Design of an efficient charge-trapping layer with a built-in tunnel barrier for reliable organic-transistor memory

Advanced Materials

Volumn 27, Issue 4, 2015, Pages 706-711

  Park, Young Su ^a   Lee, Jang Sik ^b  

^a Kookmin University   (South Korea)

^b Pohang University of Science and Technology (POSTECH)   (South Korea)

Author keywords

Core shell nanoparticles; Memory devices; Organic electronics; Organic transistor memory

Indexed keywords

CORE SHELL NANOPARTICLES; DATA STORAGE EQUIPMENT; NANOPARTICLES; SHELLS (STRUCTURES); SILICA; SYNTHESIS (CHEMICAL);

CHARGE TRAPPING LAYERS; ELECTRICAL RELIABILITY; NOVEL DESIGN; ORGANIC ELECTRONICS; ORGANIC TRANSISTOR; POTENTIAL BARRIERS; SILICA SHELL; TUNNEL BARRIER;

CHARGE TRAPPING;

EID: 85028144399     PISSN: 09359648     EISSN: 15214095     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.201404625     Document Type: Article

References (30)

1. J. S. Lee, J. Mater. Chem. 2011, 21, 14097.
2. J. S. Lee, J. Cho, C. Lee, I. Kim, J. Park, Y. M. Kim, H. Shin, J. Lee, F. Caruso, Nat. Nanotechnol. 2007, 2, 790.
3. W. L. Leong, N. Mathews, S. Mhaisalkar, Y. M. Lam, T. P. Chen, P. S. Lee, J. Mater. Chem. 2009, 19, 7354.
4. S. J. Kim, J. S. Lee, Nano Lett. 2010, 10, 2884.
5. Y. Zhou, S. T. Han, Z. X. Xu, V. A. L. Roy, Nanotechnology 2012, 23, 344014.
6. S. T. Han, Y. Zhou, V. A. L. Roy, Adv. Mater. 2013, 25, 5425.
7. J. S. Lee, Y. M. Kim, J. H. Kwon, H. Shin, B. H. Sohn, J. Lee, Adv. Mater. 2009, 21, 178.
8. S. T. Han, Y. Zhou, C. D. Wang, L. F. He, W. J. Zhang, V. A. L. Roy, Adv. Mater. 2013, 25, 872.
9. X. Gao, X. J. She, C. H. Liu, Q. J. Sun, J. Liu, S. D. Wang, Appl. Phys. Lett. 2013, 102, 4.
10. J. Jang, C. Choi, J. S. Lee, K. S. Min, J. Lee, D. M. Kim, D. H. Kim, Semicond. Sci. Technol. 2009, 24, 115009.
11. S. J. Kim, Y. S. Park, S. H. Lyu, J. S. Lee, Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 033302.
12. S. W. Ryu, J. W. Lee, J. W. Han, S. Kim, Y. K. Choi, IEEE Trans. Electron Devices 2009, 56, 377.
13. J. S. Lee, Gold Bull. 2010, 43, 189.
14. C. Lee, J. H. Kwon, J. S. Lee, Y. M. Kim, Y. Choi, H. Shin, J. Lee, B. H. Sohn, Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 153506.
15. J. S. Lee, Y. M. Kim, J. H. Kwon, J. S. Sim, H. Shin, B. H. Sohn, Q. X. Jia, Adv. Mater. 2011, 23, 2064.
16. Y. M. Kim, S. J. Kim, J. S. Lee, IEEE Electron Device Lett. 2010, 31, 503.
17. Y. M. Kim, Y. S. Park, A. O'Reilly, J. S. Lee, Electrochem. Solid-State Lett. 2010, 13, H134.
18. S. J. Kim, J. M. Song, J. S. Lee, J. Mater. Chem. 2011, 21, 14516.
19. A. Rani, J.-M. Song, M. J. Lee, J.-S. Lee, Appl. Phys. Lett. 2012, 101.
20. S. T. Han, Y. Zhou, Z. X. Xu, L. B. Huang, X. B. Yang, V. A. L. Roy, Adv. Mater. 2012, 24, 3556.
21. C. Kim, J. M. Song, J. S. Lee, M. J. Lee, Nanotechnology 2014, 25, 014016.
22. H.-C. Chang, C.-L. Liu, W.-C. Chen, Adv. Funct. Mater. 2013, 23, 4960.
23. S. T. Han, Y. Zhou, Q. D. Yang, L. Zhou, L. B. Huang, Y. Yan, C. S. Lee, V. A. L. Roy, ACS Nano 2014, 8, 1923.
24. Y. S. Park, S. Y. Lee, J. S. Lee, IEEE Electron Device Lett. 2010, 31, 1134.
25. J. Y. Kim, J. H. Seo, Y. W. Moon, D. K. Choi, Curr. Appl. Phys. 2013, 13, S30.
26. Y. S. Lo, K. C. Liu, J. Y. Wu, C. H. Hou, T. B. Wu, Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 132907.
27. S. Lee, J. Lee, H. Lee, Y. J. Yuk, M. Kim, H. Moon, J. Seo, Y. Park, J. Y. Park, S. H. Ko, S. Yoo, Org. Electron. 2013, 14, 3260.
28. C. Graf, D. L. J. Vossen, A. Imhof, A. van Blaaderen, Langmuir 2003, 19, 6693.
29. L. M. Liz-Marzan, M. Giersig, P. Mulvaney, Langmuir 1996, 12, 4329.
30. F. Amy, C. Chan, A. Kahn, Org. Electron. 2005, 6, 85.