Maximizing integrated optical and electrical properties of a single ZnO nanowire through native interfacial doping

Advanced Materials

Volumn 26, Issue 19, 2014, Pages 3035-3041

  Ding, Huaiyi ^a   Pan, Nan ^a,d   Ma, Chao ^b   Wu, Yukun ^a   Li, Junwen ^a   Cai, Hongbing ^a   Zhang, Kun ^a   Zhang, Guanghui ^a   Ren, Wenzhen ^a   Li, Jianqi ^b   Luo, Yi ^a,c,d   Wang, Xiaoping ^a,d   Hou, J G ^a,d  

^a UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA   (China)

^b INSTITUTE OF PHYSICS   (China)

^c ROYAL INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Sweden)

^d UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA   (China)

Author keywords

core shell structures; doping; nanowires; optical materials; ZnO

Indexed keywords

DOPING (ADDITIVES); NANOWIRES; OPTICAL MATERIALS; ZINC OXIDE;

CORE SHELL STRUCTURE; CORE-SHELL NANOWIRES; DOPING LAYERS; INTERFACIAL STRUCTURES; OPTICAL AND ELECTRICAL PROPERTIES; OPTICAL PERFORMANCE; ZNO; ZNO NANOWIRES;

ELECTRIC PROPERTIES;

EID: 84901032872     PISSN: 09359648     EISSN: 15214095     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.201305340     Document Type: Article

References (38)

