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Volumn 105, Issue 13, 2014, Pages

Effect of the quantum well thickness on the performance of InGaN photovoltaic cells

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WELL THICKNESS;

EID: 84907487129     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.4896679     Document Type: Article
Times cited : (67)

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.