Evaluation of the surface stoichiometry during molecular beam epitaxy of cubic GaN on (001) GaAs

Applied Physics Letters

Volumn 68, Issue 2, 1996, Pages 244-246

  Yang, H ^a   Brandt, O ^a   Wassermeier, M ^a   Behrend, J ^a   Schonherr H P ^a   Ploog, K H ^a  

^a PAUL DRUDE INSTITUT FÜR FESTKÖRPERELEKTRONIK   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001188449     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.116474     Document Type: Article

References (10)

1. R. Dingle, K. L. Shaklee, R. F. Leheney, and R. B. Zetterstrom, Appl. Phys. Lett. 19, 5 (1971).
2. R. F. Davis, J. Cryst. Growth 137, 161 (1994).
3. H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 28, L2112 (1989).
4. S. Nakamura, N. Iwasa, M. Senoh, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 31, 1258 (1992).
5. S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, Jpn. J. Appl. Phys. 30, L1998 (1991).
6. K. G. Fertitta, A. L. Holmes, J. G. Neff, F. J. Ciuba, and R. D. Dupuis, Appl. Phys. Lett. 65, 1823 (1994).
7. H. Liu, A. C. Frankel, J. G. Kim, and R. M. Park, J. Appl. Phys. 74, 6124 (1993).
8. R. C. Powell, N.-E. Lee, Y.-W. Kim, and J. E. Greene, J. Appl. Phys. 73, 189 (1993).
9. S. Strite, J. Ruan, Z. Li, A. Salvador, H. Chen, D. J. Smith, W. J. Choyke, and H. Morkoç, J. Vac. Sci. Technol. B 9, 1924 (1991).
10. T. S. Cheng, L. C. Jenkins, S. E. Hooper, C. T. Foxon, J. W. Orton, and D. E. Lacklison, Appl. Phys. Lett. 66, 1509 (1995).