1. M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Q. Yan, Y. Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, P. D. Yang, Science 2001, 292, 1897.
2. W. I. Park, G. C. Yi, Adv. Mater. 2004, 16, 87.
3. M. T. Chen, M. P. Lu, Y. J. Wu, J. H. Song, C. Y. Lee, M. Y. Lu, Y. C. Chang, L. J. Chou, Z. L. Wang, L. J. Chen, Nano Lett. 2010, 10, 4387.
4. J. Dai, C. X. Xu, X. W. Sun, Adv. Mater. 2011, 23, 4115.
5. S. Chu, G. P. Wang, W. H. Zhou, Y. Q. Lin, L. Chernyak, J. Z. Zhao, J. Y. Kong, L. Li, J. J. Ren, J. L. Liu, Nat. Nanotechnol. 2011, 6, 506.
6. K. Wang, J. Zhou, L. Y. Yuan, Y. T. Tao, J. Chen, P. X. Lu, Z. L. Wang, Nano Lett. 2012, 12, 833.
7. Y. M. Oh, K. M. Lee, K. H. Park, Y. Kim, Y. H. Ahn, J. Y. Park, S. Lee, Nano Lett. 2007, 7, 3681.
8. H. P. He, H. P. Tang, Z. Z. Ye, L. P. Zhu, B. H. Zhao, L. Wang, X. H. Li, Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 023 104.
9. H. Y. Ding, Z. Zhao, G. H. Zhang, Y. K. Wu, Z. W. Gao, J. W. Li, K. Zhang, N. Pan, X. P. Wang, J. Phys. Chem. C 2012, 116, 17 294.
10. G. D. Yuan, W. J. Zhang, J. S. Jie, X. Fan, J. X. Tang, I. Shafiq, Z. Z. Ye, C. S. Lee, S. T. Lee, Adv. Mater. 2008, 20, 168.
11. Y. W. Heo, L. C. Tien, Y. Kwon, D. P. Norton, S. J. Pearton, B. S. Kang, F. Ren, Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 2274.
12. Q. H. Li, Y. X. Liang, Q. Wan, T. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 6389.
13. C. C. Li, Z. F. Du, L. M. Li, H. C. Yu, Q. Wan, T. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 032 101.
14. Y. F. Hu, Y. Liu, W. L. Li, M. Gao, X. L. Liang, Q. Li, L. M. Peng, Adv. Funct. Mater. 2009, 19, 2380.
15. W. I. Park, J. S. Kim, G. C. Yi, M. H. Bae, H. J. Lee, Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 5052.
16. P. C. Chang, Z. Fan, C. J. Chien, D. Stichtenoth, C. Ronning, J. G. Lu, Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 133 113.
17. S. H. Song, W.-K. Hong, S.-S. Kwon, T. H. Lee, Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 263 109.
18. K. Lee, M. S. Oh, S. J. Mun, K. H. Lee, T. W. Ha, J. H. Kim, S. H. K. Park, C. S. Hwang, B. H. Lee, M. M. Sung, S. Im, Adv. Mater. 2010, 22, 3260.
19. W. I. Park, G. C. Yi, M. Kim, S. J. Pennycook, Adv. Mater. 2003, 15, 526.
20. S. J. An, W. I. Park, G. C. Yi, Y. J. Kim, H. B. Kang, M. Kim, Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 3612.
21. W. I. Park, J. Yoo, D. W. Kim, G. C. Yi, M. Kim, J. Phys. Chem. B 2006, 110, 1516.
22. B. Q. Cao, J. Zúñiga-Pérez, N. Boukos, C. Czekalla, H. Hilmer, J. Lenzner, A. Travlos, M. Lorenz, M. Grundmann, Nanotechnology 2009, 20, 305 701.
23. J. Yoo, B. Chon, W. Tang, T. Joo, L. S. Dang, G. C. Yi, Appl. Phys. Lett. 2012, 100, 223 103.
24. M. H. Huang, Y. Y. Wu, H. Feick, N. Tran, E. Weber, P. D. Yang, Adv. Mater. 2001, 13, 113.
25. Z. W. Pan, J. D. Budai, Z. R. Dai, W. J. Liu, M. P. Paranthaman, S. Dai, Adv. Mater. 2009, 21, 890.
26. X. X. Zhang, D. Zhao, M. Gao, H. B. Dong, W. Y. Zhou, S. S. Xie, Nanotechnology 2011, 22, 135 603.
27. S. J. Pennycook, D. E. Jesson, Ultramicroscopy 1991, 37, 14.
28. J. Goldberger, D. J. Sirbuly, M. Law, P. D. Yang, J. Phys. Chem. B 2005, 109, 9.
29. S. M. Sze, K. K. Ng, Physics of Semiconductor Devices 3rd ed, John Wiley & Sons, New York, NJ 2007.
30. D. C. Look, J. W. Hemsky, J. R. Sizelove, Phys. Rev. Lett. 1999, 82, 2522.
31. L. E. Halliburton, N. C. Giles, N. Y. Garces, M. Luo, C. C. Xu, L. H. Bai, L. A. Boatner, Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 172 108.
32. A. Janotti, C. G. Van de walle, Rep. Prog. Phys. 2009, 72, 126 501.
33. Y. H. Yang, X. Y. Chen, Y. Feng, G. W. Yang, Nano Lett. 2007, 7, 3879.
34. U. Özgür, Y. I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M. A. Reshchikov, S. Doǧan, V. Avrutin, S. J. Cho, H. Morkoç, J. Appl. Phys. 2005, 98, 041 301.
35. J. Yoo, L. S. Dang, B. Chon, T. Joo, G. C. Yi, Nano Lett. 2012, 12, 556.
36. A. Tsukazaki, A. Ohtomo, T. Kita, Y. Ohno, H. Ohno, M. Kawasaki, Science 2007, 315, 1388.
37. H. Y. Hwang, Y. Iwasa, M. Kawasaki, B. Keimer, N. Nagaosa, Y. Tokura, Nat. Mater. 2012, 11, 103.
38. B. K. Meyer, H. Alves, D. M. Hofmann, W. Kriegseis, D. Forster, F. Bertram, J. Christen, A. Hoffmann, M. Straßburg, M. Dworzak, U. Haboeck, A. V. Rodina, Phys. Status Solidi B 2004, 241, 231.