng, L. C. Jenkins, S. E. Hooper, C. T. Foxon, J. W. Orton, and D. E. Lacklison, Appl. Phys. Lett. 66, 1509 (1995).
11. H. Yang, O. Brandt, and K. Ploog, Phys. Status Solidi B 194, 109 (1996).
12. H. Okumura, S. Misawa, and S. Yoshida, Appl. Phys. Lett. 59, 1058 (1991).
13. H. Yang, O. Brandt, and K. Ploog, J. Electron. Mater. 25, 787 (1996).
14. R. J. Molnar and T. D. Moustakas, J. Appl. Phys. 76, 4587 (1994).
15. M. Nagahara, S. Miyoshi, H. Yaguchi, K. Onabe, Y. Shiraki, and R. Ito, J. Cryst. Growth 145, 197 (1994).
16. A. Kikuchi, H. Hochi, and K. Kishino, J. Cryst. Growth 150, 897 (1995).
17. C. T. Foxon, T. S. Cheng, S. E. Hooper, L. C. Jenkins, J. W. Orton, D. E. Lacklison, S. V. Novikov, T. B. Popova, and V. V. Tret'yakov, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 2346 (1996).
18. H. Yang, O. Brandt, M. Wassermeier, J. Behrend, H. P. Schönherr, and K. H. Ploog, Appl. Phys. Lett. 68, 244 (1996).
19. N. Kuwano, Y. Nagatomo, K. Kobayashi, K. Oki, S. Miyoshi, N. Yaguchi, K. Onabe, and Y. Shiraki, Jpn. J. Appl. Phys. 33, 18 (1994).
20. S. Strite, J. Ruan, Z. Li, A. Salvador, H. Chen, D. J. Smith, W. J. Choyke, and H. Morkoç, J. Vac. Sci. Technol. B 9, 1924 (1991).
21. W. C. Hughes, W. H. Rowland, Jr., M. A. L. Johnson, S. Fujita, J. W. Cook, Jr., and J. F. Schetzina, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 1571 (1995).
22. J. Neugebauer and C. G. Van de Walle, Phys. Rev. B 51, 10 568 (1995).
23. Y. Xin, P. D. Brown, R. E. Dunin-Borkowski, C. J. Humphreys, T. C. Cheng, and C. T. Foxon, J. Cryst. Growth 171, 321 (1997).