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Volumn 9, Issue 3, 2016, Pages 892-897

570 mV photovoltage, stabilized n-Si/CoOx heterojunction photoanodes fabricated using atomic layer deposition

(6) Zhou, Xinghao a,b Liu, Rui a Sun, Ke a,c Papadantonakis, Kimberly M a,c Brunschwig, Bruce S a,d Lewis, Nathan S a,c,d

a CALIFORNIA INSTITUTE OF TECHNOLOGY (United States)

b California Institute of Technology (United States)

c California Institute of Technology (United States)

d CALIFORNIA INSTITUTE OF TECHNOLOGY (United States)

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COBALT COMPOUNDS; DEPOSITION; EFFICIENCY; HETEROJUNCTIONS; PHOTOELECTRIC DEVICES; SILICON; SOLAR POWER GENERATION;

ALKALINE ELECTROLYTES; ELECTROCATALYTIC; FORMAL POTENTIAL; FULLY INTEGRATED; OVERALL EFFICIENCY; OXYGEN EVOLUTION REACTION; SI (100) SUBSTRATE; SOLAR ILLUMINATION;

ATOMIC LAYER DEPOSITION;

EFFICIENCY MEASUREMENT; ELECTROLYTE; FUEL CELL; OXIDATION; PHOTOVOLTAIC SYSTEM; SOLAR POWER;

EID: 84960834547 PISSN: 17545692 EISSN: 17545706 Source Type: Journal
DOI: 10.1039/c5ee03655k Document Type: Article

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.