Amphoteric nature of Sn in CdS nanowires

Nano Letters

Volumn 14, Issue 2, 2014, Pages 518-523

  Zhang, Mengyao ^a   Wille, Marcel ^b   Röder, Robert ^b   Heedt, Sebastian ^c   Huang, Liubing ^a   Zhu, Zheng ^a   Geburt, Sebastian ^b   Grützmacher, Detlev ^c   Schäpers, Thomas ^c   Ronning, Carsten ^b   Lu, Jia Grace ^a  

^a UNIVERSITY OF SOUTHERN CALIFORNIA   (United States)

^b FRIEDRICH SCHILLER UNIVERSITY JENA   (Germany)

^c FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH   (Germany)

Author keywords

CdS nanowire; compensation; doping; low temperature photoluminescence; VLS growth

Indexed keywords

EID: 84894188533     PISSN: 15306984     EISSN: 15306992     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl4035169     Document Type: Article

References (28)

1. Geburt, S.; Thielmann, A.; Röder, R.; Borschel, C.; McDonnell, A.; Kozlik, M.; Kühnel, J.; Sunter, K. A.; Capasso, F.; Ronning, C. Nanotechnology 2012, 23 (36) 365204
2. Fan, Z.; Razavi, H.; Do, J.-w.; Moriwaki, A.; Ergen, O.; Chueh, Y.-L.; Leu, P. W.; Ho, J. C.; Takahashi, T.; Reichertz, L. A.; Neale, S.; Yu, K.; Wu, M.; Ager, J. W.; Javey, A. Nat. Mater. 2009, 8 (8) 648-653
3. Ma, R. M.; Dai, L.; Huo, H. B.; Yang, W. Q.; Qin, G. G.; Tan, P. H.; Huang, C. H.; Zheng, J. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 203120
4. Hayden, O.; Greytak, a. B.; Bell, D. C. Adv. Mater. 2005, 17, 701-704
5. Agarwal, R.; Barrelet, C. J.; Lieber, C. M. Nano Lett. 2005, 5, 917-20
6. Li, F. Z.; Luo, L. B.; Yang, Q. D.; Wu, D.; Xie, C.; Nie, B.; Jie, J. S.; Wu, C. Y.; Wang, L.; Yu, S. H. Adv. Energy Mater. 2013, 3 (5) 579-583
7. Röder, R.; Wille, M.; Geburt, S.; Rensberg, J.; Zhang, M.; Lu, J. G.; Capasso, F.; Buschlinger, R.; Peschel, U.; Ronning, C. Nano Lett. 2013, 13, 3602-3606
8. Xu, J.; Zhuang, X.; Guo, P.; Zhang, Q.; Ma, L.; Wang, X.; Zhu, X.; Pan, A. J. Mater. Chem. C 2013, 1 (28) 4391-4396
9. Wu, D.; Jiang, Y.; Wang, L.; Li, S.; Wu, B.; Lan, X.; Yu, Y.; Wu, C.; Wang, Z.; Jie, J. Appl. Phys. Lett. 2010, 96 (12) 123118-3
10. Cai, J.; Jie, J.; Jiang, P.; Wu, D.; Xie, C.; Wu, C.; Wang, Z.; Yu, Y.; Wang, L.; Zhang, X.; Peng, Q.; Jiang, Y. Phys. Chem. Chem. Phys. 2011, 13 (32) 14664-14668
11. Wu, C.; Jie, J.; Wang, L.; Yu, Y.; Peng, Q.; Zhang, X.; Cai, J.; Guo, H.; Wu, D.; Jiang, Y. Nanotechnology 2010, 21 (50) 505203
12. Wu, B.; Jiang, Y.; Wu, D.; Li, S.; Wang, L.; Yu, Y.; Wang, Z.; Jie, J. J. Nanosci. Nanotechnol. 2011, 11 (3) 2003-2011
13. Fistul, V. I. Impurities in Semiconductors: Solubility, Migration and Interactions; CRC Press: Boca Raton, FL, 2004.
14. Panchuk, O.; Savitskiy, A.; Fochuk, P.; Nykonyuk, Y.; Parfenyuk, O.; Shcherbak, L.; Ilashchuk, M.; Yatsunyk, L.; Feychuk, P. J. Cryst. Growth 1999, 197 (3) 607-611
15. Jafari, A.; Zakaria, A.; Rizwan, Z.; Ghazali, M. S. M. Int. J. Mol. Sci. 2011, 12 (9) 6320-6328
16. Roy, P.; Srivastava, S. K. J. Phys. D: Appl. Phys. 2006, 39, 4771-4776
17. Zargarova, M. I.; Alieva, S. B.; Allazov, M. R. Russ. J. Inorg. Chem. 1985, 30, 726-729
18. Aguilar-Hernández, J.; Contreras-Puente, G.; Morales-Acevedo, A.; Vigil-Galán, O.; Cruz-Gandarilla, F.; Vidal-Larramendi, J.; Escamilla-Esquivel, A.; Herńandez-Contreras, H.; Hesiquio-Garduno, M.; Arias-Carbajal, A.; Chavarría-Castaneda, M.; Arriaga-Mejía, G. Semicond. Sci. Technol. 2003, 18, 111-114
19. Colbow, K. Phys. Rev. 1966, 141 (2) 742-749
20. Perea, D. E.; Hemesath, E. R.; Schwalbach, E. J.; Lensch-Falk, J. L.; Voorhees, P. W.; Lauhon, L. J. Nat Nanotechnol. 2009, 4 (5) 315-319
21. Thomas, D. G.; Hopfield, J. J. Phys. Rev. 1962, 128 (5) 2135-2148
22. Xu, X.; Zhao, Y.; Sie, E. J.; Lu, Y.; Liu, B.; Ekahana, S. A.; Ju, X.; Jiang, Q.; Wang, J.; Sun, H.; Sum, T. C.; Huan, C. H. A.; Feng, Y. P.; Xiong, Q. ACS Nano 2011, 5 (5) 3660-3669
23. Henry, C. H.; Faulkner, R. A.; Nassau, K. Phys. Rev. 1969, 183 (3) 798-806
24. Varshni, Y. P. Physica 1967, 34 (1) 149-154
25. Dürkop, T.; Getty, S. A.; Cobas, E.; Fuhrer, M. S. Nano Lett. 2003, 4 (1) 35-39
26. Wunnicke, O. Appl. Phys. Lett. 2006, 89 (8) 083102-3
27. Jie, J. S.; Zhang, W. J.; Jiang, Y.; Lee, S. T. Appl. Phys. Lett. 2006, 89 (22) 223117-3
28. Shklovskii, B. I.; Efros, A. L. Electronic Properties of Doped Semiconductors; Springer: Berlin, 1984.